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first_img SK 海力士部分 HBM4 后道设备订单或延至明年

ChainCatcher 消息,据 DealSite 报道,存储芯片厂商 SK 海力士在扩大第六代高带宽内存 HBM4 量产的同时,部分后道设备业内人士认为扩产速度慢于预期,今年计划追加的部分设备订单可能推迟至明年。设备业人士称,原定今年下半年交付的部分设备出现延后迹象,后续订单计划也尚未明确。有匿名人士表示,部分原计划今年投入的设备或改至明年,已交付设备是否满负荷运转也尚无数据确认。明年 HBM4 相关投资计划尚未具体传达给部分合作方,今年订单已大体完成,但未见明确的增减投资信号。报道称,设备投资日程与产品质量问题之间的直接关联尚未得到确认。大信证券研究员柳亨根认为,主要客户 HBM4 质量问题导致业绩低于预期的担忧过度,后道环节或曾出现部分问题,但难以视为无法解决的风险,也尚未到讨论不良赔偿的阶段。另有业内说法称,在通用内存价格上涨背景下,部分 HBM 投资或转向通用内存。SK 海力士计划优先向龙仁集群 Y1 晶圆厂首个洁净室导入 DRAM 生产设备,业界预计初期产线采用第六代 10 纳米级 1c 工艺,新增产能将优先分配给通用 DRAM。也有观点认为,仅凭部分后道设备日程变化,尚不足以判断 HBM4 量产受阻,SK 海力士已向主要客户供应 HBM4 16 层样品。
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