晶圓廠

ChainCatcher 消息，据工商時報報導，台積電為推進 1.4 奈米（A14）先進製程，加速中科四廠建廠。截至 2026 年 9 月上旬，中科二期 P1 廠工程進度順利，預計 2027 年 4 月完工並進入設備進駐與試產；P2 廠同步推進，預計 2027 年底前完成與 P1 廠設備調適並達成量產準備。報導稱，中科整體四座 1.4 奈米晶圓廠預計 2028 年第二季全數完工並投入大規模量產。A14 主要預訂客戶包括蘋果、英偉達、超微、高通、聯發科、博通及雲端服務商等，估計屆時每月產能可達 12 萬至 16 萬片 12 吋晶圓，對台積電年營收貢獻估計可達 450 億至 520 億美元。

ChainCatcher 消息，据韓國《文化日報》報導，三星電子美國德克薩斯州泰勒晶圓廠預計本月底前後進入試運行，因特斯拉、博通、Arm 等 2 奈米訂單持續湧入，投產前產能已接近滿載。該廠自 2022 年起累計投資 370 億美元，計劃下月初試運行、明年量產，初期月產能約 5 萬片晶圓，接近台積電約 8 萬片水平。報導稱，泰勒廠將生產特斯拉下一代人工智慧晶片 AI5、博通新一代通信晶片及 Arm 智能設備 AI 晶片等。三星 2 奈米良率由今年初約 60% 升至近期約 80%。公司 6 月已向該廠派遣工藝、設備與良率人員，7 月開始安裝設備。三星在近期業績會上預計今年 2 奈米接單量較去年增加一倍以上，並稱英偉達推理晶片 Grok3 已於上月開始量產；三星近期還將 4 奈米代工價格上調最多 15%。泰勒二廠計劃今年底開工、2030 年量產，三星已要求主要合作商提前完成相關生產設備安全認證，部分合作商正考慮向當地派遣數十名人員。同期，英特爾上月發行約 200 億美元新股並擴大 2 奈米級 18A 與 1.4 奈米級 14A 投資，日本 Rapidus 上月在北海道完成 2 奈米工廠並進入晶圓試投階段。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 報導，三星電子正加快在美國擴大尖端晶圓代工產能。公司計劃於今年年底啟動德克薩斯州泰勒晶圓廠二期建設，目標 2030 年量產，並已要求主要設備合作夥伴提前獲取 SEMI 認證，以便後續設備導入與出口。SEMI 認證是評估半導體設備安全性的標準，通常為設備出境前的必要程序。泰勒晶圓廠承擔三星最先進代工量產任務。一期目前正進行設備進場與安裝，目標今年年底投產，主力量產工藝為 2 奈米，特斯拉被視為核心客戶。三星在上月二季度業績電話會上表示，為及時響應客戶需求增長，泰勒二期將於今年年底開工。業內人士稱，儘管二期具體規格尚未最終確定，三星代工業務已提前推動相關準備。此前三星曾因客戶不足與市況疲軟多次推遲泰勒一期投資，直至特斯拉於去年三季度與其簽訂約 22.76 萬億韓元代工協議後建設提速。二期實際量產節奏仍將取決於對特斯拉供貨擴大及新增大客戶進展。另有消息稱，三星 E&A 正考慮向當地派遣數十名建設人員。

ChainCatcher 消息，据東亞日報報導，三星電子計劃將京畿道平澤半導體事業場核心項目 P5 1·2 工廠（Fab 5·6）由原有雙層晶圓廠擴大為三層晶圓廠建設，以應對全球人工智慧半導體及儲存器超級週期、最大化提升產能。三星電子近日已提交產業園區計劃變更案，擬將容積率由 350% 上調至最高 490%，該變更須經京畿道知事審查並獲國土交通部產業選址政策審議委員會批准後最終確定。平澤 P5 1·2 工廠為單一標準下全球最大規模半導體工廠，2022 年開工、目標 2030 年完工，將生產高帶寬儲存器（HBM）、高端 DRAM、下一代 V-NAND 及先進代工產品。目前已投產的平澤 P4 採用單棟 4 個潔淨室的雙層結構；若變更獲批，P5 起將配置最多 6 個潔淨室，潔淨室數量與產能有望提升約 1.5 倍。SK 海力士亦計劃將龍仁半導體集群新建晶圓廠全部採用三層結構。市場機構 Counterpoint Research 預計，全球儲存器市場規模有望由去年約 360 萬億韓元增至今年 1500 萬億韓元、明年 2100 萬億韓元。在電力、用水與土地獲取日趨困難的背景下，提高容積率建設三層晶圓廠，成為突破有限空間物理限制並依託既有半導體產業生態的重要路徑。

ChainCatcher 消息，台積電於 8 月 11 日召開董事會，核准資本預算約 294.43 億美元，用於擴充先進製程及先進封裝產能，以應對 AI 與高性能計算帶來的強勁需求。今年 5 月董事會已核准 312.83 億美元，累計全年核准資本預算達 607.26 億美元（約新台幣 1.96 萬億元）。台積電董事長魏哲家此前在 7 月法說會上表示，未來幾年將在台灣持續興建 13 座先進晶圓廠及先進封裝廠，涵蓋高雄、新竹寶山及台南，美國亞利桑那州總投資規模亦增至 2650 億美元。董事會同時核准與索尼半導體解決方案公司成立合資公司，台積電認股上限為 2820 億日元，合資公司位於日本熊本縣合志市，目標 2029 年量產智能手機用下一代影像感測器。此外，董事會核准第二季度每股現金股利 7 元新台幣，除息交易日為 12 月 10 日。台積電將提供符合規定的外資股東以美元收受現金股利的選擇權利。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，長鑫存儲正考慮在北京亦莊建設第二座 12 英寸 DRAM 晶圓廠，並與北京經濟技術開發區及多家國有科技企業洽談融資。公司正尋求至少 6,000 萬元人民幣（約 890 萬美元）支持，但談判仍處早期階段，融資規模與結構可能調整。擬建工廠將位於長鑫存儲現有北京 DRAM 晶圓廠所在地。項目規劃產能和總投資尚未確定，而建設一座可生產先進 DRAM 的晶圓廠通常需要超過 100 億美元。目前，長鑫存儲在合肥運營兩座、北京運營一座 12 英寸 DRAM 晶圓廠，每座月產能約 10 萬片。長鑫存儲還在上海和合肥建設新工廠，相關項目全面投產後，公司月產能可能翻倍至超過 60 萬片。此次擴產正值 AI 基礎設施、數據中心及消費電子需求推動存儲芯片進入上行週期。公司上月完成 86 億美元 IPO，為中國內地規模最大的半導體企業上市融資，上市後股價已上漲 13%。長鑫存儲目前是全球第四大 DRAM 製造商，但三星電子、SK 海力士和美光第一季度合計仍佔據接近 90% 的全球市場份額。北京和上海也在向長鑫存儲提供資金及其他支持，以爭取其擴張帶來的經濟和戰略收益。