存儲

ChainCatcher 消息，X 账号 pequityresearch 發文稱，彭博旗下研究機構彭博情報預計，高帶寬記憶體市場規模到 2030 年將達到 6410 億美元，高於此前 2600 億美元的預測。該帳號援引的預測還顯示，彭博情報預計 HBM3E 與 HBM4 價格將在 2027 年上漲 30% 至 45%，高帶寬記憶體平均價格將從 2026 年的 15.46 美元升至 2030 年的 34.94 美元。

ChainCatcher 消息，財聯社 10 月 12 日援引市場調研機構 Counterpoint Research 稱，人工智慧基礎設施建設持續擠佔儲存晶片供應，消費電子面臨成本與供應壓力。初步數據顯示，2026 年第三季度全球智慧型手機出貨量同比下降 20%，降至 2012 年以來同期最低水平。儲存晶片危機已連續第二個季度衝擊智慧型手機市場，晶片成本上漲推高整機物料清單成本，廠商上調終端售價，2026 年以來全球智慧型手機零售價格累計上漲約 20%。三星仍居全球首位，第三季度份額升至 23%，出貨量同比下降 3%，為主要廠商中份額增幅最大者。蘋果份額升至 22%，為其第三季度份額首次突破 20%，但出貨量同比下降。當年缺少基礎款 iPhone 18，新品上市首月渠道鋪貨規模低於上一年 iPhone 17 全系列上市時的水平，iPhone 18 Pro 系列在中國和印度表現強於前代。小米第三季度出貨量同比下降超過 30%，份額降至 10%。OPPO、vivo 出貨量均同比下降超過 20%，份額分別降至 9% 和 8%。Counterpoint 高級分析師 Shilpi Jain 稱，消費者持有現有設備的時間更長，更多考慮翻新機。Counterpoint 表示，在儲存晶片成本與供應改善之前，全球智慧型手機出貨量恐難明顯復甦。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情，港股存儲概念走低，南方兩倍做多海力士（07709.HK）跌超 17%，南方兩倍做多三星電子（07747.HK）跌超 14%。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据，美股存储及光通信板块跌幅收窄。存储板块方面，美光科技（MU）跌 2.88%，西部数据（WDC）跌 2.11%，闪迪（SNDK）跌 5.68%，希捷科技（STX）跌 3.62%，SK 海力士（SKHY）跌 3.67%。光通信概念股方面，Applied Optoelectronics（AAOI）跌 6.47%，Coherent（COHR）跌 7.14%，Credo（CRDO）跌 5.69%，Lumentum（LITE）跌 1.57%，诺基亚（NOK）跌 2.99%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日報導，三星電子正擴大次世代 NAND 快閃記憶體 zNAND 的應用範圍，並規劃在已公開的 zNAND-O 之外，將產品細分為 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。報導稱，三星電子尚未正式宣布後兩款產品，但業界了解到相關方案已進入初期開發，以對應 AI 基礎設施中客製化儲存需求增加的情況。zNAND-O 面向端側 AI。與傳統引線鍵合不同，該方案通過矽通孔將 NAND 垂直堆疊 4 層或 8 層，縮短數據傳輸路徑，並提升速度與能效。三星電子已於今年 8 月在美國儲存器相關活動中首次公開展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 側重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 數據中心，同樣以垂直堆疊和矽通孔擴大帶寬，業界將其稱為高帶寬快閃記憶體。zNAND-I 側重提升每秒輸入輸出次數，用於 AI 推理中對鍵值快取等小容量臨時數據的頻繁處理。報導同時提到，SK 海力士也在開發 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 產品系列。

ChainCatcher 消息，中國存儲芯片企業長鑫存儲（CXMT）稱，其在一種新存儲結構上取得關鍵進展。三星電子與 SK 海力士也在推進同類結構，以提高存儲密度。公司總裁曹侃宇在上海一場產業活動上表示，長鑫存儲計劃在 2026 年底前推出基於該結構的新伺服器內存產品，相關說法來自公司聲明。該結構為 4F² 設計，即每個存儲單元占用面積為 4F²，其中 F 為半導體最小線寬。公司稱，這一專有晶體管設計可通過在單顆芯片上容納更多存儲單元來提高存儲密度，並改善效率。目前主流商用 DRAM 採用 6F² 單元結構。

ChainCatcher 消息，据韓媒報導，三星電子已就明年存儲供應簽署長期協議，覆蓋比例約為 75% 至 80%，其中包括高帶寬內存。報導稱，三星電子已與英偉達、谷歌、微軟等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士與美光也在加快鎖定供應量，並與主要客戶簽署一系列大規模長期合同。三星電機據稱接近與台灣電力電子公司台達電子簽署價值 7000 億韓元的長期協議，用於供應多層陶瓷電容器。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股開盤，道指跌 0.62%，標普 500 指數跌 0.45%，納指跌 0.61%。存儲板塊普跌，美光科技、希捷科技、西部數據、閃迪、SK 海力士跌約 2.5%。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情數據，美股週一盤前半導體、存儲及光通信板塊普漲。半導體板塊中，泛林集團（LRCX）漲 0.21%，應用材料（AMAT）漲 0.21%，Arm（ARM）漲 0.7%；存儲板塊中，美光科技（MU）漲 0.03%，西部數據（WDC）漲 1.62%，閃迪（SNDK）漲 0.87%，希捷科技（STX）漲 1.56%。光通信概念股中，Applied Optoelectronics（AAOI）漲 1.45%，Coherent（COHR）漲 0.88%，Credo（CRDO）漲 1.44%，Lumentum（LITE）漲 0.88%，諾基亞（NOK）漲 0.19%，Astera（ALAB）漲 1.88%。

ChainCatcher 消息，据鏈上分析師余燼監測，長鑫存儲（長鑫存儲）上市前一天建立空單的最大空頭已於 10 小時前全部平倉。該地址以 6.5 美元價格做空，在持倉 2 個月後以 8.5 美元價格平倉，累計虧損 1098 萬美元，其中資金費虧損 518 萬美元，價格變動虧損 580 萬美元。

ChainCatcher 消息，美光科技董事長兼 CEO Sanjay Mehrotra 表示，除了數據中心，物理 AI 將是下一個巨大的增量市場。自動駕駛汽車是物理 AI 的首個重大部署，L4 級及以上自動駕駛汽車的內存容量通常超過 200GB，存儲容量達到多個 TB。美光認為，物理 AI 將成為存儲需求的重要驅動力。

ChainCatcher 消息，韓國《中央日報》報導，其取得的三星電子部長出身、前長鑫存儲（CXMT）設備投資負責人全某的陳述書顯示，CXMT 前 CEO 王寧國曾於 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韓國團隊，要求帶回三星電子工藝配方計畫（PRP）及設備資訊，並稱若不帶回將向韓國政府舉報，還警告對方有核實人脈、不要說謊。全某稱當時感到害怕。報導稱，CXMT 管理層當時以"黃山"作為三星電子的代號。全某在三星電子工作 28 年後加入 CXMT，因涉嫌未經授權洩露並使用三星投入 1.6 萬億韓元、當時全球率先開發的 18 奈米 DRAM 工藝被起訴，今年 4 月一審被判 7 年有期徒刑，目前處於二審。PRP 包含 DRAM 製造約 600 個步驟的順序、設備、條件值及設備公司與型號。三星工藝設計工程師出身的朴某於 2016 年 9 月將相關內容手抄在 12 頁筆記中帶出，目前處於國際刑警組織紅色通報狀態。全某在庭審中陳述，與中國方面溝通時出現過做不出 18 奈米就不向 CXMT 提供投資的說法，並稱後來得知對方從一開始就想要該技術，CXMT 起初並無自行開發打算。上述施壓發生在為申請投資準備會議之前。CXMT 於 2016 年由合肥市政府下屬合肥產業投資出資 144 億人民幣設立，約 10 年未盈利，去年首次年度盈利，淨利潤 71 億人民幣。

ChainCatcher 消息，交易員 degentrading（@degentradingLSD）盤前分析，目前市場呈現以下幾大信號：宏觀層面：10Y 收益率升至 5.2%、30Y 升至 5.5%，接近歷史高位；韓國股市開盤下跌 2.5%，儲存器與半導體板塊（SK 海力士、三星、MU、SNDK）普遍下跌 2%~5%，預計在 MU 財報發布前價格走勢將持續震蕩。新雲計算：計算項目投資回收期已不足一年，市場認知正在轉變，預計新雲板塊將迎來快速重估，電力瓶頸問題也日益受到關注。科技股：META 盤前走弱，關注 690 支撐位買入或歷史新高突破機會，若超大規模數據中心板塊整體突破，META、MSFT 等將迎來範式級重定價。加密市場：主流幣與山寨幣普遍走弱，BTC 或下探 82K 支撐位；上週已減持 TAO、DOGE 並止盈 CRDO 以釋放風險資本。KBW 期間加密情緒通常偏正面，本週策略以尋找短線看漲機會為主。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，全球儲存器持續嚴重缺貨，AI 及雲端應用推升 DRAM 與 NAND Flash 需求與價格。中國兩大儲存器廠長江儲存與長鑫儲存將打破各占半壁江山的格局。長江儲存跨入 LPDDR5 DRAM 將於 2026 年底試產，長鑫儲存要從 DRAM 搶進 NAND Flash。業界推測兩家最快 2028 年正面交鋒。長江儲存以 Xtacking 技術完成 294 層 3D NAND 開發，三星 2025 年與其達成專利許可協議，從第 10 代 V-NAND 起採用相關專利。長江儲存三期計畫 2026 年底投產，初期約 2.5 萬片 DRAM 產能，2027 年完成爬坡，瞄準 LPDDR5，並規劃後續擴產及 HBM、3D DRAM。長鑫傳出將在北京設置 NAND 研發生產線，估計最快 2028 至 2029 年量產。