多重圖案化

ChainCatcher 消息，三星電子半導體研究所 Foundry 工藝開發團隊朴昌民在"2026 下一代光刻+圖案化學術大會"上表示，公司計劃從 1 奈米（A10）工藝開始應用 High-NA EUV 技術，目標在 2030 年左右實現量產。三星目前在 2 奈米及以下工藝中仍採用現有 0.33 NA EUV 的多重圖案化方案，計劃 2029 年量產 1.4 奈米，後續再推進至 1 奈米。High-NA EUV 將透鏡數值孔徑（NA）從 0.33 提升至 0.55，分辨率更高，可將原先需多重圖案化的超微細工藝簡化為單次圖案化，有利於降低製造成本、提升生產效率和設計靈活性。但該技術難度高、設備昂貴，且需要配套材料技術同步升級。朴昌民預計 1.4 奈米和 1 奈米工藝仍以 0.33 NA EUV 多重圖案化為主流，此後 High-NA 圖案化將成為新一代工藝的核心技術。