韓国メディアの報道によると、サムスン電子はエヌビディア (NVDA.O) の要求に応じて、8層の第7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）の開発を進めており、当初の計画である12層、16層の案に比べてスタッキングの高さを大幅に低下させています。エヌビディアが提案した速度仕様は17-18Gbpsで、サムスンの初期HBM4Eの14.4Gbpsのサンプル速度より約20%高いとされています。この製品はNVHBMに使用されると報じられています。
