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first_img SK 海力士稱 3D DRAM 開發可利用代工工藝

ChainCatcher 消息,SK 海力士 9 日表示,下一代儲存器 3D DRAM 半導體開發可利用代工工藝。此前一日,該公司在利川園區 Supex 中心舉行的 2026 SK 海力士未來論壇上,副社長金慶勳、孫浩英提出 3D DRAM 主要技術方向,包括 DRAM 外圍電路採用邏輯代工工藝、最大化數據總線帶寬、超短距離傳輸等。3D DRAM 是將原先平面鋪設的儲存單元垂直堆疊以提高集成度的下一代 DRAM。兩人表示,實現該技術除設計與發熱問題外,還需一並解決微細互連、鍵合、工藝整合等封裝領域難題。隨著前道與後道封裝、代工與儲存器技術邊界趨近,超越既有領域的共同優化將更重要。孫浩英稱,3D 技術正在改變晶圓廠與封裝的技術邊界,需與先進封裝技術創新一起,建立超越既有領域的優化與新協作體系。同主題發表的高麗大學教授申昌煥表示,3D DRAM 不僅是晶片垂直堆疊,更是打破儲存器與邏輯邊界的技術;隨著器件微細化接近極限、系統與儲存器間數據移動帶來的時間與功耗增加,轉向 3D 技術不可避免,並提議以人工智慧聯動材料、器件、封裝、架構四領域的 3D 集成設計框架。SK 海力士社長郭魯正在致辭中稱,過去儲存器市場像比誰跑得更快的直線道路,現在則像時刻變化的彎道,除內部能力外,把握外部環境變化速度與方向並靈活適應也很重要。

first_img 三星先進代工漲價最高15%,AI需求推升產能

ChainCatcher 消息,据路透社援引知情人士報導,三星電子已對部分先進代工服務新訂單提價最高 15%,因 AI 晶片需求激增導致產能緊張。該公司長期在代工領域落後於台積電。中國客戶需求尤為強勁,但三星需優先服務美國客戶並預留部分產能支持自有晶片生產,無法承接全部訂單。受美國先進晶片設備對華出口限制影響,中國企業更依賴海外代工廠,部分中國客戶接受了最大幅度漲價。知情人士稱,三星於 7 月上調 4 奈米(SF4)工藝價格,中國與美國客戶漲幅 10% 至 15%,台灣客戶為 5% 至 10%;5 奈米(SF5)晶圓漲價 10% 至 15%,較舊的 8 奈米工藝漲幅接近 10%。平澤工廠 SF4 產線自去年底以來滿負荷運轉,既為高通等客戶生產邏輯晶片,也為三星自身 HBM 提供基礎裸片。分析指出,台積電先進產能被訂滿後,客戶轉向三星與英特爾,使三星具備提價空間。三星代工業務自 2022 年以來持續虧損,但公司預計在稼動率提升、良率改善與價格走強推動下有望較快扭虧,下半年代工營收有望同比兩位數增長,先進工藝占比將超過一半,AI 與高性能計算應用占比將超過 30%。特斯拉、蘋果、博通、英偉達等已與三星達成相關合作,谷歌亦在洽談使用 SF4 制程。
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