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first_img 크로스 체인 스테이블코인 브리지 Cashmere가 로드맵을 발표하고 Mountain과 토큰 $CSM을 출시할 예정입니다

크로스 체인 스테이블코인 브릿지 Cashmere가 확장 계획을 발표했습니다. 자동화된 유동성 제품 Goat LP는 모든 사용자에게 개방되며, 이후 주요 제품 Mountain과 토큰 $CSM이 출시될 예정입니다. Cashmere Bridge는 현재 16개의 체인에서 제로 슬리피지 스테이블코인 송금을 지원하며, Goat Street는 Robinhood Chain의 6,666개의 산양 NFT입니다. 팀은 현재 공식적인 $CSM이 없으며, 관련 계획은 현재 진행 중이며 변경될 수 있다고 밝혔습니다.Goat LP는 Robinhood Chain의 Uniswap v3 및 v4 포지션을 대상으로 하며, 포지션은 여전히 Uniswap NFT로 사용자 지갑에 남아 있습니다. 자동 재투자는 재투자 수수료로 10%를 수취하며, 가스 비용은 프로젝트 측에서 부담합니다. 자동 조정 구간 및 자동 종료는 각각 0.15%의 수수료를 부과합니다. 공식적으로 실험적 소프트웨어로 설명됩니다. Mountain 코드는 테스트를 완료했으며, 출시 전에 외부 감사를 진행할 예정입니다. Barn은 영혼 결합 NFT로 최대 10개의 슬롯을 가지며, 발행이 시작된 후 초당 새로 발행된 $CSM을 분배받습니다. 산양 NFT는 영구적으로 결합되어 발행 지분을 얻으며, 결합 후에는 판매하거나 철회할 수 없습니다.1,000개의 창립 Barn을 발급할 계획이며, 보장된 자격 가격은 0.125 ETH, 화이트리스트는 0.25 ETH, 공개 경매는 1.5 ETH에서 0.25 ETH로 하락합니다. $CSM은 공식 Uniswap v4의 ETH 풀에서 거래가 시작되며, Anvil의 시장 조성과 토큰은 기술 문제로 인해 취소되고 재배포됩니다. 계획된 최대 공급량은 6.66억 개이며, 이 중 10%는 공식 풀 유동성에 사용되고, 25%는 팀과 금고에 귀속되며, 65%는 시스템 운영에 따라 발행됩니다. 팀은 또한 Barn 판매 참여자, Goat Street 활성화자 및 초기 사용자에게 에어드롭을 계획하고 있으며, OpenSea에 산양 NFT를 판매 중인 지갑은 제외됩니다.

first_img Capriole Investments 창립자: 양자 컴퓨팅 로드맵이 비트코인 상승 촉매제가 될 수 있다

Capriole Investments 창립자 Charles Edwards는 Bitcoin Magazine의 인터뷰에서 비트코인이 역사적인 최고치를 돌파하기 위해서는 실질적인 변화가 필요하며, 가능한 촉매제로는 양자 컴퓨팅의 실질적인 진전, 연방준비제도 정책의 전환, 미국 정부의 비트코인 직접 구매, 또는 새로운 자극 사건이 포함될 수 있다고 언급했습니다. 그는 또한 ETF를 통해 유입되는 기관 매수세가 여전히 시장에 강력한 지지를 제공하고 있다고 지적했습니다.Edwards는 AI에 의해 촉발된 실업이 연방준비제도의 정책 경로를 변화시킬 수 있으며, 이는 비트코인 가격에 영향을 미칠 수 있다고 말했습니다; 해시 리본 지표에서 지속적으로 상승하는 해시 파워는 강세 신호를 형성하고 있으며, 그는 AI 시대의 이 해시 파워 주기가 다른지에 대해 논의했습니다. 또한 그는 생산 비용, 에너지 가치 및 MVRV 등의 관점에서 비트코인이 여전히 저평가되고 있는지 평가하고, 글로벌 유동성과 5% 금리 환경에서 비트코인이 처한 미지의 영역에 대해 이야기했습니다.양자 컴퓨팅 부분에서 Edwards는 명확한 양자 컴퓨팅 로드맵이 오히려 비트코인의 상승 촉매제가 될 수 있다고 생각하며, AI 초지능이 가져오는 암호화 보안 위험과 비트코인의 다음 역사적 최고치를 촉발할 수 있는 요인들에 대해서도 논의했습니다.

first_img 삼성전자 다음 세대 DRAM 로드맵을 조정하여 B1b를 D0a로 명명하다

ZDNet Korea에 따르면, 삼성전자는 차세대 DRAM 전략을 조정하여 이전에 프로젝트 형태로 개발된 B1b를 공식 로드맵에 포함시키고, 이를 첫 번째 10nm 이하 DRAM D0a로 명명했습니다. 이전에 D0a는 수직 트랜지스터 DRAM을 지칭했으나, 현재 이 제품은 D0a-V로 별도로 분류됩니다. 이번 이름 변경은 범용 DRAM에서 고급 패키지를 도입하는 속도를 높이기 위한 것입니다.B1b는 저장 셀과 주변 구동 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 후 결합하며, 웨이퍼 대 웨이퍼 혼합 결합을 사용하여 구리 상호 연결을 통해 직접 연결합니다. 현재 상용화된 DRAM은 1c로, 6세대 10nm급, 선폭 약 11~12nm입니다; 차세대 1d는 7세대 10nm급, 선폭 약 10~11nm로, 사실상 마지막 10nm급 제품으로 간주됩니다. 관련 선폭은 마케팅 용어일 뿐 실제 물리적 크기는 아닙니다. 수직 트랜지스터는 셀 내 트랜지스터를 수직으로 배치하여 셀 면적을 6F²에서 4F²로 줄일 수 있지만, 높은 깊이 폭 비율 에칭과 누설 전류에 대응해야 하므로 개발 난이도가 높습니다. 웨이퍼 대 웨이퍼 혼합 결합은 CMOS 이미지 센서와 고적층 NAND에서 양산 적용되고 있습니다.삼성전자는 B1b를 8세대 고대역폭 메모리 HBM5에 사용할 가능성을 평가하고 있습니다. HBM5는 약 2029년에 양산될 것으로 예상되며, HBM4E보다 50% 이상의 속도 향상을 목표로 하고 있습니다. 업계에서는 B1b 기반의 D0a DRAM이 가장 빠르면 약 2년 후 상용화될 것으로 추정하고 있으며, 구체적인 양산 투자 일정은 내년 중반에 확정될 예정입니다.
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