三星

ChainCatcher 消息，据韓媒報導，三星電子已就明年存儲供應簽署長期協議，覆蓋比例約為 75% 至 80%，其中包括高帶寬內存。報導稱，三星電子已與英偉達、谷歌、微軟等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士與美光也在加快鎖定供應量，並與主要客戶簽署一系列大規模長期合同。三星電機據稱接近與台灣電力電子公司台達電子簽署價值 7000 億韓元的長期協議，用於供應多層陶瓷電容器。

ChainCatcher 消息，IT之家援引 Money Today 10 月 8 日報導，三星電子移動體驗（MX）部門已計劃削減智慧型手機產量，2026 年第四季度產量最高降幅達 30%。多家 IT 行業知情人士稱，三星 MX 部門已通知多家合作夥伴，要求將產品供應量減少 20% 至 30%。IT之家註明，原文未明確這 30% 是環比、同比，還是與此前預期產量對比。產量方面，三星電子原計劃依托 Galaxy Z Fold8 等新產品，全年生產高達 2.7 億部智慧型手機。第四季度大幅削減後，全年最終產量預計降至 2 億部出頭，降幅超出市場原先預期。IDC 數據顯示，今年第一、二季度智慧型手機出貨量分別為 6240 萬部和 6270 萬部，此前預測第三、四季度出貨量分別為 5900 萬部和 5200 萬部，第四季度較第三季度下降約 12%。Money Today 報導稱，內存價格上漲是減產的核心驅動因素。TrendForce 數據顯示，今年第二季度智慧型手機低功耗 DRAM（LPDDR5X）12GB 規格售價為 145 至 146 美元，較去年同期上漲 175%。報導還稱，人工智慧需求推高儲存器價格，預計第三季度智慧型手機 DRAM 價格將再漲約 20%，最高可達 180 美元。IT 行業人士稱，當前三星手機銷售已無利潤，減產是維持整體盈利的策略。

ChainCatcher 消息，据 The Block 報導，三星於 10 月 7 日宣布，Samsung Wallet 和 Samsung Pay 將支持 Solana 上的 USDC 轉帳，用於跨境匯款，自 10 月最後一週起覆蓋 8200 萬台美國 Galaxy 設備。該功能內置於 Samsung Wallet，包含法幣提現與充值通道，而非獨立加密應用。用戶可將 USDC 發送至兼容的外部錢包，Solana 和 Sui 的基礎設施在後台運行，底層框架與美國持牌穩定幣托管方 Bastion 合作。三星不收取轉帳費用，收款錢包或交易所可能收費。該錢包還支持向 60 多個國家的合格銀行賬戶轉帳，以收款人本地貨幣到賬。Coinbase 將通過 Coinbase Prime 托管 Samsung Wallet 中的 USDC。三星計劃在符合當地監管要求的前提下將該服務擴展至更多市場。

ChainCatcher 消息，AMD 董事長兼首席執行官蘇姿豐於 10 月 7 日下午約 4 時 44 分抵達首爾三星電子瑞草辦公樓，與設備解決方案部門負責人全永鉉副會長會面，距上次訪韓約 7 個月。AMD 計算與圖形集團負責人 Jack Huynh、副總裁 Joseph Macri 隨行。蘇姿豐表示，雙方將討論更廣泛的夥伴關係，並稱三星方面有許多合作夥伴；被問及是否會見李在鎔時，她表示不便透露。訪三星前，蘇姿豐出席首爾 AMD 玩家日，將三星與 SK 海力士稱為核心供應鏈夥伴，並稱因人工智慧需求上升正在規劃長期供應鏈。她表示，新一代 MI455 與 Helios 系統已開始出貨且均採用 HBM4，獲兩家支持，HBM 合作不會止於一代。報導稱，Instinct MI455X 搭載 432GB HBM4，較前代 MI355X 的 288GB HBM3E 增加 50%。她稱內存供應非常緊張，正與客戶優化用量並要求夥伴擴大生產。TrendForce 於上月 29 日預測，HBM 與普通 DRAM 共用有限先進製程產能，供應緊張或延續至明年。報導稱，雙方今年 3 月簽署以 HBM4 與下一代 DDR5 供應為中心的諒解備忘錄，將三星定為 MI455X 用 HBM4 主要供應商，並討論由三星代工生產 AMD 下一代產品。全永鉉當時表示，三星可同時提供內存、代工與封裝。

ChainCatcher 消息，三星電子公布三季度初步業績，營業利潤較去年同期飆升 783%，環比增 20.01%，略超分析師預期。人工智慧晶片需求激增推動內存業務盈利增長。三星預計 Q3 營業利潤為 107.4 萬億韓元（約合 801.7 億美元），營收為 195 萬億韓元，同比增 127%。

ChainCatcher 消息，三星電子公布三季度初步業績，第三季度營業利潤為 107.4 萬億韓元，市場預期為 106.1 萬億韓元；第三季度營收為 195 萬億韓元，市場預期為 199 萬億韓元。

ChainCatcher 消息，据韓國經濟日報報導，三星電子的下一代高帶寬內存 "12 層 HBM4E" 產品已通過英偉達及主要超大規模數據中心運營商的質量驗證。

ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，韓國《中央日報》報導，其取得的三星電子部長出身、前長鑫存儲（CXMT）設備投資負責人全某的陳述書顯示，CXMT 前 CEO 王寧國曾於 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韓國團隊，要求帶回三星電子工藝配方計畫（PRP）及設備資訊，並稱若不帶回將向韓國政府舉報，還警告對方有核實人脈、不要說謊。全某稱當時感到害怕。報導稱，CXMT 管理層當時以"黃山"作為三星電子的代號。全某在三星電子工作 28 年後加入 CXMT，因涉嫌未經授權洩露並使用三星投入 1.6 萬億韓元、當時全球率先開發的 18 奈米 DRAM 工藝被起訴，今年 4 月一審被判 7 年有期徒刑，目前處於二審。PRP 包含 DRAM 製造約 600 個步驟的順序、設備、條件值及設備公司與型號。三星工藝設計工程師出身的朴某於 2016 年 9 月將相關內容手抄在 12 頁筆記中帶出，目前處於國際刑警組織紅色通報狀態。全某在庭審中陳述，與中國方面溝通時出現過做不出 18 奈米就不向 CXMT 提供投資的說法，並稱後來得知對方從一開始就想要該技術，CXMT 起初並無自行開發打算。上述施壓發生在為申請投資準備會議之前。CXMT 於 2016 年由合肥市政府下屬合肥產業投資出資 144 億人民幣設立，約 10 年未盈利，去年首次年度盈利，淨利潤 71 億人民幣。

ChainCatcher 消息，据華爾街日報報導，三星向由 KKR 和英偉達支持的人工智慧基礎設施公司 Helix Digital 投資 10 億美元，該投資將使 Helix Digital 的總資本承諾額超過 110 億美元。

ChainCatcher 消息，英偉達首席執行官黃仁勳將於當地時間 9 月 28 日在紐約再度會晤三星電子會長李在鎔、SK 集團會長崔泰源，距三人 7 月在舊金山會面約兩個月。據 27 日商界消息人士，李在鎔與崔泰源計劃出席當日晚 6 點在紐約舉辦的韓國協會年度晚宴，黃仁勳將作為本年度范弗利特獎得主出席，三星電子正在推進與英偉達的相關合作。業界關注的議題包括高帶寬記憶體。消息稱，三星電子設備解決方案事業部副會長全永鉉曾在黃仁勳 6 月訪韓期間與其會面，雙方探討 HBM4E、HBM5 等下一代高帶寬記憶體的長期合作。紐約會晤還可能涉及晶圓代工服務與先進封裝，6 月會談中也討論了下一代晶圓代工合作。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 報導，三星電子調整下一代 DRAM 策略，將此前以項目形式開發的 B1b 納入正式路線圖，並命名為首款 10 奈米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶體管 DRAM，現該產品被單獨歸類為 D0a-V。此次更名是為加快在通用 DRAM 中導入先進封裝。B1b 將儲存單元與周邊驅動電路分別在不同晶圓上製造後再鍵合，採用晶圓對晶圓混合鍵合，通過銅互連直接連接。目前已商用 DRAM 為 1c，即第 6 代 10 奈米級、線寬約 11 至 12 奈米；下一代 1d 為第 7 代 10 奈米級、線寬約 10 至 11 奈米，被視為事實上最後的 10 奈米級產品，相關線寬屬於行銷用語而非實際物理尺寸。垂直晶體管可將單元內晶體管垂直佈置，把單元面積從 6F² 縮至 4F²，但需應對高深寬比刻蝕和漏電流，開發難度較高。晶圓對晶圓混合鍵合已在 CMOS 圖像感測器和高堆疊 NAND 中量產應用。三星電子正評估將 B1b 用於第 8 代高帶寬記憶體 HBM5。HBM5 預計約 2029 年量產，目標是較 HBM4E 將運行速度提高 50% 以上。業界估計，基於 B1b 的 D0a DRAM 最快約兩年後商用，具體量產投資日程或於明年年中確定。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日報導，三星電子因 HBM 市場增長正推進晶圓代工先進製程產能擴張，為應對 HBM4 基座晶片需求上升正在評估 4 奈米製程擴產。三星 HBM4 由 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 核心晶片與 4 奈米邏輯基座晶片組成，基座晶片負責與 GPU 等 AI 加速器高速交換數據。與 SK 海力士採用台積電 12 奈米不同，三星對 HBM4 基座晶片使用自有 4 奈米製程。該產線已滿負荷運轉並承接英偉達 Groq 3 LPU 等訂單，公司近期上調了 4 奈米新訂單及 HBM4 基座晶片報價。三星預計第三季度 HBM4 營收環比增逾 3 倍，下半年 HBM 營收中 HBM4 占比將明顯高於 60%。平澤 P4 追加擴產大部分將用於 HBM 用 1c DRAM，晶圓代工 4 奈米產能一半以上已分配給 HBM4 基座晶片。HBM4E 同樣採用 4 奈米基座晶片，三星已於 5 月向客戶提供樣品。公司還在評估為 HBM5 建設 2 奈米新產線，目標以 GAA 結構 2 奈米製程並提高 TSV 密度，使運行速度較 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年啟動 2 奈米第一代量產，今年下半年推進第二代產品。花旗預計明年全球 HBM 比特需求達 752 億 Gb、同比增 62%，供應約 594 億 Gb、缺口約 21%；

ChainCatcher 消息，据 Digital Asset 報導，全球支付公司 Stripe 已在 React Native SDK 0.75.0 版本中，為其加密資產法幣購買服務 Crypto Onramp 新增 Android 端 Samsung Pay 支持，涵蓋支付配置、可用性檢查、支付方式收集及整合範例。使用 React Native 開發的 Android 應用可接入 Samsung Pay，讓用戶透過該支付方式使用法幣購買加密資產。此前，該服務已支持信用卡、借記卡、Apple Pay、Google Pay 及 ACH 銀行轉帳等支付方式。

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星電子計劃明年將第六代高帶寬存儲器 HBM4 與第七代 HBM4E 等 HBM4 系列產量較今年至少擴大一倍以上。該公司擬將 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃載體外協清洗量，由今年每月 2 萬片增至明年每月 5 萬片，較今年增加 2.5 倍。去年該載體月需求約 1 萬片，今年已較去年翻倍。三星電子重點擴產的 HBM4 與 HBM4E 以 12 層及以上高堆疊產品為主。該公司今年 2 月開始量產出貨採用第六代 10 奈米級（1c）DRAM 與 4 奈米工藝基底芯片的 HBM4，5 月向英偉達等客戶提供 HBM4E 12 層樣品。業界預計，以月均晶圓投入計，三星電子 HBM 產能將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片，增幅近 40%；HBM4 系列出貨占比或由今年約 40% 升至明年約 80%。

ChainCatcher 消息，三星電子上月聘用前財政經濟部外匯制度課長李熙坤為 IR 團隊常務。李熙坤曾擔任外匯制度課長、資金市場政策課長等職，負責外匯制度及海外投資應對，今年 4 月參與韓國納入世界國債指數工作並獲特別表彰，預計負責海外投資者及全球資本市場應對。SK 海力士上月聘用前財政經濟部戰略經濟總括課長鄭汝珍為傳播總括下屬副社長。鄭汝珍曾任氣候環境預算課長、經濟副總理秘書官、外匯制度課長、外匯資金課長等職。兩家公司正推進美國生產投資，三星電子計畫投入 370 億美元在德克薩斯州泰勒建設晶圓代工廠，SK 海力士計畫投入 40 億美元在印第安納州建設先進封裝工廠。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士報導，長鑫存儲 CXMT 正準備進入 NAND 閃存芯片市場，將在核心 DRAM 業務之外擴展，並與三星電子、SK 海力士、美光以及長江存儲競爭。長鑫存儲計劃在北京新工廠建立 NAND 閃存研發生產線，並在北京設立包含 NAND 開發項目的研究院。該公司已與客戶討論相關計劃，其中包括一家擬為 AI 系統和超級計算機採購芯片的初創公司。研發線運營或大規模商業製造的時間表尚不明確。全球存儲短缺由 AI 伺服器需求推動，預計至少持續至 2027 年。製造商優先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 產能增加。長鑫存儲 7 月 IPO 募資 579.2 億元人民幣。長江存儲於 2022 年被列入實體清單。

ChainCatcher 消息，三星電子在美國德克薩斯州泰勒的代工廠開始為特斯拉提供 AI5 晶片的原型生產。由於 AI 晶片需求激增，三星提前了原型產量以進行良率驗證，計劃今年年底完成大規模生產驗證，並於明年全面供應。

ChainCatcher 消息，美國國際貿易委員會（ITC）當地時間 9 月 16 日宣布，已對某些配備特定音頻技術的電子設備展開專利侵權調查。調查對象包括三星電子及其美國子公司、蘋果公司和谷歌公司。啟動調查本身不構成專利侵權認定。該調查基於 BoomCloud 360 Inc. 於 8 月 14 日提交、8 月 31 日補充的投訴。投訴方指控相關設備在進口美國並銷售時侵犯其專利，違反 1930 年關稅法第 337 條，並請求 ITC 發布有限排除令和停止令。案件將交由行政法官審理並舉行證據聽證會，作出是否違反第 337 條的初步裁定，再經 ITC 審查後作出最終決定。ITC 將在立案後 45 天內設定完成調查的目標日期。救濟命令發布即生效，並在 60 天後成為最終命令，除非美國貿易代表在 60 天內以政策理由否決。