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華爾街集體看多:ASML 產能激增,內存“見頂論”可以休矣

核心觀點
Summary: ASML 第二季業績和全年指引雙雙超預期,並首次公布 2027-2028 年大規模擴產計劃。華爾街集體看多,認為 AI 需求將持續推升 EUV 設備和 HBM 投資,2028 年盈利預期上修,內存“見頂論”遭到有力反駁。
華爾街見聞
2026-07-15 22:54:59
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ASML 第二季業績和全年指引雙雙超預期,並首次公布 2027-2028 年大規模擴產計劃。華爾街集體看多,認為 AI 需求將持續推升 EUV 設備和 HBM 投資,2028 年盈利預期上修,內存“見頂論”遭到有力反駁。

作者:華爾街見聞

ASML交出一份遠超預期的二季度成績單,並大幅上調全年指引,同時罕見地給出2027至2028年產能擴張路線圖,直接回應了市場對AI驅動需求能否持續的核心疑慮。華爾街主要投行隨即集體發聲,高盛、摩根大通、巴克萊等機構一致維持或重申買入評級,認為此次業績徹底驗證了AI供應瓶頸論,並對內存價格"2028年見頂"的看空敘事構成有力反駁。

ASML二季度營收93億歐元,超彭博市場共識89億歐元,毛利率54%大幅領先51%-52%的指引區間。公司隨即將2026年全年營收指引從360億至400億歐元上調至430億至450億歐元,中位數較市場共識高出約11%;全年毛利率指引亦上調至54%-56%。更關鍵的是,管理層明確表示將在2027年和2028年分別擴大約30%的低數值孔徑EUV及浸沒式DUV產能,這一表態直接觸發市場對2028年盈利預期的大幅上修。

消息公布後,ASML阿姆斯特丹股價上漲約4%,納斯達克100指數期貨同步上漲約40個基點。SK Hynix首爾上市股票單日飆升8.8%,補漲此前其美國存托憑證27%的漲幅。高盛維持買入評級,12個月目標價2000歐元,較當前股價隱含約29%上行空間;摩根大通同樣維持增持,目標價1900歐元。

業績全面超預期,三季度指引更令市場驚喜

ASML二季度各項核心財務指標均超出市場預期。據高盛研報,二季度營收93.27億歐元,較市場共識高出6%;息稅前利潤34.56億歐元,超出共識13%;每股收益7.58歐元,超出共識約11%。毛利率54%不僅遠超指引上限,亦較市場共識高出約230個基點。

三季度指引同樣大幅超出預期。公司預計三季度營收110億至120億歐元,中位數較市場共識高約11%;毛利率指引55%-57%,意味著三季度息稅前利潤將較市場共識高出約26%。據摩根大通研報,三季度營收中位數115億歐元較共識高12%,毛利率中位數56%較共識高350個基點。

摩根大通分析師Sandeep Deshpande指出,此次業績超預期部分由已安裝基礎管理(IBM)業務驅動,該業務收入較預期高出約3億歐元,軟件主導的生產力升級及EUV服務安裝基礎的持續擴大,預計將推動該業務今年實現逾30%的增長,為毛利率提供額外支撐。

產能擴張路線圖超出買方預期,2028年盈利潛力大幅重估

此次業績最受市場關注的,是管理層對2027至2028年產能擴張的明確表態。ASML表示,將在2026年約65台低數值孔徑EUV產能基礎上,于2027年擴產約30%至約85台,並正在研究2028年再擴產30%至約110台。與此同時,DUV浸沒式產能亦將從2026年約130台擴至2027年約169台,2028年進一步擴至約220台。

據高盛測算,上述產能規劃意味著2027/2028年低數值孔徑EUV出貨量將達85/110台,遠超市場共識的85/89台;浸沒式DUV出貨量將達169/220台,同樣大幅超出共識的137/146台。

摩根大通指出,2028年產能指引已超出該行此前作為賣方最高預測的水平。據粗略測算,若上述產能規劃落地,ASML 2028年每股收益將超過65歐元,疊加已安裝基礎管理業務的強勁勢頭,實際盈利或更高。高盛交易台評論亦指出,2028年約110台的EUV產能目標已落入"超級樂觀區間"(110至120台),遠超賣方約89台的共識預期。

高盛表示,ASML已基本鎖定2027年所需的大部分EUV訂單,並已收到相當數量的2028年訂單,管理層將訂單接收情況描述為"極為強勁"。

AI需求加速,邏輯與內存雙線擴張

管理層明確表示,AI驅動的需求在邏輯芯片和內存兩大領域持續強化,支撐客戶在先進製程節點進一步擴產。在先進邏輯領域,ASML指出客戶正同步在5/4/3納米節點增加產能以滿足AI需求,同時儘可能激進地推進2納米量產,並開始為1.4納米製程過渡做準備。公司預計2026年先進邏輯營收同比增長約25%。

內存方面,ASML表示DDR和HBM供應偏緊正推動客戶加速投資,EUV及先進浸沒式光刻強度的提升進一步拉動設備需求。公司預計2026年內存營收同比增長約75%。

高盛交易台評論指出,隨著內存市場向HBM4/HBM5及傳統伺服器DRAM所需的先進1c/1d納米節點過渡,內存製造正經歷根本性的範式轉變。1c DRAM的EUV層數已增至五層以上,而1d和0a代計劃在所有層中全面採用EUV技術。深紫外光多次圖形化工藝已觸及物理極限,ASML因此成為這一結構性轉型的主要受益者。

高盛進一步指出,HBM所需的晶圓強度遠高於傳統DRAM,這種雙重擴張正嚴重擠壓全球晶圓廠產能,推動內存價格在更長時間內保持高位。鑑於向先進節點過渡的結構性複雜性,那些預測內存價格將在2028年前見頂或供應缺口將顯著緩解的看空論點"聽起來為時過早"。

華爾街集體背書,分歧僅在於2027年指引是否足夠激進

多家主要投行在業績發布後迅速發表正面評價,但對2027年EUV產能指引的解讀存在細微分歧。

巴克萊分析師Simon Coles表示,ASML給出了投資者所期待的大部分內容,2027和2028年低數值孔徑EUV產能指引應能減少市場對公司是否受供應約束的爭議,並指出上半年低數值孔徑EUV訂單金額可能高達220億歐元,達到歷史紀錄水平。

摩根大通的Sandeep Deshpande認為,儘管公司未能在2027年達到90台EUV產能,但"我們認為這無關緊要",因為2028年EUV及DUV產能指引遠超預期,且2026年營收增速約35%已超出當前市場對晶圓廠設備行業整體增速的預期,公司實際上已在引導未來兩年約30%的增長。

摩根士丹利分析師Lee Simpson則指出,儘管公司不再披露訂單數據,但管理層表示上半年訂單接收持續"非常強勁",客戶正尋求加速產能擴張,這預示著2027年銷售勢頭強勁。

Jefferies分析師Janardan Menon持相對審慎立場,認為公司展望評論喜憂參半,已安裝基礎管理業務銷售額及毛利率的強勁增長尤為積極,但2027年EUV指引低於近期大幅攀升的市場預期。

Oddo BHF則預計市場共識盈利預測將上調約20%,並表示"ASML仍是無可匹敵的技術主導地位的故事,現在受益於AI驅動的根本不同的周期"。

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