三星電子高管：預計明年 HBM 將占 DRAM 晶圓產能近三成

ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。

TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。

TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。