Mỹ Ngân: DRAM vẫn giữ vững, NAND đã âm thầm yếu đi, lưu trữ đang phân hóa

Tác giả: Hứa Siêu, Thông tin Phố Wall

Thị trường chip lưu trữ đang chuyển từ "tăng đồng loạt" sang "phân hóa". Bank of America cho rằng, logic tăng giá của DRAM vẫn chưa bị phá vỡ, trong khi giá NAND trên thị trường giao ngay đã rõ ràng lỏng lẻo, sẽ trở thành loại hàng hóa đầu tiên cần được định giá lại trong chu kỳ tăng giá lưu trữ này.

Báo cáo của Bank of America ngày 13 tháng 11 cho thấy, giá NAND giao ngay giảm mạnh, giá wafer 512Gb giảm hơn 10%, 1Tb giảm gần một chữ số giữa, trong khi giá giao ngay 16Gb DDR5 giữ nguyên. Kể từ giữa tháng 10, giá NAND giao ngay đã điều chỉnh khoảng 20%.

Dựa trên điều này, Bank of America duy trì giả thuyết thận trọng về giá bán trung bình của NAND trong quý đầu năm 2027: giá NAND cho IT giảm 5% đến 10% so với quý trước, ứng dụng doanh nghiệp cơ bản giữ nguyên hoặc tăng nhẹ, tổng thể giảm ở mức thấp một chữ số . Sự đánh giá này tạo ra sự khác biệt rõ rệt với thị trường vẫn kỳ vọng giá NAND sẽ tăng hơn 10%. Đồng thời, Bank of America vẫn giả định rằng giá DRAM sẽ tiếp tục tăng đến quý 4 năm 2026 (tăng 8% so với quý trước) và quý đầu năm 2027 (tăng 5%).

Bank of America cho biết, sau khi giao lưu với các nhà đầu tư trong tuần này, tâm lý cổ phiếu lưu trữ đã cải thiện so với tuần trước, các công ty có trọng số DRAM cao được cho là có không gian giảm giá hạn chế. Hầu hết các mã DRAM hiện tại chỉ tương ứng với tỷ lệ P/E từ 3 đến 5 lần lợi nhuận cho năm 2026 đến 2027, rõ ràng thấp hơn so với ngành bán dẫn AI.

Ba tín hiệu yếu của giá NAND giao ngay

Bank of America quy kết những lo ngại về NAND thành ba điểm: giá giao ngay đã điều chỉnh khoảng 20% kể từ giữa tháng 10; đơn đặt hàng từ OEM PC và smartphone cũng như các nhà cung cấp đám mây siêu lớn của Trung Quốc đang yếu đi; và việc đàm phán giá hợp đồng cho quý đầu năm 2027 có thể bị trì hoãn, thị trường không xuất hiện tình trạng đặt hàng gấp.

Dữ liệu giao ngay phân hóa khá rõ ràng. Theo DRAMeXchange, giá giao ngay wafer 512Gb là 14.3 USD, giảm 12% so với tuần trước, giảm 32% so với quý trước, nhưng vẫn tăng 121% so với cùng kỳ năm trước; giá 1Tb là 24.9 USD, giảm 4% so với tuần trước, giảm 19% so với quý trước, tăng 194% so với cùng kỳ năm trước. So với đó, giá 16Gb DDR5 là 60.2 USD, giữ nguyên so với tuần trước, tăng 150% so với cùng kỳ năm trước.

Các nhà sản xuất vẫn nhấn mạnh nhu cầu SSD doanh nghiệp mạnh mẽ, có thể phần nào bù đắp cho sự yếu kém của NAND cho IT. Nhưng Bank of America nhắc nhở, các dây chuyền sản xuất cũ chiếm 20% đến 30% tổng công suất wafer toàn cầu, không phù hợp để sản xuất NAND cao cấp và eSSD, vẫn cần tiếp tục sử dụng cho NAND cho IT, điều này tạo ra áp lực cấu trúc lên giá. Giá mỗi bit của NAND dung lượng lớn (trên 2Tb) và eSSD (trên 30TB) đã giảm nhẹ, nhưng Bank of America cho rằng điều này giống như các nhà sản xuất đang khuyến mãi chủ động để thúc đẩy thế hệ QLC mới ------ giá NAND của hầu hết eSSD vẫn có xu hướng tăng nhẹ.

Điểm khác biệt: Giá hợp đồng vẫn ở mức cao, nhưng đàm phán có thể bị trì hoãn

Giá hợp đồng NAND và giá giao ngay hiện tại đang có xu hướng trái ngược.

Theo TrendForce, giá hợp đồng wafer 1Tb TLC tháng 10 gần như giữ nguyên so với tháng trước, tiếp tục xu hướng đi ngang từ quý 2 đến quý 3; giá hợp đồng 512Gb khoảng 27 USD, gần mức cao lịch sử, gấp mười lần mức thấp 2.5 USD vào tháng 2 năm 2025.

Lo ngại của Bank of America nằm ở thời điểm: nếu hạ nguồn không đặt hàng gấp, việc đàm phán giá hợp đồng cho quý đầu năm 2027 có thể bị lùi lại, khả năng thương lượng của các nhà sản xuất trong vòng đàm phán giá mới sẽ bị suy yếu. Đánh giá này trực tiếp tương ứng với sự khác biệt giữa họ và kỳ vọng của thị trường ------ bên bán thường giả định giá NAND vẫn sẽ tăng khoảng 10%, trong khi Bank of America đưa ra mức giảm thấp một chữ số.

Phía DRAM thì lại là một bức tranh khác. Theo TrendForce, giá hợp đồng 16Gb DDR5 tháng 10 tăng thêm 5% so với tháng trước, mức tăng so với cùng kỳ năm trước vượt quá 500%; giá hợp đồng mô-đun 64GB DDR5 và DDR4 phía máy chủ tháng 10 tăng khoảng 15% so với tháng trước, giá mô-đun đã vượt qua 1000 USD, lần lượt đạt 1600 USD và 1500 USD. Bank of America do đó duy trì giả thuyết rằng giá DRAM sẽ tăng 8% so với quý trước trong quý 4 năm 2026 và tăng 5% trong quý đầu năm 2027.

Samsung: HBM lạc quan, nhưng không quá quyết liệt

Bank of America đã tổ chức một cuộc giao lưu với các nhà đầu tư của Samsung Electronics vào ngày 12 tháng 11, ba điểm chính được đưa ra là: Nhu cầu chip trung tâm dữ liệu AI của Mỹ mạnh mẽ, mặc dù có lo ngại nhưng không thấy đơn hàng bị cắt giảm; vị thế thị trường HBM đã cải thiện rõ rệt so với một năm trước; giá hợp đồng dài hạn (LTA) của mảng DRAM đang tăng mạnh, giá cao và lợi nhuận cao có thể duy trì trong thời gian dài.

Nhưng phát biểu của ban quản lý không quá quyết liệt, đây cũng là một trong những điểm mà các nhà đầu tư quan tâm. Samsung đưa ra mục tiêu thị phần HBM khoảng 30% đến 40%, chứ không phải trên 50%; ngay cả đến cuối năm 2027, khả năng sinh lời của LPDDR5 vẫn tốt hơn HBM, do đó việc mở rộng công suất HBM khó có thể quá quyết liệt để tránh xâm phạm thị phần của DRAM truyền thống. Về mặt công nghệ, HBM4e sẽ sử dụng cùng một nút 1c và chip logic 4nm với HBM4. Bank of America cũng đề cập rằng mức tăng giá hợp đồng vào năm 2027 khó có thể đạt được mức dự kiến của TrendForce, vì giá đã tăng trước vào năm 2026.

Cần lưu ý rằng, hướng dẫn của Samsung về NAND cho IT không lạc quan như eSSD, điều này nhất quán với đánh giá giá của Bank of America.

Tâm lý hồi phục, định giá vẫn là hỗ trợ chính

Cổ phiếu lưu trữ đã phục hồi trong tuần này, mức tăng tích lũy trong năm thường trên 100%, SanDisk và Kioxia từ đầu năm đến nay đã mang lại lợi nhuận trên 250%. Bank of America cho biết, các nhà đầu tư giao lưu trong tuần này thường đề cập rằng không gian giảm giá hạn chế, lý do là đơn hàng chip AIDC sau cuộc bầu cử giữa kỳ ở Mỹ vẫn giữ được sức bền, giá DRAM vẫn đang tăng (so với NAND) và tỷ lệ định giá tương đối thấp.

Bảng định giá cho thấy, SK Hynix tương ứng với tỷ lệ P/E 3.6 lần cho năm 2026, Samsung là 4.7 lần, Micron là 10.7 lần, Nanya là 5.1 lần; trong nhóm NAND, Sandisk tương ứng với tỷ lệ P/E 4.3 lần cho năm 2027, Western Digital là 13.2 lần, SIMO là 16.4 lần, Phison là 7.7 lần. Bank of America cho rằng, so với ngành bán dẫn AI, định giá của lĩnh vực lưu trữ vẫn có vẻ nhẹ nhàng.

Bank of America tổng kết rằng, cung cầu và xu hướng giá của DRAM vẫn được hỗ trợ bởi việc các trung tâm dữ liệu AI và HBM chiếm dụng công suất, trong khi quyền định giá của NAND đang nghiêng về phía người mua. Sự khác biệt về định giá và độ đàn hồi của hiệu suất giữa hai bên sẽ phụ thuộc vào việc đàm phán giá hợp đồng cho quý đầu năm 2027 có thể diễn ra đúng thời hạn hay không.