hbm4

ChainCatcher 消息，三星電子和 SK 海力士計劃於明年第二季度開始量產並交付 8 層 HBM4，供應給英偉達。據知情人士透露，英偉達將根據 Rubin Ultra 的 NVL 機架規模配備 8 層 HBM4，預計從明年年中開始，8 層 HBM4 的比例將顯著增加。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 報導，儲存晶片廠商 SK 海力士在擴大第六代高帶寬記憶體 HBM4 量產的同時，部分後道設備業內人士認為擴產速度慢於預期，今年計畫追加的部分設備訂單可能推遲至明年。設備業人士稱，原定今年下半年交付的部分設備出現延後跡象，後續訂單計畫也尚未明確。有匿名人士表示，部分原計畫今年投入的設備或改至明年，已交付設備是否滿負荷運轉也尚無數據確認。明年 HBM4 相關投資計畫尚未具體傳達給部分合作方，今年訂單已大體完成，但未見明確的增減投資信號。報導稱，設備投資日程與產品品質問題之間的直接關聯尚未得到確認。大信證券研究員柳亨根認為，主要客戶 HBM4 品質問題導致業績低於預期的擔憂過度，後道環節或曾出現部分問題，但難以視為無法解決的風險，也尚未到討論不良賠償的階段。另有業內說法稱，在通用記憶體價格上漲背景下，部分 HBM 投資或轉向通用記憶體。SK 海力士計畫優先向龍仁集群 Y1 晶圓廠首個潔淨室導入 DRAM 生產設備，業界預計初期產線採用第六代 10 奈米級 1c 工藝，新增產能將優先分配給通用 DRAM。也有觀點認為，僅憑部分後道設備日程變化，尚不足以判斷 HBM4 量產受阻，SK 海力士已向主要客戶供應 HBM4 16 層樣品。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 報導，隨著 AI 封裝容納更多計算與存儲晶片，連接計算晶片與 HBM 的中介層預計大幅變大，下一代 HBM 散熱更重要。三星電子正準備多項技術，應對計劃於明年開始量產的 HBM4E 散熱挑戰。當前 AI 中介層面積已約為 EUV 光刻機單次曝光最大面積 858 平方毫米的 5.5 倍。半導體設備業人士預計，承載 HBM 的中介層可能擴大到該面積的 9 倍、12 倍，最終約 40 倍。原因包括製程微縮受限和 chiplet 式 2.5D 封裝普及，單一先進製程晶片難以滿足 AI 計算力需求，多個計算 chiplet 與 HBM 堆疊被放在同一中介層上。三星考慮混合銅鍵合與熱路徑塊。前者以銅對銅直接連接取代堆疊 DRAM 晶粒間的微凸點，可縮小層間間隙、使堆疊更薄並改善散熱，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。熱路徑塊在 HBM 基底晶粒負責與 GPU 高速傳輸的 D2D PHY 區域建立專用熱路徑，三星正用 HBM4E 驗證，並計劃在 HBM5 導入。據 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在熱量集中的 D2D PHY 周圍放置高導熱但電絕緣的冷卻材料，預計可將熱阻降低約 30%。

ChainCatcher 消息，据韓國經濟日報報導，三星電子的下一代高帶寬內存 "12 層 HBM4E" 產品已通過英偉達及主要超大規模數據中心運營商的質量驗證。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日報導，三星電子因 HBM 市場增長正推進晶圓代工先進製程產能擴張，為應對 HBM4 基座晶片需求上升正在評估 4 奈米製程擴產。三星 HBM4 由 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 核心晶片與 4 奈米邏輯基座晶片組成，基座晶片負責與 GPU 等 AI 加速器高速交換數據。與 SK 海力士採用台積電 12 奈米不同，三星對 HBM4 基座晶片使用自有 4 奈米製程。該產線已滿負荷運轉並承接英偉達 Groq 3 LPU 等訂單，公司近期上調了 4 奈米新訂單及 HBM4 基座晶片報價。三星預計第三季度 HBM4 營收環比增逾 3 倍，下半年 HBM 營收中 HBM4 占比將明顯高於 60%。平澤 P4 追加擴產大部分將用於 HBM 用 1c DRAM，晶圓代工 4 奈米產能一半以上已分配給 HBM4 基座晶片。HBM4E 同樣採用 4 奈米基座晶片，三星已於 5 月向客戶提供樣品。公司還在評估為 HBM5 建設 2 奈米新產線，目標以 GAA 結構 2 奈米製程並提高 TSV 密度，使運行速度較 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年啟動 2 奈米第一代量產，今年下半年推進第二代產品。花旗預計明年全球 HBM 比特需求達 752 億 Gb、同比增 62%，供應約 594 億 Gb、缺口約 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星電子計劃明年將第六代高帶寬存儲器 HBM4 與第七代 HBM4E 等 HBM4 系列產量較今年至少擴大一倍以上。該公司擬將 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃載體外協清洗量，由今年每月 2 萬片增至明年每月 5 萬片，較今年增加 2.5 倍。去年該載體月需求約 1 萬片，今年已較去年翻倍。三星電子重點擴產的 HBM4 與 HBM4E 以 12 層及以上高堆疊產品為主。該公司今年 2 月開始量產出貨採用第六代 10 奈米級（1c）DRAM 與 4 奈米工藝基底芯片的 HBM4，5 月向英偉達等客戶提供 HBM4E 12 層樣品。業界預計，以月均晶圓投入計，三星電子 HBM 產能將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片，增幅近 40%；HBM4 系列出貨占比或由今年約 40% 升至明年約 80%。

ChainCatcher 消息，KB 證券 9 月 11 日發布報告指出，三星電子 HBM 市場份額有望從第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益於 HBM4 第三季度銷量環比增長超過三倍，且下半年 HBM4 預計占其 HBM 總銷售額的 60% 以上。三星電子已確立 HBM4 全面量產、向核心客戶供應 HBM4E 樣品、採用 1c 核心裸片與 2 奈米基礎裸片的 HBM5 架構以及下一代 ZHBM 的路線圖。其代工業務方面，4 奈米良率穩定在 80% 以上，2 奈米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 證券分析師 Kim Dong-Won 表示，代工業務自第三季度起有望扭虧為盈，2 奈米良率年內或助其斬獲美國大客戶訂單。

ChainCatcher 消息，三星電子晶圓代工事業部在 4 奈米工藝中，分配給第六代高帶寬儲存器 HBM4 用基底芯片量產的比重最近突破 50%。業界稱，該事業部今年下半年將超過一半的 4 奈米晶圓投入 HBM4 基底芯片製造，以配合向英偉達、博通、AMD 等擴大供應。三星於今年 2 月率先啟動 HBM4 量產出貨，並計劃自第三季度起擴大供應量，自年中起顯著增加相關晶圓投入。該芯片基於三星晶圓代工 4 奈米（SF4）工藝。截至上月，其全部 4 奈米產能中超過 50% 已分配給 HBM4 基底芯片。知情人士稱，三星 4 奈米目前處於滿產，其中 HBM4 基底芯片占比約 50% 至 60%，下半年將維持高占比。三星在平澤 2 廠與 3 廠的晶圓代工產線量產 4 至 7 奈米級工藝，其中 4 奈米產能約每月 3 萬片，據此估算 HBM4 基底芯片相關晶圓投入約每月 1.5 萬片。三星在第二季度業績電話會上表示，預計第三季度 HBM4 營收環比擴大 3 倍以上，下半年 HBM4 營收將超過公司整體 HBM 營收的 60%。

ChainCatcher 消息，据韓國媒體報導，三星電子正配合英偉達 (NVDA.O) 要求開發 8 層第七代高帶寬存儲器（HBM4E），較原計劃的 12 層、16 層方案顯著降低堆疊高度，英偉達提出的速度規格為 17-18Gbps，較三星初期 HBM4E 14.4Gbps 的樣品速度高出約 20%，該產品據報將用於 NVHBM。

ChainCatcher 消息，SemiAnalysis 發布最新一期播客節目，其中指出，SK 海力士和美光在實現最高的 HBM4 速度方面一直面臨挑戰。特別是 SK 海力士不得不重新設計其基礎芯片，導致 HBM4 供應給 NVIDIA Rubin 平台的交付延後。三星目前擁有最好的 HBM4 技術。博通傳統上高度依賴三星為其 HBM 供應。三星在 HBM3E 一代的表現不佳，這對博通的 ASIC 構成了劣勢。然而，現在三星憑藉 HBM4 領先於其競爭對手，這種相同的供應鏈關係已成為 Jalapeño 的優勢。

ChainCatcher 消息，据首爾經濟報導，三星電子正開發符合英偉達要求的 HBM4E（第七代）8 層產品，以搶佔其定制高帶寬存儲器 NVHBM 供應的核心合作夥伴地位。該產品較原計劃的 12 層、16 層降低堆疊高度，英偉達提出的速度規格為 17-18Gbps，較三星初期 HBM4E 樣品速度（14.4Gbps）高出約 20%，將用於英偉達公開的 NVLink 優化規格的 NVHBM。採用 8 層與以往通過增加堆疊層數提升容量的 HBM 競爭邏輯相反，可降低後工序難度與良率壓力，有利於擴大供應，被視為英偉達緩解內存短缺的策略。NVHBM 有望自明年推出的下一代 AI GPU"Rubin Ultra"起應用，該 GPU 將 GPU 間連接規模從 72 個最高擴至 576 個，通過搭載更快 HBM 的數百個 GPU 協同提升整體算力。在定制 HBM 市場，三星相較 SK 海力士、美光更具競爭力，因 NVHBM 需 DRAM 與基於邏輯芯片的基裸片設計生產能力，三星可一體化應對。業界人士稱，三星已在 HBM4 驗證業界最高水平速度，可在速度競爭中發揮優勢。

ChainCatcher 消息，三星電子與 SK 海力士計劃在今年下半年增加對英偉達的 8 層 HBM4 記憶體供應量。此舉受英偉達供應策略影響，旨在保障 HBM 記憶體供應穩定，並兼顧產品發熱量。

ChainCatcher 消息，SemiAnalysis 發文稱，Nvidia Rubin Ultra 將搭載 192GB 的 HBM4 8-hi 內存。這不僅較最初預覽的 1TB HBM 出現大幅下調，甚至低於常規版 Rubin 的 288GB 容量。HBM 配置被削減至原先約五分之一的原因包括：四裸片 Rubin Ultra 方案取消後，cube 數量減至 8 個；堆疊高度由 16-hi 降至 8-hi；並採用使用 24Gb 裸片的 HBM4，而非 32Gb 裸片的 HBM4E。後續或推出 8-hi HBM4E 升級版本。

ChainCatcher 消息，据瑞银对 Vera Rubin 超芯片物料清单（BOM）的分析，內存半導體在該平台總成本中的占比已升至約 62 %，較上一代 Blackwell Ultra（GB300）的 53 % 大幅提升。Vera Rubin 超芯片（含 1 顆 Vera CPU 和 2 顆 Rubin GPU）總成本約 38,902 美元，其中內存相關成本達 24,297 美元。HBM4 成本約 4,943 美元（占總成本 12.7 %），而連接 CPU 的 SOCAMM2 成本約 19,355 美元（占總成本 49.8 %），成為內存成本上升的核心驅動。SOCAMM2 是基於低功耗 DRAM LPDDR5X 的伺服器內存模組，支持單 CPU 最高 1.5TB 容量。Vera Rubin NVL72 機櫃（含 72 顆 Rubin GPU 和 36 顆 Vera CPU）共搭載 74.7TB DRAM，其中 HBM4 為 20.7TB，CPU 用 LPDDR5X 達 54TB，單機櫃的 LPDDR 用量相當於約 4,500 部高端智能手機。不過，受 LPDDR5X 及 HBM4E 供應不確定性影響，英偉達正考慮下調下一代 Rubin Ultra 的 HBM 配置。

ChainCatcher 消息，三星電子發布2026年第二季度財報，營收 171.5 萬億 韓元（約合 1188 億美元 ），同比增長 130% ，環比增長 28% ，創單季歷史新高；營業利潤 89.5 萬億 韓元（約合 620 億美元 ），同比增長 1813.8% ，環比增長 56.4% ，超市場預期約 5% ；淨利潤 71.62 萬億 韓元（約合 496 億美元 ），同比暴增 1299.9% 。每股收益 10849 韓元 ，同比增長 52% 。設備解決方案（DS）部門營收 127.5 萬億 韓元，營業利潤 89.2 萬億 韓元，環比增長 56% ，內存業務受AI伺服器需求驅動，營收和利潤均創歷史新高。HBM4 已量產出貨，HBM4E 樣品已向主要客戶交付。設備體驗（DX）部門營收環比下降 9% ，其中 MX 業務受元器件成本壓力影響，營收 33.2 萬億 韓元，錄得營業虧損 0.7 萬億 韓元。三星預計下半年伺服器 DRAM、eSSD 及 HBM 需求將持續強勁，市場供應偏緊格局將延續，但移動和 PC 端需求可能出現部分放緩。公司將擴大 HBM4、DDR5、SOCAMM2 等高附加值產品銷售，並通過第二代 2nm 工藝量產新移動產品，目標實現代工業務兩位數營收增長。