삼성과 SK 하이닉스가 중국 NAND 기지를 강화하고, 연내에 장비 투자를 추진한다

ZDNet Korea에 따르면, 삼성전자와 SK 하이닉스는 내년까지 중국 NAND 플래시 생산 라인에 대한 장비 투자를 지속할 계획이며, 이를 통해 현지 생산 거점을 강화할 예정이다. 삼성은 올해 상반기부터 시안 X2 생산 라인에서 V9 NAND 전환 투자를 추진하고 있으며, 이 제품은 약 280층 적층의 고급 공정으로, 월 생산능력은 4만에서 5만 장에 이를 것으로 예상된다. 안정적인 양산을 위해 회사는 추가 투자 계획을 확정했으며, 핵심은 에칭 공정 장비 추가로, 관련 구매 주문은 연말 전후에 명확해질 것으로 보이며, 추가 투자는 내년 하반기부터 실행할 예정이다.

SK 하이닉스는 올해 3분기부터 다롄 2공장의 NAND 제품 업그레이드 관련 장비 투자를 추진하고 있으며, 논의 중인 규모는 월 생산능력 3만 장에 해당한다. 주요 제조 장비는 다음 달부터 순차적으로 반입될 예정이며, 내년 상반기까지 배치를 완료할 계획이다. 다롄 공장은 2020년 하반기 인텔 NAND 사업부를 인수한 후 인수한 자산으로, 2022년에는 증산을 위해 2공장 착공식을 개최했으나, 시장 상황 등으로 인해 장비 투입이 일시 중단되었으며, 현재 투자가 재개되었다.

업계 관계자는 위의 계획이 단계적으로 중국 내 고급 NAND 생산 능력을 확대하기 위한 것으로, 인공지능 서버 등 분야에서 고급 저장소 수요의 빠른 증가에 대응하기 위한 것이라고 지적했다.