hbm

ChainCatcher 消息，据彭博社報導，因與員工工會的勞資糾紛持續，美光科技已基本暫停在中國台灣地區桃園建設新存儲芯片工廠的計劃，項目投資預算為 30 億至 45 億美元，原定於 2028 年投產。知情人士稱，美光擔憂此前與工會達成的協議可能被推翻，目前僅保留少量場地安全維護工作，之後將凍結施工。此次糾紛源於員工要求分享 AI 熱潮帶來的利潤增長。桃園工會要求美光將 15% 的營業利潤分配給全球員工，並希望獲得全現金獎勵，而非部分以股票形式發放。儘管美光已於 10 月與規模較大的台中工會達成協議，但部分員工對協議條款不滿，桃園工會正嘗試擴大組織規模，以推動重新談判。該項目原計劃生產高帶寬內存 HBM 和 DRAM，採用阿斯麥先進設備。中國台灣地區目前貢獻美光約 60% 的 DRAM 產量，也是其重要的 HBM 生產基地，擁有約 1.5 萬名員工。美光回應稱，公司在中國台灣地區的現有運營一切正常，將確保客戶業務連續性，但未直接評論桃園項目暫停一事。中國台灣地區經濟部門表示，政府將協助美光與工會解決分歧，推動投資計劃落實。

ChainCatcher 消息，韓國證券公司 Meritz Securities 指出，儲存晶片廠商目前收到的 2027 至 2028 年訂單遠超產能，即使美國民主黨在中期選舉中取得優勢，導致部分數據中心項目延期或調整，也不太可能從根本上改變儲存晶片供應短缺的局面。Meritz 表示，今年儲存晶片訂單交付率（可供應產能與訂單量之比）一直維持在 80% 至 85% 的較低水平，推動儲存晶片售價大幅上漲。預計 2027 年供需缺口將進一步擴大，訂單交付率可能降至約 80%。OpenAI CEO Sam Altman 近期訪問韓國期間，曾要求 SK hynix 和 Samsung Electronics 提供 2027 至 2030 年的 HBM 等定制化儲存產品，需求規模甚至超過兩家公司的可供應產能。社區用戶 Teng Yan 補充稱，三星在 10 月 29 日與 Meritz 的電話會議中表示，已有 10 家大型客戶簽署多年期儲存供應協議，另有同等數量的客戶正在洽談。儲存需求客戶也已從雲服務巨頭和 AI 伺服器廠商擴展至更多領域。因此，美國數據中心審批放緩僅會影響部分訂單，難以改變整體供需緊張格局。

ChainCatcher 消息，《The Information》調查韓國高端存儲晶片走私鏈，並採訪到一名 20 多歲的深圳經銷商。他原本在晶片公司工作，靠積累的人脈轉行做晶片黑市生意，入行僅 3 年，如今已一身名牌，每天忙著給買賣雙方牽線。美國從 2024 年底開始限制向中國出口先進高帶寬存儲器 HBM，但規則留下漏洞：HBM 單獨出口受到限制，若與處理器封裝在一起，就可能改按處理器算力判斷是否觸及管制紅線。一名 40 多歲的走私商控制了一家晶片設計公司，專門設計便宜且性能較差的伺服器處理器。這些晶片少有人購買，卻被用作採購韓國高端 HBM 的幌子。封裝廠把三星、SK 海力士的 HBM 與這些處理器裝在同一塊基板上，按低性能處理器類別申報出口。貨物經香港進入中國內地後，工坊再加熱拆下 HBM，廉價處理器則被丟棄，拆卸稍有不慎就可能把存儲器弄壞。一疊 HBM3E 在中國黑市的價格，一年前還只有幾百美元，如今已漲到約 4000 美元。一顆 AI 晶片通常需要 6 至 8 疊，僅存儲器就要花費 2.4 萬至 3.2 萬美元。部分存儲器最終流向華為客戶。華為下一代昇騰 960DT 計劃於 2027 年第一季度推出，但國內 HBM 供應不足，華為已要求部分客戶自行採購存儲器。模仿者增多後，上述負責從韓國採購晶片的走私商打算明年賣掉公司控股權，擔心路線擴散後引來韓國和美國監管部門嚴查。

ChainCatcher 消息，SK 集團董事長崔泰元於 31 日與 OpenAI 首席執行官奧爾特曼共進午餐。業內人士透露，雙方探討了人工智慧業務的合作事宜。儘管雙方會談的具體內容尚未公開，但據推測，他們探討了在高帶寬記憶體（HBM）供應和下一代人工智慧基礎設施開發等方面的合作途徑。SK 集團一直與 OpenAI 保持著密切的合作關係，包括作為其大型人工智慧基礎設施專案「星際之門」（Stargate）的關鍵合作夥伴。

ChainCatcher 消息，SK 海力士將於週二美股盤後公布 2026 年第三季度財報，並同步披露新的股東回報方案。市場關注高帶寬儲存器 HBM 需求、盈利表現，以及是否推出大規模特別股息。三星電子、日本鎧俠等儲存廠商也將陸續公布業績。AI 基礎設施需求推動儲存晶片景氣度上行。KB 證券分析師估計，韓國兩大儲存晶片廠商明年計劃生產的儲存器中，超過 70% 已被與大型科技公司簽訂的五年期供應協議覆蓋。市場開始擔憂 AI 資本支出回報及融資成本，投資者更關注訂單質量、未來需求持續性和擴產節奏。韓國媒體此前報導，SK 海力士考慮發放約 16 萬億韓元（約 120 億美元）特別股息；另有報導稱新增股東回報最高可能達 60 萬億韓元（約 450 億美元）。上述金額均未獲公司正式確認。SK 海力士此前已宣布回購並註銷價值 40 萬億韓元的庫存股，並計劃將 2025 年至 2027 年自由現金流的 50% 以上用於股東回報。

ChainCatcher 消息，加拿大皇家銀行資本市場（RBC Capital）發布研報稱，人工智慧需求持續超過供給，高帶寬記憶體（HBM）價格上漲有望支撐整體 DRAM 平均銷售價格，儲存晶片廠商 SK 海力士將持續受益於儲存晶片上行週期。報告指出，2027 年 HBM 價格可能上漲 80% 到 100%。RBC 認為，DRAM 上行週期在已持續 14 個季度的基礎上還將再持續五個季度，供應緊張預計持續到 2027 年。RBC 預計 SK 海力士第三季度業績將略高於市場共識，營收料達 101.2 萬兆韓元，調整後每份美國存託憑證收益為 8917 韓元（約合 6.72 美元）。三季度 DRAM 合約價環比上漲 20%，四季度可能再漲 15%。RBC 重申"跑贏大盤"評級，目標價 200 美元，較最新收盤價高出約 40%。美股市場上，SK 海力士股價週一大漲逾 4%，報 142.62 美元。野村證券近日表示，儲存晶片短缺將持續至 2028 年，維持三星電子和 SK 海力士"買入"評級，目標價分別為 67 萬韓元和 470 萬韓元。韓國 KB 證券週一表示，兩家企業市盈率已降至約 3 倍。本週三 SK 海力士將發布第三季度財報，據 FnGuide 調查，分析師預計營收 98.2 萬兆韓元、營業利潤 77 萬兆韓元。據媒體報導，公司正考慮派發約 16 萬兆韓元特別股息。

ChainCatcher 消息，三星電子和 SK 海力士計劃於明年第二季度開始量產並交付 8 層 HBM4，供應給英偉達。據知情人士透露，英偉達將根據 Rubin Ultra 的 NVL 機架規模配備 8 層 HBM4，預計從明年年中開始，8 層 HBM4 的比例將顯著增加。

ChainCatcher 消息，据《科創板日報》報導，韓國儲存晶片企業 SK 海力士與三星電子將於本週分別公布 2026 年第三季度業績，SK 海力士定於週三發布，三星電子定於週四發布。報導稱，隨 AI 晶片需求上漲及儲存晶片價格走高，兩家公司有望交出較強業績，三季度合計營業利潤預計達 184.4 萬兆韓元，約合 1391 億美元。三星電子 10 月 8 日公布的初步業績顯示，第三季度營收同比增長 127%，達 195 萬兆韓元；營業利潤 107.4 萬兆韓元，約合 801.7 億美元，上年同期為 12.17 萬兆韓元，增長近 8 倍。據 FnGuide 調查的分析師預計，SK 海力士第三季度營收 98.2 萬兆韓元，營業利潤 77 萬兆韓元。2025 年三星與 SK 海力士營業利潤分別為 43.6 萬兆韓元和 47.2 萬兆韓元，合計 90.8 萬兆韓元。若預測成真，三星將成為首家季度營業利潤突破 100 萬兆韓元的韓國企業。截至 10 月 23 日收盤，三星和 SK 海力士股價分別較 6 月底下跌 36% 和 52%。報導稱，投資者將亮眼財報視為預期之內，關注焦點包括 HBM4 供應、長期協議和股東回報。TrendForce 預測明年 HBM 銷售均價將較今年上漲 121%，三星和 SK 海力士明年產量已售罄。二季度財報中，三星披露與五家數據中心客戶簽訂長期協議，SK 海力士與十餘家客戶敲定多年期合同。三星今年公布 90 萬兆至 110 萬兆韓元股東回報計劃，並將在本月底確定約 30 萬兆韓元的三季度現金分紅。SK 海力士 8 月公布 40 萬兆韓元回購計劃，並停止推進 Solidigm 上市評估。KB 證券負責人 Kim Dong-won 稱，儘管股價大幅回調，兩家盈利預期已被上調，股票重估的關鍵催化劑預計是盈利增長的可持續性以及股東回報力度能否進一步加大。

ChainCatcher 消息，据科創板日報，英偉達首席執行官黃仁勳周四在柏林 GTC 大會期間接受媒體採訪時表示，到 2029 年出現內存供應過剩的可能性不大。他說，內存很棒的一點是永遠可以用得更多，並稱 HBM 未來數年會持續得到應用。黃仁勳還表示，英偉達是全球首家將手機中使用的 LPDDR 內存引入數據中心的公司，這使其能效達到目前全球任何方案的兩倍，因此將繼續大量使用這類內存。他上周四稱，客戶對 AI 芯片的訂購需求持續超過公司供應能力，新訂單幾乎每周、甚至每天都在湧入。過去一周，存儲芯片股因市場擔憂供應過剩和需求疲軟而遭遇拋售。韓國一家知名媒體上周發表專欄，援引兩位專家稱，預計到 2029 年半導體將出現大量新增供應，存儲芯片市場可能變成紅海。周四納斯達克綜合指數收跌 2.6%，報 26008.86 點；閃迪跌 8.51%，SK 海力士跌 8.07%，希捷科技跌 7.86%，西部數據跌 6.43%，美光科技跌 6.23%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 20 日援引半導體業界報導，已被英偉達實質收購的 AI 晶片公司 Groq 正推進在下一代晶片中引入 DRAM 三維堆疊封裝，以替代速度快但容量較小的 SRAM 方案。Groq 由前谷歌 TPU 設計者 Jonathan Ross 於 2016 年創立，報導稱該公司去年被英偉達以迂迴方式收購。報導稱，Groq 正在評估的方案為 3DS，即通過矽通孔把 DRAM 晶片垂直連接的高容量封裝。三維封裝可將多顆裸片垂直堆疊並作為一顆晶片工作，相較平面方案縮小面積、提高電力效率。3DS 與 HBM 都使用矽通孔，但 HBM 側重傳輸速度，3DS 維持既有 DRAM 接口並聚焦容量擴張。匿名業界人士表示，Groq 計劃在下一代晶片採用三維封裝，堆疊的是 DRAM 而非 SRAM；另一名人士稱，市場需求轉向更大容量晶片，Groq 因此選擇在容量上更有優勢的 DRAM。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，美光科技（Micron）台灣桃園工會於 10 月 20 日宣布，計劃於本週四發起罷工，以抗議員工獎金與利潤分享方案爭議，並聲援正在與公司進行調解談判的台中工會。目前，桃園工會與美光的調解已於 9 月破裂，前者於 10 月初獲得成員罷工授權。台中工會代表美光在台灣規模最大的運營部門，目前仍在與公司談判，尚未就是否罷工進行投票。美光在台灣擁有約 15,000 名員工，主要生產 AI 伺服器關鍵組件 DRAM 和高帶寬記憶體（HBM）。桃園工會未說明罷工具體時長，台灣地區領導人賴清德上週呼籲雙方真誠協商。

ChainCatcher 消息，美光科技副總裁李哲在首爾 COEX 舉行的韓國半導體展 SEDEX 2026 上表示，公司正在研發面向物理 AI 的邊緣推理儲存器 EIM。業內預計該產品將於 2028 年下半年量產。美光正研究把 EIM 用於 LPDDR6，以服務自動駕駛、人形機器人等對低功耗 DRAM 的需求，並正與主要客戶討論相關產品。科創板日報報導，EIM 位於 AI 晶片與記憶體之間，做法是把 LPDDR 堆疊在邏輯晶片上，以高速處理推理數據，計算架構尚未完全公開。李哲稱，目前機器人 AI 模型約 10 億至 20 億參數，帶寬需求不高；更先進的視覺語言模型出現後，僅靠 LPDDR 不夠，HBM 最終會用於人形機器人。美光預計，未來高性能人形機器人約需 200 GB DRAM 和 4 TB 儲存，目前服務型機器人約為 12 GB DRAM 和 256 GB 儲存。美光 CEO 桑賈伊·梅洛特拉稱，人形機器人單機儲存容量是普通 L2+ 乘用車的約 10 倍，儲存行業或從 2030 年前後進入持續數十年的需求增長，原因包括需同步處理上百路傳感器數據，並在本地運行大模型做毫秒級控制。Counterpoint Research 預計，全球人形機器人 DRAM 需求將從今年約 8300 Tbit 增至 2030 年約 17.2 萬 Tbit。

ChainCatcher 消息，英偉達已要求三星電子、SK 海力士和美光科技採用台積電 3nm 製程的基底裸片為其生產 NVHBM，核心裸片則採用第六代 DRAM 技術。三星電子已決定接受英偉達的技術要求，但對涉及客戶的事項不予評論。

ChainCatcher 消息，三星電子將採用台積電的 3 奈米製程，為英偉達生產下一代定制 HBM 晶片基底裸片。這是三星首次在 HBM 製造階段與台積電合作。英偉達要求三星、SK 海力士和美光科技採用台積電工藝製造 NVHBM 基底裸片，並使用第六代 DRAM 技術。三星計劃繼續自主生產標準 HBM 和其他客戶的定制產品。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 報導，儲存晶片廠商 SK 海力士在擴大第六代高帶寬記憶體 HBM4 量產的同時，部分後道設備業內人士認為擴產速度慢於預期，今年計畫追加的部分設備訂單可能推遲至明年。設備業人士稱，原定今年下半年交付的部分設備出現延後跡象，後續訂單計畫也尚未明確。有匿名人士表示，部分原計畫今年投入的設備或改至明年，已交付設備是否滿負荷運轉也尚無數據確認。明年 HBM4 相關投資計畫尚未具體傳達給部分合作方，今年訂單已大體完成，但未見明確的增減投資信號。報導稱，設備投資日程與產品品質問題之間的直接關聯尚未得到確認。大信證券研究員柳亨根認為，主要客戶 HBM4 品質問題導致業績低於預期的擔憂過度，後道環節或曾出現部分問題，但難以視為無法解決的風險，也尚未到討論不良賠償的階段。另有業內說法稱，在通用記憶體價格上漲背景下，部分 HBM 投資或轉向通用記憶體。SK 海力士計畫優先向龍仁集群 Y1 晶圓廠首個潔淨室導入 DRAM 生產設備，業界預計初期產線採用第六代 10 奈米級 1c 工藝，新增產能將優先分配給通用 DRAM。也有觀點認為，僅憑部分後道設備日程變化，尚不足以判斷 HBM4 量產受阻，SK 海力士已向主要客戶供應 HBM4 16 層樣品。

ChainCatcher 消息，X 账号 pequityresearch 發文稱，彭博旗下研究機構彭博情報預計，高帶寬記憶體市場規模到 2030 年將達到 6410 億美元，高於此前 2600 億美元的預測。該帳號援引的預測還顯示，彭博情報預計 HBM3E 與 HBM4 價格將在 2027 年上漲 30% 至 45%，高帶寬記憶體平均價格將從 2026 年的 15.46 美元升至 2030 年的 34.94 美元。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 報導，隨著 AI 封裝容納更多計算與存儲晶片，連接計算晶片與 HBM 的中介層預計大幅變大，下一代 HBM 散熱更重要。三星電子正準備多項技術，應對計劃於明年開始量產的 HBM4E 散熱挑戰。當前 AI 中介層面積已約為 EUV 光刻機單次曝光最大面積 858 平方毫米的 5.5 倍。半導體設備業人士預計，承載 HBM 的中介層可能擴大到該面積的 9 倍、12 倍，最終約 40 倍。原因包括製程微縮受限和 chiplet 式 2.5D 封裝普及，單一先進製程晶片難以滿足 AI 計算力需求，多個計算 chiplet 與 HBM 堆疊被放在同一中介層上。三星考慮混合銅鍵合與熱路徑塊。前者以銅對銅直接連接取代堆疊 DRAM 晶粒間的微凸點，可縮小層間間隙、使堆疊更薄並改善散熱，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。熱路徑塊在 HBM 基底晶粒負責與 GPU 高速傳輸的 D2D PHY 區域建立專用熱路徑，三星正用 HBM4E 驗證，並計劃在 HBM5 導入。據 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在熱量集中的 D2D PHY 周圍放置高導熱但電絕緣的冷卻材料，預計可將熱阻降低約 30%。

ChainCatcher 消息，据韓媒報導，三星電子已就明年存儲供應簽署長期協議，覆蓋比例約為 75% 至 80%，其中包括高帶寬內存。報導稱，三星電子已與英偉達、谷歌、微軟等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士與美光也在加快鎖定供應量，並與主要客戶簽署一系列大規模長期合同。三星電機據稱接近與台灣電力電子公司台達電子簽署價值 7000 億韓元的長期協議，用於供應多層陶瓷電容器。