良率

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，据快科技报道，长鑫存储 17nm DDR5 芯片良率已突破 90%，与三星同代产品 92% 至 93% 的良率水平仅差约 2 个百分点，技术指标迈入全球第一梯队。多家主要 PC 厂商已于年中前后完成长鑫 DRAM 芯片认证，并开始在部分笔记本电脑中小批量搭载。 不同品牌采用策略差异显著：戴尔全面禁用长鑫芯片；惠普仅限中国大陆市场使用；宏碁与华硕则将其搭载于面向中国大陆及新兴市场的机型。目前长鑫产品对三大内存巨头的整体市场价格影响仍有限，主要原因在于三星、SK 海力士、美光当前更倾向于供应 LPDDR5，而长鑫现阶段战略重心在于扩大 DDR5 出货量。PC 企业高管表示，三大厂商占据全球超 90% DRAM 份额，大规模采用须高度谨慎。当前采用长鑫芯片的机型数量和用量均相当有限。

ChainCatcher 消息，据台湾媒体报道，英特尔下一代先进封装技术 EMIB-T 正面临严峻的良率挑战。ABF 载板供应商欣兴电子（Unimicron）在 7 月 29 日的财报电话会上表示，该技术“尚未成熟”，三家 EMIB-T 载板供应商（欣兴、揖斐电、新光电气）在 2027 年底首批量产阶段的良率目标仅为 50%。 EMIB-T 是英特尔对标台积电 CoWoS-L 的先进封装方案，区别在于将硅桥直接嵌入载板而非使用硅中介层，使载板供应商成为决定成败的关键环节。谷歌第九代 TPU 已确定在 2028 年量产时采用 EMIB-T 封装，联发科负责芯片协同设计，该芯片若成功量产，出货量有望挑战英伟达。欣兴电子表示，客户（英特尔）已提供利润保证机制，即便良率不佳仍能确保供应商盈利，50% 良率目标实现后利润率将高于公司平均水平。目前 EMIB-T 能否在 2027 年底前达成量产目标仍存较大不确定性。