多重图案化

ChainCatcher 消息，三星电子半导体研究所 Foundry 工艺开发团队朴昌民在“2026 下一代光刻+图案化学术大会”上表示，公司计划从 1 纳米（A10）工艺开始应用 High-NA EUV 技术，目标在 2030 年左右实现量产。三星目前在 2 纳米及以下工艺中仍采用现有 0.33 NA EUV 的多重图案化方案，计划 2029 年量产 1.4 纳米，后续再推进至 1 纳米。 High-NA EUV 将透镜数值孔径（NA）从 0.33 提升至 0.55，分辨率更高，可将原先需多重图案化的超微细工艺简化为单次图案化，有利于降低制造成本、提升生产效率和设计灵活性。但该技术难度高、设备昂贵，且需要配套材料技术同步升级。朴昌民预计 1.4 纳米和 1 纳米工艺仍以 0.33 NA EUV 多重图案化为主流，此后 High-NA 图案化将成为新一代工艺的核心技术。