長鑫存儲

ChainCatcher 消息，据財聯社，儲存晶片廠商長鑫科技 29 日發布提醒稱，公司近期再次發現有不法分子及非法中介機構，假借"長鑫科技""長鑫集團""長鑫儲存"名義，在網絡平台上散布虛假招聘信息。長鑫科技提醒，請勿下載不明軟體，不點擊陌生連結，不向非官方人員提供個人敏感信息；不參與付費或做任務獲取招聘機會的活動；不輕信非官方社交帳號散布的虛假承諾，以及虛構的崗位地點與薪資等。

ChainCatcher 消息，市場研究機構 Counterpoint Research 與 TrendForce 於 18 日表示，中國 DRAM 廠商長鑫存儲月晶圓產能預計將從目前約 32 萬片擴大至 2027 年的 42 萬片，一年多時間新增約 10 萬片，增幅達 31.3%。行業預計，長鑫存儲月 DRAM 晶圓產能到 2028 年底將達到 50 萬至 60 萬片。若按上限 60 萬片計算，較當前水平增加 28 萬片，增幅約 87.5%。

ChainCatcher 消息，特斯拉 CEO 埃隆·馬斯克 10 月 13 日在社交平台 X 上表示：一旦中國掌握某類產品的製造方法，其擴大生產規模的能力往往超過世界其他地區之和。他以鋰電池和太陽能為例，稱中國在這些領域已展現出這一特點。該言論是在回應一條關於內存廠商長鑫存儲的討論。發帖人 Melvin 認為，長鑫已是不可忽視的競爭對手，但新技術能否穩定實現大規模量產，仍取決於良率、成本和可靠性。他同時表示，內存需求仍在增長，產能增加並不意味著市場會立即供過於求。談及內存，馬斯克稱，大約三年前內存仍屬於利潤率較低的大宗商品，LPDDR5 和 LPDDR6 按共同標準設計，中國似乎正在迅速解決相關技術問題。馬斯克還指出，新一代高帶寬內存架構更難攻克。另一類難題是在邏輯芯片下方放置一層 SRAM，並在上方將 RAM 進行三維堆疊，同時解決邏輯芯片的散熱問題。鳳凰網科技援引公開信息稱，9 月 7 日，長鑫存儲宣布 LPDDR6 已量產，並首次商用於小米 18 Fold，容量為 16 GB，符合 JEDEC 的 LPDDR6 標準。隨後，長鑫宣布第五代 DRAM 工藝平台實現量產，並推出兩款基於該平台的 LPDDR5X 產品，面向智能手機和便攜式消費電子設備，單顆裸片容量較上一代同類產品提升 50%。

ChainCatcher 消息，中國存儲芯片企業長鑫存儲（CXMT）稱，其在一種新存儲結構上取得關鍵進展。三星電子與 SK 海力士也在推進同類結構，以提高存儲密度。公司總裁曹侃宇在上海一場產業活動上表示，長鑫存儲計劃在 2026 年底前推出基於該結構的新伺服器內存產品，相關說法來自公司聲明。該結構為 4F² 設計，即每個存儲單元占用面積為 4F²，其中 F 為半導體最小線寬。公司稱，這一專有晶體管設計可通過在單顆芯片上容納更多存儲單元來提高存儲密度，並改善效率。目前主流商用 DRAM 採用 6F² 單元結構。

ChainCatcher 消息，据鏈上分析師余燼監測，長鑫存儲（長鑫存儲）上市前一天建立空單的最大空頭已於 10 小時前全部平倉。該地址以 6.5 美元價格做空，在持倉 2 個月後以 8.5 美元價格平倉，累計虧損 1098 萬美元，其中資金費虧損 518 萬美元，價格變動虧損 580 萬美元。

ChainCatcher 消息，韓國《中央日報》報導，其取得的三星電子部長出身、前長鑫存儲（CXMT）設備投資負責人全某的陳述書顯示，CXMT 前 CEO 王寧國曾於 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韓國團隊，要求帶回三星電子工藝配方計畫（PRP）及設備資訊，並稱若不帶回將向韓國政府舉報，還警告對方有核實人脈、不要說謊。全某稱當時感到害怕。報導稱，CXMT 管理層當時以"黃山"作為三星電子的代號。全某在三星電子工作 28 年後加入 CXMT，因涉嫌未經授權洩露並使用三星投入 1.6 萬億韓元、當時全球率先開發的 18 奈米 DRAM 工藝被起訴，今年 4 月一審被判 7 年有期徒刑，目前處於二審。PRP 包含 DRAM 製造約 600 個步驟的順序、設備、條件值及設備公司與型號。三星工藝設計工程師出身的朴某於 2016 年 9 月將相關內容手抄在 12 頁筆記中帶出，目前處於國際刑警組織紅色通報狀態。全某在庭審中陳述，與中國方面溝通時出現過做不出 18 奈米就不向 CXMT 提供投資的說法，並稱後來得知對方從一開始就想要該技術，CXMT 起初並無自行開發打算。上述施壓發生在為申請投資準備會議之前。CXMT 於 2016 年由合肥市政府下屬合肥產業投資出資 144 億人民幣設立，約 10 年未盈利，去年首次年度盈利，淨利潤 71 億人民幣。

ChainCatcher 消息，全球儲存器持續嚴重缺貨，AI 及雲端應用推升 DRAM 與 NAND Flash 需求與價格。中國兩大儲存器廠長江儲存與長鑫儲存將打破各占半壁江山的格局。長江儲存跨入 LPDDR5 DRAM 將於 2026 年底試產，長鑫儲存要從 DRAM 搶進 NAND Flash。業界推測兩家最快 2028 年正面交鋒。長江儲存以 Xtacking 技術完成 294 層 3D NAND 開發，三星 2025 年與其達成專利許可協議，從第 10 代 V-NAND 起採用相關專利。長江儲存三期計畫 2026 年底投產，初期約 2.5 萬片 DRAM 產能，2027 年完成爬坡，瞄準 LPDDR5，並規劃後續擴產及 HBM、3D DRAM。長鑫傳出將在北京設置 NAND 研發生產線，估計最快 2028 至 2029 年量產。

ChainCatcher 消息，据 TechPowerUp 报道，中國 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）預計到 2026 年底 DRAM 晶圓月產能約達 35 萬片，美光同期預估約 37.5 萬片。長鑫存儲潔淨室建設週期約 12 個月，短於行業通常的 21 至 24 個月。受美國制裁無法獲得 EUV，長鑫存儲使用較舊的 DUV 光刻及多重圖案化技術。該公司已開始出貨 16 Gb DDR5 晶片，速度 8000 MT/s，晶片面積 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 單元較 G3 小 20%。24 Gb 模組以約 6000 MT/s 量產，LPDDR5X-10667 模組（12 Gb 和 16 Gb）亦已量產。中國政府正鼓勵長鑫存儲向 JHICC、Swaysure 及長江存儲子公司 XMC 等國內廠商轉移 DRAM IP。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士報導，長鑫存儲 CXMT 正準備進入 NAND 閃存芯片市場，將在核心 DRAM 業務之外擴展，並與三星電子、SK 海力士、美光以及長江存儲競爭。長鑫存儲計劃在北京新工廠建立 NAND 閃存研發生產線，並在北京設立包含 NAND 開發項目的研究院。該公司已與客戶討論相關計劃，其中包括一家擬為 AI 系統和超級計算機採購芯片的初創公司。研發線運營或大規模商業製造的時間表尚不明確。全球存儲短缺由 AI 伺服器需求推動，預計至少持續至 2027 年。製造商優先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 產能增加。長鑫存儲 7 月 IPO 募資 579.2 億元人民幣。長江存儲於 2022 年被列入實體清單。

ChainCatcher 消息，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲 CXMT 近日啟動上海新廠合作商設備招標，並推進多地產能擴張。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量產 DRAM，產能估約每月 20 萬片中段，年底或超過每月 30 萬片。CXMT 計劃今年四季度開上海新廠，相關設備招標已啟動。半導體設備業人士稱，該廠擬分兩階段擴建，產能將顯著超過每月 10 萬片。隨後計劃明年上半年開合肥新廠、最早明年下半年開北京新廠，後年上半年再開合肥新廠。設備業人士稱，CXMT 已與多方溝通多地建廠時點。若計劃全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 萬至 8 萬片產能，長期或超每月 60 萬片。三星電子與 SK 海力士 DRAM 產能分別估約每月 70 萬片、60 萬片。

ChainCatcher 消息，据日經亞洲報導，中國芯片製造商長鑫存儲（CXMT）在利潤率方面已領先全球競爭對手，超越 SK 海力士和美光。該公司利用商品級 DRAM 供應緊張的局面，在第二季度佔據優勢。長鑫存儲的主要產品包括 DDR5 記憶體，近幾個月價格出現上漲。報導稱，這一情況出現在由韓國、美國和日本供應商主導的存儲芯片行業。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）已啟動第四代高帶寬存儲器 HBM3 試驗生產，初期良率停滯在 25%，約為量產黃金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量產同類產品，良率超過 90%。長鑫存儲 HBM3 8 層堆疊產品前道工序良率約 30%，後道工序後約 70% 成為最終良品。公司將少量樣品供應給阿里巴巴平頭哥、寒武紀等中國企業並持續改善良率。其 G4（17 奈米級）工藝普通 DRAM 無大問題，但 HBM 用 DRAM 晶片面積更大、電氣規格更嚴格。業界將原因指向矽通孔 TSV 技術成熟度不足。Nomad Semi 分析顯示，三星 HBM2 每晶片 TSV 超 5000 個，SK 海力士 HBM3 超 8000 個，長鑫存儲約 3000 個。與三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，据《金融时报》援引知情人士報導，中國儲存芯片製造商長鑫儲存和長江儲存均已從阿斯麥採購了足夠多的深紫外光刻機（DUV），以滿足其未來三年的擴產計劃。

ChainCatcher 消息，中興努比亞官宣，搭載豆包手機助手的全新量產旗艦努比亞 NaviX Ultra 將於 9 月 16 日正式發布。作為全球首款 AI 智能體手機，該機實現一句話讓手機從需要用戶手動操作的工具進化成能替用戶辦事的智能助手。即日起新品全網預約正式開啟，用戶可通過中興商城、京東、抖音、天貓及各大授權電商平台參與預約。據長鑫存儲和努比亞手機官方微博，努比亞 NaviX Ultra 將搭載長鑫最高速率 10667 Mbps 的 LPDDR5X 內存，這也是國產 10667 Mbps 高速率 LPDDR5X 晶片首次量產應用。

ChainCatcher 消息，長鑫存儲於美國東部時間 8 月 28 日向美國國防部提起訴訟。長鑫存儲表示，公司向美國哥倫比亞特區地方法院提起訴訟，指控美國國防部錯誤地將其列入"中國軍事企業"清單，該公司 2025 年 1 月被首次列名。長鑫存儲不是軍事企業，僅研發和生產用於商業及民用領域的 DRAM（動態隨機存取存儲器）產品，未用於軍事用途。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 報導，長鑫存儲與長江存儲持續擴張，近期蘋果積極尋求導入兩家中系記憶體供應鏈，外界關注其打入蘋果供應體系。業界透露，兩家廠商實則借蘋果證明中國 DRAM 及 NAND Flash 品質已達國際水準，檯面下則透過第三方組裝，輾轉外銷北美新雲端（neocloud）業者，擴大雲端與企業級市佔。長鑫存儲母公司長鑫科技已完成人民幣 295 億元募資，長江存儲擬 IPO 募資約 330 億元，用於量產線升級與研發。長江存儲 2024 年已轉盈，2026 年第一季歸母淨利達 333.79 億元；其三期新廠將提前至 2026 年第四季投產，總產能每月 10 萬片，其中約 20% 試產 LPDDR，成為其首個 DRAM 據點。供應鏈稱，兩家最快有望在 2027 年底至 2028 年將中國本土記憶體自給率提升至 50% 以上。長江存儲以 NAND 銷往第三方模組廠並組裝為企業級 SSD 出貨，規避產地敏感；長鑫存儲已導入美、加等地中小型雲端業者認證。美國民間企業原則上可向兩家採購，實體清單主要限制其獲取美國技術，並未全面禁止民間採購。雲端業者亦透過租用算力或第三方持有資產等方式降低合規風險。業界認為，蘋果對產業供需影響力下降，兩家並無意大量供貨蘋果或削價競爭，擴產仍難短期滿足蘋果在中國市場需求。

ChainCatcher 消息，小米正式發布玄戒 O3 芯片。新一代玄戒 O3 是全球首個支持 LPDDR6 內存芯片的旗艦移動處理器（SoC）。財聯社記者從供應鏈獲悉，國內存儲龍頭長鑫存儲（CXMT）是小米玄戒 O3 的 LPDDR6 內存核心合作夥伴。今年 3 月已有消息稱長鑫 LPDDR6 已向關鍵客戶送樣，8 月初多家媒體報導其接近驗證尾聲。本次隨玄戒 O3 落地，是國產 LPDDR6 芯片產品首次在旗艦級處理器上實現應用，也意味著國產低功耗內存正式跻身全球第一梯隊。

ChainCatcher 消息，据 Gate 資料顯示，長鑫儲存（CXMT）現報 8.256 美元，24 小時漲幅 0.78%。據 CoinGlass 資料，Gate 長鑫儲存（CXMT）持倉量達 662.83 萬美元，位列中心化交易所第一。

ChainCatcher 消息，据官方公告，Bitget 股票永續合約已上線 CXMT（長鑫存儲）。該合約以 USDT 結算，支持最高 20 倍槓桿及 7×24 小時交易。截至目前，Bitget 共支持 273 隻股票永續合約標的。

ChainCatcher 消息，据快科技報導，長鑫存儲 17nm DDR5 晶片良率已突破 90%，與三星同代產品 92% 至 93% 的良率水平僅差約 2 個百分點，技術指標邁入全球第一梯隊。多家主要 PC 廠商已於年中前後完成長鑫 DRAM 晶片認證，並開始在部分筆記本電腦中小批量搭載。不同品牌採用策略差異顯著：戴爾全面禁用長鑫晶片；惠普僅限中國大陸市場使用；宏碁與華碩則將其搭載於面向中國大陸及新興市場的機型。目前長鑫產品對三大內存巨頭的整體市場價格影響仍有限，主要原因在於三星、SK 海力士、美光當前更傾向於供應 LPDDR5，而長鑫現階段戰略重心在於擴大 DDR5 出貨量。PC 企業高管表示，三大廠商佔據全球超 90% DRAM 份額，大規模採用須高度謹慎。當前採用長鑫晶片的機型數量和用量均相當有限。