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first_img 분석: 1b DRAM 단위 면적 가치가 TSMC 2 나노를 초과함

반도체 분석 기관 Kernel Insight: 인공지능 수요가 DRAM 가격을 역사적 고수준으로 유지하고 있으며, 최신 공정 DRAM의 단위 면적 판매 가치는 TSMC N2, N3 웨이퍼 가격을 초과했습니다. 이 기관은 TSMC 300mm N3 웨이퍼 가격을 2만 달러, N2는 3만 달러로 추정하며, 명목 가격은 각각 약 1제곱밀리미터당 0.283달러와 0.424달러로, 엣지 손실, 절단 손실 및 수율과 결함은 포함되지 않았습니다.Gb당 1.50달러 및 세대 비트 밀도를 기준으로 계산할 때, 1y DRAM은 제곱밀리미터당 0.329달러, 1z는 0.410달러, 1b는 0.654달러로 N2보다 50% 이상 높습니다. 10나노급 공정은 1y, 1z, 1a, 1b 순서로 점진적으로 미세화됩니다. 위의 각 Gb 가격은 현물에 근접할 것으로 가정하며, DRAMeXchange 데이터에 따르면 9월 21일 16Gb DDR5 eTT 칩의 평균 거래가는 24.80달러로, 약 Gb당 1.55달러에 해당합니다.비교 기준에 차이가 있습니다. TSMC의 숫자는 고객이 지불하는 웨이퍼 파운드리 가격이며, DRAM 숫자는 완제품 판매의 총 판매 잠재력으로, 고급 패키징 비용은 포함되지 않았습니다; TSMC의 실제 공급가는 주문량 및 계약에 따라 변동합니다. DRAM 지표는 소액 현물 가격을 기준으로 하며, 삼성전자, SK 하이닉스, 마이크론의 수익 주체의 장기 계약 가격과는 다릅니다. 비공식 고정 거래 가격이 최근 강세를 보이고 있으며, 아직 현물 가격에 완전히 반영되지 않았다면, 메모리 제조업체의 웨이퍼 단위 가격의 선행 폭이 더 클 수 있습니다.

first_img 장강 저장소 2026년 말 LPDDR5 시험 생산, 장신은 NAND 시장에 진출할 계획이다

전 세계 메모리가 지속적으로 심각한 품귀 현상을 겪고 있으며, AI 및 클라우드 애플리케이션이 DRAM과 NAND 플래시의 수요와 가격을 끌어올리고 있습니다. 중국의 두 대형 메모리 제조업체인 장강 저장소와 장신 저장소가 각각 반을 차지하는 구도를 깨뜨릴 것입니다.장강 저장소는 LPDDR5 DRAM에 진입하여 2026년 말에 시험 생산을 시작할 예정이며, 장신 저장소는 DRAM에서 NAND 플래시로 진출할 계획입니다. 업계에서는 두 회사가 가장 빠르면 2028년에 정면으로 맞붙을 것으로 추측하고 있습니다. 장강 저장소는 Xtacking 기술을 통해 294층 3D NAND 개발을 완료하였으며, 삼성은 2025년에 이와 관련된 특허 라이센스 계약을 체결하고 10세대 V-NAND부터 해당 특허를 사용할 예정입니다.장강 저장소의 3기 계획은 2026년 말에 생산을 시작하며, 초기 약 2.5만 장의 DRAM 생산 능력을 갖출 것이고, 2027년에는 생산량을 증가시켜 LPDDR5를 목표로 하며, 후속 증산 및 HBM, 3D DRAM을 계획하고 있습니다. 장신 저장소는 베이징에 NAND 연구개발 생산 라인을 설정할 것이라는 소식이 전해졌으며, 가장 빠르면 2028년에서 2029년 사이에 양산할 것으로 예상됩니다.
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