量产

ChainCatcher 消息，三星电子和 SK 海力士计划于明年第二季度开始量产并交付 8 层 HBM4，供应给英伟达。据知情人士透露，英伟达将根据 Rubin Ultra 的 NVL 机架规模配备 8 层 HBM4，预计从明年年中开始，8 层 HBM4 的比例将显著增加。

ChainCatcher 消息，蓝思科技表示，东莞松山湖园区的 AI 服务器相关产能已完成扩充，液冷散热模组、高端精密机柜及高速光互联配套组件通过北美头部算力厂商验证并取得规模订单，正进入量产爬坡阶段。公司还通过收购布局光通信及精密金属加工能力，以满足 AI 服务器需求。

ChainCatcher 消息，马斯克表示，Gibbons Creek 的 Terafab 项目目标是在 2028 年第三季度左右实现芯片量产，预计 2027 年 5 月或 6 月实现首款测试芯片正常运行。

ChainCatcher 消息，特斯拉 CEO 埃隆·马斯克 10 月 13 日在社交平台 X 上表示：一旦中国掌握某类产品的制造方法，其扩大生产规模的能力往往超过世界其他地区之和。他以锂电池和太阳能为例，称中国在这些领域已展现出这一特点。该言论是在回应一条关于内存厂商长鑫存储的讨论。发帖人 Melvin 认为，长鑫已是不可忽视的竞争对手，但新技术能否稳定实现大规模量产，仍取决于良率、成本和可靠性。他同时表示，内存需求仍在增长，产能增加并不意味着市场会立即供过于求。谈及内存，马斯克称，大约三年前内存仍属于利润率较低的大宗商品，LPDDR5 和 LPDDR6 按共同标准设计，中国似乎正在迅速解决相关技术问题。马斯克还指出，新一代高带宽内存架构更难攻克。另一类难题是在逻辑芯片下方放置一层 SRAM，并在上方将 RAM 进行三维堆叠，同时解决逻辑芯片的散热问题。凤凰网科技援引公开信息称，9 月 7 日，长鑫存储宣布 LPDDR6 已量产，并首次商用于小米 18 Fold，容量为 16 GB，符合 JEDEC 的 LPDDR6 标准。随后，长鑫宣布第五代 DRAM 工艺平台实现量产，并推出两款基于该平台的 LPDDR5X 产品，面向智能手机和便携式消费电子设备，单颗裸片容量较上一代同类产品提升 50%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正加快平泽第五园区（P5）首条量产线（Ph1）建设，并与主要设备厂商讨论将 Ph1 设备搬入目标从原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投产为目标的下一代半导体生产基地，今年三季度已开始建设 Ph1 洁净室。三星电子此前已将原定明年初完成的 P5 Ph1 洁净室建设提前约 6 个月，设备导入因此预计在明年三季度左右。业内人士称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前后；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付设备、由其他地点暂存，显示其提前投资意愿较强。P5 第二阶段（Ph2）投资讨论也在推进。目前 Ph1 更可能建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。设备业人士称，正式采购订单尚未下达，但三星已与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线，并因设备交付周期较长，要求提前备妥相关零部件。报道称，全球大型科技公司增加 AI 基础设施用高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业产能有限。三星在 7 月二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延至明年，明年供应短缺将比今年更严重，并预计短缺将持续至 2028 年。

ChainCatcher 消息，台积电 2 奈米 N2 量产，半导体先进制程由 FinFET 跨入 GAA 世代。法人指出，随制程复杂度、CMP 道数、晶圆监控频率及材料规格同步提升，设备、CMP 耗材、再生晶圆及先进材料需求增加，中砂、昇阳半、新应材、颂胜等供应链迎成长契机。台积电 N2 采 nanosheet GAA，相较 N3E，在相同功耗下效能可提升 10%～15%，或相同速度下降低 25%～30% 功耗，芯片密度提高逾 15%。中砂最大客户钻石碟业务中，先进制程占比达 63%，N3、N2 各占 22%，1.4 奈米亦已小量出货；N3 进入 N2 后，CMP 内容价值提高 10%～15%。昇阳半 2026 年底再生晶圆月产能调整为 110 万～120 万片，2026 年资本支出预算达 48.2 亿元，预估 2025～2029 年再生晶圆扩产年复合成长率达 25%～30%。新应材 Rinse、BARC 及 EBR 三项核心产品出货可望随 N2 产能爬坡逐季走高，颂胜上半年半导体营收占比达 66%、年增约 25%，台积电相关营收年增约 170%。

ChainCatcher 消息，在 2026 世界制造业大会上，存储芯片厂商长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米。第五代工艺平台的存储密度有大幅提升，同等条件下每张晶圆产出较上一代平台提升 50% 以上。基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已进入正式量产，并进入国产主流旗舰手机。

ChainCatcher 消息，特斯拉团队于 9 月 16 日抵达宁波，并于 9 月 17 日启动新一轮针对机器人业务的量产审厂。此次审厂旨在配合审查 Optimus 机器人的量产独家性和一致性，计划在 2026 年下线约 5 万台 Optimus 机器人。

ChainCatcher 消息，美光展示全球首款面向服务器的 512GB DDR5 RDIMM 内存模组，运行速度最高达 9200 MT/s。AMD 与 Intel 正在针对未来平台进行验证。该模组通过硅通孔垂直堆叠 DRAM 芯片实现容量，配备 24 个模组的服务器内存可达 12 TB。单个 512GB 模组额定功耗为 16W，四个 128GB 模组合计功耗为 44.2W，降幅超过 60%。美光称，在 Spark SVM 内存密集型分析场景中，相较 256GB DDR5 性能最高提升 1.4 倍。该产品延续美光今年早些时候送样的 256GB DDR5 RDIMM（同样最高 9200 MT/s，采用 1-gamma DRAM 与 3D 堆叠），计划 2027 年量产，尚未公布定价。

ChainCatcher 消息，美光科技（MU.O）表示，公司已实现 512GB DDR5 内存模块里程碑，并预计 512GB DDR5 RDIMM 将在 2027 年下半年进入大规模量产。

ChainCatcher 消息，中科管理局 9 日证实，台积电中科扩建二期 1.4 纳米建厂全面加速。第一座 P1 厂目前已完成钢构结构体，预计明年 4 月即可试机，明年下半年可望量产，较原订 2028 年量产进度超前。台积电已向中科管理局提出申请，在基地建置两座临时办公室，预计明年 4 月同步完工，首批将有 5400 余名营运及外包人员进驻。台积电中科二期园区先进制程新厂去年 10 月动工，规划兴建四座 1.4 纳米厂，近 2000 名工人日夜赶工。P1 厂正进行楼板与外墙施工，明年初完成厂房建设。P2 厂已展开基础厂房建设，将于明年 10 月完工，两座厂房有望明年陆续量产。P3 厂已取得建照，P4 厂正申请建照中，计划以半年落差建置，P3 预计 2028 年第 2 季完工，P4 订同年第 4 季完工。P2 厂明年下半年完工后将再增加 1000 名营运人员，整个二期四座新厂全数完工投产预计总员工数在 9000 至 1 万人。

ChainCatcher 消息，台积电 9 月 8 日宣布，将从 2030 年起在量产中采用荷兰 ASML 制造的极端紫外线（EUV）光刻装置新型“高 NA”机。双方同日还表示，将开展行业横断的高 NA 机改良工作。ASML 垄断供应用于形成纳米级超微细电路的 EUV 光刻机，并于 2023 年 12 月起开始出货可描绘更细电路的高 NA 机。英特尔已引入高 NA 机，台积电此前因成本高等原因推迟量产采用。台积电与 ASML 将启动行业横断项目，把作为电路原版的光掩模从目前的 6 英寸（约 15 厘米）方形大型化为 12 英寸方形，并开发对应大型掩模的高 NA 机及相关部件。计划于 2031 年前设立大型掩模试制产线，2033 年前使对应大型掩模的高 NA 机达到可投入先进半导体生产的状态。主要半导体制造商及掩模企业等已对参与表示兴趣。高 NA 机可描绘更细电路，但单次可描绘面积减为传统机型的一半，绘制大型芯片电路时需分多次曝光，工序复杂、成本上升。通过光掩模大型化可扩大曝光面积、降低成本。台积电董事长兼首席执行官魏哲家当日表示，将汇集全行业专业知识，持续推进使先进技术可广泛使用的技术创新，并传递其益处。

ChainCatcher 消息，据彭博社报道，瑞银集团分析师预计，未来十年内中国半导体制造能力可能难以取得足够快的进展，从而开发出能够真正替代阿斯麦尖端 EUV 光刻技术的方案。瑞银分析师在报告中写道，“他们目前所处的阶段似乎与阿斯麦在 2004 年时相当”，从专利申请活动来看，尤其是在光源和激光子系统领域，中国当前技术成熟度大致相当于阿斯麦开始大规模生产 EUV 设备前 15 年的水平。 瑞银同时预计，中国有望在未来两到五年内具备浸没式 DUV 光刻机的大规模量产能力。浸没式 DUV 虽不如 EUV 先进，但仍是芯片制造不可或缺的设备。阿斯麦浸没式 DUV 售价近 9000 万美元，EUV 设备每台超 2 亿美元。中国是阿斯麦最大市场之一，但受出口限制，阿斯麦被禁止向中国出售 EUV 设备。瑞银指出，考虑到良率和产能差距及监管限制，中国光刻设备不太可能在境外得到应用。阿斯麦发言人对置评请求未作回应。该报道基于瑞银分析师的预测观点，实际进展以产业动态为准。

ChainCatcher 消息，小鹏集团董事长何小鹏在2026半年财报会上表示，人形机器人IRON计划从今年底开始进入规模量产，并从小鹏门店和园区落地商业场景。2027年IRON将正式上市，面向零售和服务业外部客户，在中国和海外规模交付，明年月产能可迅速提升至数千台。他自今年6月起兼任机器人业务CEO，整合汽车供应链、车规级制造、全球化布局及图灵AI芯片等资源，推动量产与商业化。当日小鹏宣布人形机器人业务获超9亿美元首轮融资，投后估值超63亿美元。IDG领投，高榕创投、腾讯、阿里巴巴等认购6亿美元，小鹏集团及何小鹏等高层控制主体认购3亿美元。何小鹏认为高阶通用机器人技术门槛至少是智能汽车的20倍，单台全生命周期收入和毛利将大幅高于汽车，期望量产后带来可观毛利并支持物理AI研发。搭载第二代VLA的前装量产Robotaxi已在广州完成超2000次内测订单，小鹏已完成云端接管平台开发，目标明年实现无安全员载客运营。汽车业务上半年总收入327.8亿元，交付16.60万辆，毛利率20.6%；预计三季度交付11.5万至12.1万辆，总收入217亿至234亿元。

ChainCatcher 消息，英伟达高级总监 Dion Harris 当地时间周一宣布，Groq 3 LPX 机架已进入全面量产阶段，并将部署在新型云服务商 Nebius 的数据中心，预计今年晚些时候上线。此举标志着英伟达去年 12 月与 Groq 达成约 200 亿美元技术授权交易后所获技术正式实现商业化，多位 Groq 核心员工已加入英伟达，创始人 Jonathan Ross 担任英伟达首席软件架构师。英伟达正加速生产 Groq 芯片并向客户提供产品，凸显低延迟推理的重要性。今年 3 月发布的 Groq 3 LPX 为 Vera Rubin 平台推理加速器，架构在芯片裸片上集成 500 兆字节高速 SRAM，以减少内存瓶颈。每个 LPX 机架可整合 256 颗 Groq 3，英伟达援引基准测试称每秒可处理 3400 个 token；该芯片由三星制造。Harris 表示，低延迟芯片并非取代 GPU，而是针对工作负载不同环节使用合适处理器，云服务商可对延迟敏感用户提供更高收费套餐。英伟达 CEO 黄仁勋计划将面向编程应用的数据中心空间约四分之一分配给 Groq 芯片，其余部分采用 Vera Rubin 系统，并预计到 2027 年 Blackwell 与 Vera Rubin 累计销售额达 1 万亿美元。

ChainCatcher 消息，据 Liberty Times 等媒体报道，台积电已完成 angstrom 级 A16（1.6nm）制程的开发与验证，预计将于 2026 年第四季度进入大规模量产。该工艺采用台积电背面供电网络技术 Super Power Rail（SPR），将信号布线与电源布线分离，电源位于晶圆背面，以减少瓶颈。与 2nm 工艺相比，A16 据称可提升 8% 至 10% 的计算速度，降低 15% 至 20% 的能耗，并提高 8% 至 10% 的芯片密度。台积电将 1.6nm 工艺视为迈向 1.4nm 的过渡步骤，目标是在 2028 年开始 1.4nm 量产。

ChainCatcher 消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子正调整其器兴园区 NRD-K 2 号产线的原定用途，从研发设施改为晶圆代工产线，主要目标产品为英伟达 HBM 所需的 2nm 基础芯片。该产线预计将于 2028 年下半年启用，采用“Send-Fab”模式，即从其他量产线接收晶圆并代工特定工序。 NRD-K 是三星电子为抢占未来半导体技术而建设的最尖端复合研发园区，总投资约 20 万亿韩元，共规划 3 条产线，其中第 1 条已于 2024 年底竣工。此次调整旨在提前应对 AI 基础设施投资带动的 HBM 需求扩张。三星计划在定制 HBM 及 HBM5 上率先应用 2nm 工艺以保持性能优势。 业内人士指出，NRD-K 2 号线规模相对较小，适合以 Send-Fab 形式运作。但距离产线启用仍有约两年时间，最终用途仍可能根据市场形势再次调整。三星此前曾考虑将该产线用于 DRAM 生产，相关计划在本月被修改后，DRAM 产能将更集中于平泽园区。设备采购订单尚未正式发出。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，英伟达下一代 AI 平台 Feynman 的量产时间目标锁定在 2028 年下半年，将采用台积电 A16 制程，并导入 SoIC 3D 堆叠及 CPO 技术。Rubin 世代以多颗小芯片与 HBM 整合为主，Feynman 则进一步向 3D 小芯片、SoIC 及 CPO 方向发展。报道指出，台积电正加速推进相关产能建设，原规划 2026 年底 SoIC 月产能达 2 万片，目前最新目标已上调至 2027 年底达 5 万片。 台积电嘉义 AP7 与南科 AP8 的建厂进度同步加快，其中 AP7 共规划 8 个阶段，P1、P2 已进入装机，P3、P4 已取得建照，P5 至 P8 持续规划中。该厂除量产苹果专用的 WMCM 外，后续将依客户需求配置 SoIC、CoPoS 及 CPO 相关产线。英伟达已将研发与供应链资源快速转向 Feynman 平台，台积电先进封装订单外溢效应持续扩大，矽品已成为承接英伟达 CoWoS 与 CPO 订单的主力封测厂。英伟达 Feynman 平台的 NVLink 互连带宽预计突破 1 PB/s，较 Rubin Ultra 的 520 TB/s 进一步提升。台积电的 COUPE 技术通过 SoIC 将 EIC 与 PIC 进行 3D 整合形成光引擎，将光电转换由传统电路板推进至封装架构内部。2026 年以来，英伟达已投入超 400 亿美元布局 AI 生态，涵盖模型、晶圆制造、数据中心及光通讯等领域。

ChainCatcher 消息，据台湾媒体报道，英特尔下一代先进封装技术 EMIB-T 正面临严峻的良率挑战。ABF 载板供应商欣兴电子（Unimicron）在 7 月 29 日的财报电话会上表示，该技术“尚未成熟”，三家 EMIB-T 载板供应商（欣兴、揖斐电、新光电气）在 2027 年底首批量产阶段的良率目标仅为 50%。 EMIB-T 是英特尔对标台积电 CoWoS-L 的先进封装方案，区别在于将硅桥直接嵌入载板而非使用硅中介层，使载板供应商成为决定成败的关键环节。谷歌第九代 TPU 已确定在 2028 年量产时采用 EMIB-T 封装，联发科负责芯片协同设计，该芯片若成功量产，出货量有望挑战英伟达。欣兴电子表示，客户（英特尔）已提供利润保证机制，即便良率不佳仍能确保供应商盈利，50% 良率目标实现后利润率将高于公司平均水平。目前 EMIB-T 能否在 2027 年底前达成量产目标仍存较大不确定性。