长鑫

ChainCatcher 消息，市场研究机构 Counterpoint Research 与 TrendForce 于 18 日表示，中国 DRAM 厂商长鑫存储月晶圆产能预计将从目前约 32 万片扩大至 2027 年的 42 万片，一年多时间新增约 10 万片，增幅达 31.3%。行业预计，长鑫存储月 DRAM 晶圆产能到 2028 年底将达到 50 万至 60 万片。若按上限 60 万片计算，较当前水平增加 28 万片，增幅约 87.5%。

ChainCatcher 消息，长鑫科技公告，预计 2026 年前三季度营业收入约为人民币 2650 亿元至 2700 亿元，较上年同期增加 2329.16 亿元至 2379.16 亿元；预计归属于上市公司股东的净利润约为人民币 1310 亿元至 1325 亿元，上年同期亏损 52.8 亿元，同比扭亏为盈。 公司表示，受 AI 算力需求增长、DRAM 行业景气度提升等因素影响，产品供不应求、价格大幅上涨；公司推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，优化运营管理并拓展市场。 此外，公司董事长朱一明提议以 10 亿至 20 亿元回购公司股份，回购股份拟用于员工股权激励、员工持股计划或减少注册资本，相关方案尚需履行审议程序。

ChainCatcher 消息，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）称，其在一种新存储结构上取得关键进展。三星电子与 SK 海力士也在推进同类结构，以提高存储密度。公司总裁曹侃宇在上海一场产业活动上表示，长鑫存储计划在 2026 年底前推出基于该结构的新服务器内存产品，相关说法来自公司声明。该结构为 4F² 设计，即每个存储单元占用面积为 4F²，其中 F 为半导体最小线宽。公司称，这一专有晶体管设计可通过在单颗芯片上容纳更多存储单元来提高存储密度，并改善效率。目前主流商用 DRAM 采用 6F² 单元结构。

ChainCatcher 消息，据链上分析师余烬监测，长鑫存储（长鑫存储）上市前一天建立空单的最大空头已于 10 小时前全部平仓。 该地址以 6.5 美元价格做空，在持仓 2 个月后以 8.5 美元价格平仓，累计亏损 1098 万美元，其中资金费亏损 518 万美元，价格变动亏损 580 万美元。

ChainCatcher 消息，韩国《中央日报》报道，其取得的三星电子部长出身、前长鑫存储（CXMT）设备投资负责人全某的陈述书显示，CXMT 前 CEO 王宁国曾于 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韩国团队，要求带回三星电子工艺配方计划（PRP）及设备信息，并称若不带回将向韩国政府举报，还警告对方有核实人脉、不要说谎。全某称当时感到害怕。报道称，CXMT 管理层当时以“黄山”作为三星电子的代号。全某在三星电子工作 28 年后加入 CXMT，因涉嫌未经授权泄露并使用三星投入 1.6 万亿韩元、当时全球率先开发的 18 纳米 DRAM 工艺被起诉，今年 4 月一审被判 7 年有期徒刑，目前处于二审。PRP 包含 DRAM 制造约 600 个步骤的顺序、设备、条件值及设备公司与型号。三星工艺设计工程师出身的朴某于 2016 年 9 月将相关内容手抄在 12 页笔记中带出，目前处于国际刑警组织红色通报状态。全某在庭审中陈述，与中国方面沟通时出现过做不出 18 纳米就不向 CXMT 提供投资的说法，并称后来得知对方从一开始就想要该技术，CXMT 起初并无自行开发打算。上述施压发生在为申请投资准备会议之前。CXMT 于 2016 年由合肥市政府下属合肥产业投资出资 144 亿人民币设立，约 10 年未盈利，去年首次年度盈利，净利润 71 亿人民币。

ChainCatcher 消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。

ChainCatcher 消息，据 TechPowerUp 报道，中国 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）预计到 2026 年底 DRAM 晶圆月产能约达 35 万片，美光同期预估约 37.5 万片。长鑫存储洁净室建设周期约 12 个月，短于行业通常的 21 至 24 个月。受美国制裁无法获得 EUV，长鑫存储使用较旧的 DUV 光刻及多重图案化技术。该公司已开始出货 16 Gb DDR5 芯片，速度 8000 MT/s，芯片面积 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 单元较 G3 小 20%。24 Gb 模组以约 6000 MT/s 量产，LPDDR5X-10667 模组（12 Gb 和 16 Gb）亦已量产。中国政府正鼓励长鑫存储向 JHICC、Swaysure 及长江存储子公司 XMC 等国内厂商转移 DRAM IP。

ChainCatcher 消息，在 2026 世界制造业大会上，存储芯片厂商长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米。第五代工艺平台的存储密度有大幅提升，同等条件下每张晶圆产出较上一代平台提升 50% 以上。基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已进入正式量产，并进入国产主流旗舰手机。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士报道，长鑫存储 CXMT 正准备进入 NAND 闪存芯片市场，将在核心 DRAM 业务之外扩展，并与三星电子、SK 海力士、美光以及长江存储竞争。长鑫存储计划在北京新工厂建立 NAND 闪存研发生产线，并在北京设立包含 NAND 开发项目的研究院。该公司已与客户讨论相关计划，其中包括一家拟为 AI 系统和超级计算机采购芯片的初创公司。研发线运营或大规模商业制造的时间表尚不明确。全球存储短缺由 AI 服务器需求推动，预计至少持续至 2027 年。制造商优先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 产能增加。长鑫存储 7 月 IPO 募资 579.2 亿元人民币。长江存储于 2022 年被列入实体清单。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲报道，中国芯片制造商长鑫存储（CXMT）在利润率方面已领先全球竞争对手，超越 SK 海力士和美光。该公司利用商品级 DRAM 供应紧张的局面，在第二季度占据优势。长鑫存储的主要产品包括 DDR5 内存，近几个月价格出现上涨。报道称，这一情况出现在由韩国、美国和日本供应商主导的存储芯片行业。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，据《金融时报》援引知情人士报道，中国存储芯片制造商长鑫存储和长江存储均已从阿斯麦采购了足够多的深紫外光刻机（DUV），以满足其未来三年的扩产计划。

ChainCatcher 消息，长鑫科技召开 2026 年半年度业绩说明会。有投资者询问长鑫科技第三季度 DRAM 价格情况，公司高级副总裁、财务负责人黄丹阳认为，展望 2026 年下半年，全球 DRAM 产品供给紧缺格局将延续。

ChainCatcher 消息，长鑫科技召开 2026 年半年度业绩说明会。公司独立董事陈武朝在回复投资者提问时表示，2026 年上半年，全球 DRAM 产品景气度提升，价格上涨。目前，公司仍处于产能扩张和技术升级的关键投入期，需要在保障必要资本开支的前提下逐步为股东创造回报。随着盈利能力持续增强，公司将依法依规适时启动分红方案的论证。

ChainCatcher 消息，据蓝鲸新闻报道，从长鑫科技获悉，字节与中兴联合研发的新一代豆包手机——努比亚 NaviX Ultra，将搭载长鑫最高速率 10667Mbps 的 LPDDR5X 内存。官方表示，这也是国产 10667Mbps 高速 LPDDR5X 内存芯片首次实现量产落地应用。此前消息，努比亚“豆包手机”完成入网备案，9 月将量产上市。

ChainCatcher 消息，长鑫存储于美国东部时间 8 月 28 日向美国国防部提起诉讼。长鑫存储表示，公司向美国哥伦比亚特区地方法院提起诉讼，指控美国国防部错误地将其列入“中国军事企业”清单，该公司 2025 年 1 月被首次列名。长鑫存储不是军事企业，仅研发和生产用于商业及民用领域的 DRAM（动态随机存取存储器）产品，未用于军事用途。

ChainCatcher 消息，长鑫科技发布 2026 年半年度报告，上半年营收 1503.10 亿元，同比增长 873.64%；归母净利润 776.05 亿元，去年同期亏损 23.32 亿元；经营活动现金流净额 1311.56 亿元，同比增长 2985.64%；毛利率 84.84%，研发投入 68.59 亿元，占营收 4.56%。截至报告期末，总资产 4680.78 亿元，净资产 2707.49 亿元。公司是全球第四、中国第一的 DRAM IDM 厂商，产品覆盖 DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6 等，已与阿里云、字节、腾讯、联想、小米、OPPO、vivo 等头部客户合作，第五代工艺技术平台正进行客户认证。截至 6 月 30 日，公司共拥有 4484 项境内专利及 3400 项境外专利，研发人员 7491 人，占比 33.42%。公司无控股股东和实际控制人，第一大股东清辉集电持股 21.67%。公司于 7 月 27 日登陆科创板，发行价 8.66 元/股，上市首日市值突破 3.5 万亿元。

ChainCatcher 消息，据链上分析师余烬监测，随着长鑫科技 (CXMT) 大涨 5% 站上 4 万亿元市值，在长鑫上市前一天做空的最大空军，亏损已经高达 1082 万美元。该鲸鱼已扛单一个月，6.5 美元做空的 290 万股 $CXMT，现在已经 8.6 美元。价格亏损 630 万美元，还有资金费已交 452 万美元。

ChainCatcher 消息，长鑫科技公告，公司首次公开发行股票并在科创板上市的超额配售选择权已全额行使，对应新增发行 10.03 亿股，总股本增至 678.84 亿股。 因行使期内股价均高于发行价 8.66 元/股，中金公司作为本次发行的获授权联席主承销商，未利用本次发行超额配售所获得的资金以竞价交易方式从二级市场买入本次发行的股票。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，长鑫存储与长江存储持续扩张，近期苹果积极寻求导入两家中系记忆体供应链，外界关注其打入苹果供应体系。业界透露，两家厂商实则借苹果证明中国 DRAM 及 NAND Flash 品质已达国际水准，檯面下则透过第三方组装，辗转外销北美新云端（neocloud）业者，扩大云端与企业级市占。长鑫存储母公司长鑫科技已完成人民币 295 亿元募资，长江存储拟 IPO 募资约 330 亿元，用于量产线升级与研发。长江存储 2024 年已转盈，2026 年第一季归母净利达 333.79 亿元；其三期新厂将提前至 2026 年第四季投产，总产能每月 10 万片，其中约 20% 试产 LPDDR，成为其首个 DRAM 据点。供应链称，两家最快有望在 2027 年底至 2028 年将中国本土记忆体自给率提升至 50% 以上。长江存储以 NAND 销往第三方模组厂并组装为企业级 SSD 出货，规避产地敏感；长鑫存储已导入美、加等地中小型云端业者认证。美国民间企业原则上可向两家采购，实体清单主要限制其获取美国技术，并未全面禁止民间采购。云端业者亦透过租用算力或第三方持有资产等方式降低合规风险。业界认为，苹果对产业供需影响力下降，两家并无意大量供货苹果或削价竞争，扩产仍难短期满足苹果在中国市场需求。