分析：1b DRAM 單位面積價值超台積電 2 納米

ChainCatcher 消息，半導體分析機構 Kernel Insight：人工智慧需求推動 DRAM 價格維持歷史高位，最新工藝 DRAM 的單位面積銷售價值已高於台積電 N2、N3 晶圓價格。該機構將台積電 300 毫米 N3 晶圓價格估為 2 萬美元、N2 為 3 萬美元，折合名義價格分別約為每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未計入邊際損耗、切割損耗及良率與缺陷。

按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度計算，1y DRAM 為每平方毫米 0.329 美元，1z 為 0.410 美元，1b 為 0.654 美元，較 N2 高出 50% 以上。10 奈米級工藝按 1y、1z、1a、1b 的順序逐步微縮。上述每 Gb 價格假設接近現貨，DRAMeXchange 數據顯示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 晶片平均成交價為 24.80 美元，約合每 Gb 1.55 美元。

比較口徑存在差異。台積電數字是客戶支付的晶圓代工價格，DRAM 數字是成品銷售的總銷售潛力，且未計入先進封裝成本；台積電實際供貨價會隨訂單量與合約變化。DRAM 指標基於小額現貨價格，不同於三星電子、SK 海力士、美光營收主體的長期合約價格。非公開固定交易價格近期走強，若尚未完全反映到現貨價格，儲存廠商晶圓單位價格的領先幅度可能更大。