BTC $81,560.31 -3.48%
ETH $2,395.94 -4.61%
BNB $730.16 -2.53%
XRP $1.32 -4.30%
SOL $104.55 -3.55%
TRX $0.3302 -0.44%
DOGE $0.0791 -5.11%
ADA $0.2137 -6.60%
BCH $274.45 -5.20%
LINK $11.97 -5.63%
HYPE $78.20 -3.94%
AAVE $146.97 -7.33%
SUI $0.9788 -6.70%
XLM $0.1765 -5.02%
ZEC $1,232.76 -7.93%
AAPL $345.85 +0.36%
AMZN $253.17 -3.51%
GOOGL $328.30 -1.53%
MSFT $525.62 -1.22%
META $658.04 -7.51%
NVDA $213.74 -3.10%
TSLA $382.01 -1.27%
SNDK $1,286.52 -6.97%
INTC $87.73 -5.40%
SPCX $150.59 -7.64%
MU $871.51 -4.61%
AMD $514.58 -6.61%
BTC $81,560.31 -3.48%
ETH $2,395.94 -4.61%
BNB $730.16 -2.53%
XRP $1.32 -4.30%
SOL $104.55 -3.55%
TRX $0.3302 -0.44%
DOGE $0.0791 -5.11%
ADA $0.2137 -6.60%
BCH $274.45 -5.20%
LINK $11.97 -5.63%
HYPE $78.20 -3.94%
AAVE $146.97 -7.33%
SUI $0.9788 -6.70%
XLM $0.1765 -5.02%
ZEC $1,232.76 -7.93%
AAPL $345.85 +0.36%
AMZN $253.17 -3.51%
GOOGL $328.30 -1.53%
MSFT $525.62 -1.22%
META $658.04 -7.51%
NVDA $213.74 -3.10%
TSLA $382.01 -1.27%
SNDK $1,286.52 -6.97%
INTC $87.73 -5.40%
SPCX $150.59 -7.64%
MU $871.51 -4.61%
AMD $514.58 -6.61%

euv

Все
Статьи
Новости

first_img ASML опубликует отчет за третий квартал, рынок ожидает, что прибыль почти удвоится

Голландская полупроводниковая компания ASML ожидает публикацию финансового отчета за 3-й квартал 14 октября. В связи с растущим спросом на AI-чипы, рынок ожидает значительного увеличения выручки и прибыли по сравнению с аналогичным периодом 2025 года. Аналитики Уолл-стрит прогнозируют выручку за 3-й квартал в 11,73 миллиарда евро, что на 55% больше по сравнению с прошлым годом; прибыль на акцию составит 10,76 евро, что почти вдвое больше по сравнению с 5,49 евро за 3-й квартал 2025 года.Выручка ASML за 2-й квартал составила 9,3 миллиарда евро, что выше 7,7 миллиарда евро за аналогичный период 2025 года, чистая прибыль увеличилась с 2,3 миллиарда евро до 2,9 миллиарда евро. Компания прогнозирует выручку за 3-й квартал в диапазоне от 11 до 12 миллиардов евро, валовую маржу от 55% до 57%, а также повысила прогноз по выручке за весь год до 43-45 миллиардов евро.ASML является единственным в мире производителем коммерчески доступного оборудования для экстремального ультрафиолетового литографирования, на оборудование которого полагаются такие компании, как TSMC, Intel и Samsung для производства современных AI-процессоров. Компания также разрабатывает следующее поколение High-NA EUV. Intel уже использовала это оборудование для обработки более 1 миллиона пластин в исследованиях, тестировании и производстве, а Samsung планирует ввести его в массовое производство современных DRAM в 2028 году. Рынок ожидает, что ASML планирует увеличить мощность существующих систем EUV примерно на 30% к 2027 году.

first_img Taiwan Semiconductor Manufacturing Company начнет массовое производство с использованием высоконапорных EUV-литографических машин ASML с 2030 года

9 сентября TSMC объявила, что с 2030 года начнет массовое производство с использованием нового типа "высокой NA" установки для экстремального ультрафиолетового (EUV) литографического оборудования, произведенного голландской компанией ASML. Обе стороны также сообщили, что начнут работы по улучшению высоких NA машин в рамках межотраслевого проекта. ASML монополизировала поставки EUV-литографов, используемых для формирования наноразмерных сверхтонких схем, и с декабря 2023 года начнет поставки высоких NA машин, способных рисовать более тонкие схемы. Intel уже внедрила высокие NA машины, в то время как TSMC ранее отложила массовое производство из-за высоких затрат.TSMC и ASML запустят межотраслевой проект, в рамках которого фотомаски, используемые в качестве оригинала схемы, будут увеличены с текущих 6 дюймов (около 15 сантиметров) до 12 дюймов, а также будут разработаны высокие NA машины и соответствующие компоненты для крупных масок. Планируется создать линию опытного производства крупных масок до 2031 года и довести высокие NA машины, соответствующие крупным маскам, до состояния, пригодного для производства современных полупроводников, до 2033 года. Основные производители полупроводников и компании по производству масок уже выразили интерес к участию.Высокие NA машины могут рисовать более тонкие схемы, но площадь, которую они могут рисовать за один раз, сокращается до половины по сравнению с традиционными моделями, что требует многократной экспозиции при рисовании схем крупных чипов, усложняя процесс и увеличивая затраты. Увеличение размеров фотомасок может расширить площадь экспозиции и снизить затраты. Председатель и генеральный директор TSMC Уэй Чжецзя заявил в тот день, что будет собирать профессиональные знания всей отрасли, продолжая продвигать технологические инновации, которые сделают современные технологии широко доступными, и передавать их преимущества.

ASML продвигает обновление нового поколения фотолитографических машин, нацеливаясь на рынок чипов для крупных дата-центров

ASML заявила, что планирует сотрудничать со своими основными клиентами для разработки новых решений, способных производить оборудование для производства самых современных чипов, чтобы удовлетворить потребности таких компаний, как NVIDIA, в чипах для крупных центров обработки данных.В настоящее время производимые ASML широко используемые экстремальные ультрафиолетовые (EUV) литографические машины могут производить чипы с максимальной площадью около 800 квадратных миллиметров. Следующее поколение EUV литографических машин с "высокой числовой апертурой", которое ASML собирается выпустить, сможет производить более тонкие чипы. Однако из-за использования масок меньшего размера в настоящее время существует ограничение по площади производимых чипов.ASML планирует продемонстрировать экспериментальную производственную линию с использованием масок большего размера к 2031 году и обеспечить возможность массового производства этой новой технологии к 2033 году.

hot_img UBS: В течение следующих десяти лет Китаю будет трудно разработать оборудование для EUV-литографии, сопоставимое с передовыми технологиями ASML, массовое производство DUV может занять от двух до пяти лет

Согласно сообщению Bloomberg, аналитики UBS ожидают, что в течение следующих десяти лет производственные мощности полупроводников в Китае могут не достичь достаточно быстрого прогресса, чтобы разработать решения, которые действительно смогут заменить передовую технологию EUV литографии от ASML. В отчете аналитики UBS написали: "Текущая стадия, на которой они находятся, кажется, соответствует той, на которой ASML находилась в 2004 году", исходя из активности подачи патентов, особенно в области источников света и лазерных подсистем, текущая технологическая зрелость Китая примерно соответствует уровню, на котором ASML начала массовое производство оборудования EUV за 15 лет до этого.UBS также ожидает, что в течение следующих двух-трех лет Китай сможет наладить массовое производство погружных DUV литографических машин. Хотя погружной DUV не так совершенен, как EUV, он все же является незаменимым оборудованием для производства чипов. Цена на погружной DUV от ASML составляет почти 90 миллионов долларов, в то время как цена на оборудование EUV превышает 200 миллионов долларов за единицу. Китай является одним из крупнейших рынков ASML, но из-за экспортных ограничений ASML запрещено продавать оборудование EUV в Китай. UBS отмечает, что с учетом различий в выходе и производственных мощностях, а также регуляторных ограничений, маловероятно, что китайское литографическое оборудование будет применяться за границей. Представитель ASML не ответил на запрос о комментариях. Этот отчет основан на прогнозах аналитиков UBS, фактический прогресс будет зависеть от динамики отрасли.

hot_img Samsung планирует внедрение технологии High-NA EUV с 1-нм процессом в 2030 году

Сообщение ChainCatcher, команда разработки технологии Foundry исследовательского института полупроводников Samsung Electronics под руководством Пак Чанмина на "Конференции по фотолитографии следующего поколения 2026 года" заявила, что компания планирует начать применение технологии High-NA EUV с процесса 1 нанометр (A10), с целью достижения массового производства около 2030 года. В настоящее время Samsung использует существующую многократную схему паттернизации с 0.33 NA EUV для процессов 2 нанометра и ниже, планируя массовое производство 1.4 нанометра в 2029 году, а затем продвинуться к 1 нанометру.High-NA EUV увеличивает числовую апертуру (NA) объектива с 0.33 до 0.55, обеспечивая более высокое разрешение, что позволяет упростить ранее требуемую многократную паттернизацию сверхтонких процессов до однократной паттернизации, что способствует снижению производственных затрат, повышению производственной эффективности и гибкости дизайна. Однако эта технология имеет высокую сложность, дорогостоящее оборудование и требует синхронного обновления сопутствующих материалов. Пак Чанмин ожидает, что процессы 1.4 нанометра и 1 нанометр по-прежнему будут в основном использовать многократную паттернизацию с 0.33 NA EUV, после чего паттернизация High-NA станет ключевой технологией нового поколения процессов.
app_icon
ChainCatcher Building the Web3 world with innovations.