三星電子擬於 2027 年初完成 3D Cube-H 開發

ChainCatcher 消息，三星電子計劃於 2027 年初完成先進封裝技術 3D Cube-H 的開發，並完成首個設計套件，隨後與潛在客戶啟動評估。該技術基於混合鍵合實現晶片垂直堆疊，主要面向高性能 AI 半導體，可用於堆疊 GPU 等邏輯晶片，或在 HBM 等儲存晶片上整合邏輯晶片。

三星電子此前已開發採用熱壓鍵合技術的 3D Cube-T，目前正推進端子間距約 6 微米的 3D Cube-H，熱壓鍵合晶片的最小端子間距約為 25 微米。混合鍵合通過直接連接晶片間的銅材料，可縮小端子間距、提高連接密度，並降低每比特能耗，其散熱特性也有別於熱壓鍵合方案。