삼성 4 나노의 절반 생산능력이 HBM4 기판 칩에 사용됩니다
삼성전자 웨이퍼 파운드리 사업부는 4 나노 공정에서, 여섯 번째 고대역폭 메모리 HBM4용 기판 칩의 양산 비중이 최근 50%를 돌파했다고 전했습니다. 업계에서는 이 사업부가 올해 하반기에 4 나노 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4 기판 칩 제조에 투입할 것이라고 언급하며, 엔비디아, 브로드컴, AMD 등으로의 공급 확대에 맞춰 진행될 것이라고 합니다.삼성은 올해 2월 HBM4 양산 출하를 선도적으로 시작했으며, 3분기부터 공급량을 확대할 계획이고, 연중반부터 관련 웨이퍼 투입을 크게 늘릴 예정입니다. 이 칩은 삼성 웨이퍼 파운드리 4 나노(SF4) 공정에 기반하고 있습니다. 지난달 기준으로, 전체 4 나노 생산능력의 50% 이상이 HBM4 기판 칩에 할당되었습니다. 관계자에 따르면, 삼성의 4 나노는 현재 풀가동 중이며, HBM4 기판 칩의 비중은 약 50%에서 60%에 달하고, 하반기에도 높은 비중을 유지할 것이라고 합니다.삼성은 평택 2공장과 3공장에서 4~7 나노급 공정을 양산하고 있으며, 4 나노 생산능력은 월 약 3만 장으로 추정됩니다. 이를 바탕으로 HBM4 기판 칩 관련 웨이퍼 투입은 월 약 1.5만 장에 이를 것으로 보입니다. 삼성은 2분기 실적 전화 회의에서 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 예상하며, 하반기 HBM4 매출이 회사 전체 HBM 매출의 60%를 초과할 것이라고 밝혔습니다.
