hbm4e

TrendForce ngày 12 tháng 10 dẫn nguồn từ Chosun Biz báo cáo, với việc AI đóng gói chứa nhiều chip tính toán và lưu trữ hơn, lớp trung gian kết nối chip tính toán với HBM dự kiến sẽ lớn hơn đáng kể, việc tản nhiệt HBM thế hệ tiếp theo trở nên quan trọng hơn. Samsung Electronics đang chuẩn bị nhiều công nghệ để đối phó với thách thức tản nhiệt HBM4E dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm tới.Hiện tại, diện tích lớp trung gian AI đã khoảng 5,5 lần diện tích lớn nhất mà máy khắc EUV có thể phơi sáng một lần là 858 mm vuông. Các chuyên gia trong ngành thiết bị bán dẫn dự đoán, lớp trung gian mang HBM có thể mở rộng lên đến 9 lần, 12 lần diện tích đó, cuối cùng khoảng 40 lần. Nguyên nhân bao gồm việc thu nhỏ quy trình bị hạn chế và sự phổ biến của đóng gói chiplet kiểu 2.5D, chip đơn lẻ với quy trình tiên tiến khó đáp ứng nhu cầu tính toán AI, nhiều chiplet tính toán và HBM được xếp chồng lên cùng một lớp trung gian.Samsung đang xem xét việc kết hợp liên kết đồng và khối đường dẫn nhiệt. Cái trước kết nối đồng với đồng trực tiếp thay thế các điểm nhô vi giữa các hạt DRAM xếp chồng, có thể thu hẹp khoảng cách giữa các lớp, làm cho việc xếp chồng mỏng hơn và cải thiện tản nhiệt, Samsung đã trình diễn vào tháng 3 năm 2026 tại NVIDIA GTC. Khối đường dẫn nhiệt chịu trách nhiệm thiết lập đường dẫn nhiệt chuyên dụng cho khu vực D2D PHY truyền tải tốc độ cao với GPU trên các hạt cơ sở HBM, Samsung đang xác minh với HBM4E và dự định áp dụng trong HBM5. Theo ETNews, iHBM của SK Hynix đã đặt vật liệu làm mát có độ dẫn nhiệt cao nhưng cách điện xung quanh khu vực D2D PHY nơi nhiệt tập trung, dự kiến có thể giảm điện trở nhiệt khoảng 30%.

Theo báo cáo của nhật báo kinh tế Hàn Quốc, sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo "12 lớp HBM4E" của Samsung Electronics đã vượt qua kiểm tra chất lượng của NVIDIA và các nhà điều hành trung tâm dữ liệu quy mô lớn chính.

Theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics dự kiến sẽ mở rộng sản lượng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 và thế hệ thứ bảy HBM4E trong năm tới ít nhất gấp đôi so với năm nay. Công ty dự định tăng lượng kính nền cần thiết cho việc gia công DRAM HBM từ 20.000 tấm mỗi tháng năm nay lên 50.000 tấm mỗi tháng vào năm tới, tăng 2,5 lần so với năm nay. Nhu cầu hàng tháng cho kính nền này vào năm ngoái khoảng 10.000 tấm, năm nay đã gấp đôi so với năm ngoái.HBM4 và HBM4E mà Samsung Electronics tập trung mở rộng sản xuất chủ yếu là các sản phẩm có độ chồng chất cao từ 12 lớp trở lên. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu 10nm (1c) và chip nền quy trình 4nm từ tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng như NVIDIA. Ngành công nghiệp dự đoán, tính theo lượng wafer trung bình hàng tháng, công suất HBM của Samsung Electronics sẽ tăng từ khoảng 180.000 tấm năm nay lên khoảng 250.000 tấm vào năm tới, tăng gần 40%; tỷ lệ xuất khẩu của dòng sản phẩm HBM4 có thể tăng từ khoảng 40% năm nay lên khoảng 80% vào năm tới.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đang phối hợp với Nvidia (NVDA.O) yêu cầu phát triển bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ bảy (HBM4E) với 8 lớp, giảm đáng kể chiều cao xếp chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp. Thông số tốc độ mà Nvidia đề xuất là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E 14.4Gbps ban đầu của Samsung. Sản phẩm này được báo cáo sẽ được sử dụng cho NVHBM.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics đang phát triển sản phẩm HBM4E (thế hệ thứ bảy) 8 lớp phù hợp với yêu cầu của NVIDIA, nhằm chiếm lĩnh vị trí đối tác cung cấp bộ nhớ băng thông cao tùy chỉnh NVHBM. Sản phẩm này giảm chiều cao chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp, với thông số tốc độ do NVIDIA đưa ra là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E ban đầu của Samsung (14.4Gbps), sẽ được sử dụng cho NVHBM theo thông số tối ưu hóa NVLink công khai của NVIDIA.Việc sử dụng 8 lớp trái ngược với logic cạnh tranh HBM trước đây bằng cách tăng số lượng lớp chồng để nâng cao dung lượng, có thể giảm độ khó trong quy trình sản xuất và áp lực về tỷ lệ sản phẩm đạt yêu cầu, thuận lợi cho việc mở rộng cung cấp, được coi là chiến lược của NVIDIA để giảm bớt tình trạng thiếu hụt bộ nhớ. NVHBM dự kiến sẽ được áp dụng từ thế hệ GPU AI "Rubin Ultra" ra mắt vào năm tới, GPU này sẽ mở rộng quy mô kết nối giữa các GPU từ 72 lên 576, thông qua việc trang bị hàng trăm GPU với HBM nhanh hơn để nâng cao tổng thể sức mạnh tính toán.Trong thị trường HBM tùy chỉnh, Samsung có lợi thế cạnh tranh hơn so với SK Hynix và Micron, vì NVHBM cần khả năng thiết kế và sản xuất chip bare die dựa trên DRAM và chip logic, Samsung có thể đáp ứng tích hợp. Các chuyên gia trong ngành cho biết, Samsung đã xác nhận tốc độ ở mức cao nhất trong ngành với HBM4, có thể phát huy lợi thế trong cuộc cạnh tranh về tốc độ.