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メモリ不足

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first_img グーグルが退役サーバーを解体し、DDR4を回収してメモリ不足に対応

グーグルのサプライチェーンインフラストラクチャのシニアディレクター、Nikhil Cherianは、メモリのボトルネックを突破するために、グーグルがソフトウェアとハードウェアのソリューションを開発しており、退役サーバーを分解してDDR4コンポーネントを回収し、内部リサイクルサプライチェーンを構築していることを明らかにしました。グーグルは、前世代のDDR4を新世代の人工知能サーバーに接続するための特別なハードウェアアダプターを設計しており、退役サーバーを輸入してそのDDR4モジュールを回収利用しています。Cherianは、人工知能業界が計算制限からメモリ制限に急速に移行していると述べ、高性能メモリは特定の人工知能サーバーの材料リストコストの約75%を占めているとしています。ゴールドマン・サックスの報告によると、第三四半期のメモリ価格は引き続き上昇し、パーソナルコンピュータのDRAM価格は18%から23%上昇し、サーバーのDRAM価格は13%から18%上昇すると予測されています。Trendforceのデータによると、8月の現物市場でDDR4 8GBとDDR5 8GBの価格はそれぞれ142ドルと133ドルに上昇しました。グーグルが今年発表した2種類のTPU ASICは、メモリの最適化設計が施されており、メモリの需要を元の六分の一に減少させることが期待されています。TPU8iチップは専用の階層メモリ設計を採用しており、高速DDR5メモリアーキテクチャに依存してホストレベルのタスクを実行し、各チップには288GBのHBM3e高帯域幅メモリが搭載されています。

first_img Googleはメモリ不足のため、Androidアプリの品質要件を調整しました。

Googleは、AIデータセンターの熱潮によって引き起こされた業界のメモリチップ不足に対応するため、Androidアプリに対して2つの新しい品質要件を発表しました。そのうちの1つは、アプリのメモリ使用量を削減し、コードを最適化することに重点を置いています。Googleは、モバイル業界が著しいハードウェア供給制限に直面しており、デバイスのメモリの可用性が変化し、ユーザーエクスペリエンスに影響を与えていると述べています。これを受けて、Googleは動的メモリ使用やビットマップ使用などの分野で新しいパフォーマンス閾値を設定し、アプリのカクつきやクラッシュを防ぐためにコード最適化の要件を増やします。会社は、アプリが閾値を超えた場合に開発者に最適化を促す新しいツールを導入します。さらに、アプリがデバイスのメモリを過剰に占有するのを防ぐMemory Limiter機能を含む、より多くの診断ツールが今年の後半に登場する予定です。開発者は、2027年2月までに新しい閾値を達成する必要があります。また、すべてのPlay Storeアプリは、2027年4月までにZero Tap Sign-In要件を満たさなければなりません。これは、デバイスの移行時にAndroid Restore Credentials APIを通じてユーザーのログイン状態を自動的に復元することを意味します。これらの変更は、メモリ供給が制限された市場でアプリやゲームの開発者が高品質な体験を提供し続けるのを支援することを目的としており、特に価格に敏感な低価格デバイスに焦点を当てています。

韓国のDRAMの8月の輸出価格が前年同月比で401%急騰、SKハイニックスは来年がメモリ不足の最短年になる可能性があると述べた

韓国の『朝鮮日報』の報道によると、韓国のDRAM輸出価格が引き続き急騰しており、AI駆動のHBM生産が一般的なメモリ供給を圧迫しています。データによると、今月1日から20日までの間に、韓国のDRAM輸出単価は1キログラムあたり92,183ドルに達し、前年同期比で401%の上昇、2023年1月の低点からは約12.5倍の上昇となっています。ゴールドマン・サックスは、DRAMの供給不足が今年の5.0%から来年の5.9%に拡大すると予測しており、AIサーバーに必要なHBMや大容量サーバーDRAMが限られた生産能力を吸収しているため、一般的なDRAM供給がさらに厳しくなり、供給不足は2028年まで続く可能性があると考えています。TrendForceは、来年末までに、サムスン、SKハイニックス、マイクロンがHBM生産に投入するウェハの量がDRAM総ウェハ投入の30%を占めると予測していますが、HBMが実際のDRAMビット供給量に占める割合は約13%に過ぎません。メモリメーカーは、AI需要によって引き起こされるDRAMとNANDの供給緊張が2027年以降も続く可能性があると警告しています。SKハイニックスは、供給側から見ると2027年がメモリ業界の歴史の中で最も深刻な不足の年になる可能性があると述べています。

SemiAnalysis:長鑫メモリが世界第4位のDRAMメーカーに躍進、短期的にはメモリ不足のスーパーサイクルを打破しない見込み

半導体研究機関SemiAnalysisは最新の分析を発表し、中国の長鑫ストレージ(CXMT)が世界第4位のDRAM製造業者として明確に位置づけられたと指摘しています。生産能力とキャッシュフローは継続的に増加していますが、この機関は長鑫ストレージが依然として設備、技術、市場の多重な課題に直面しており、短期的には現在のストレージ「スーパーサイクル」を終わらせることはないと考えています。具体的な課題として、先進的な半導体製造設備(EUV、先進的なエッチングおよびTSVツールなど)の輸出規制が長鑫のより先進的なプロセスおよび高帯域幅メモリ(HBM)分野への拡張を著しく制約しています。国産設備(中微公司、北方華創など)がある程度圧力を緩和していますが、多様なプロセスの統合と歩留まりのボトルネックを完全には解決できず、そのため技術は依然として主要メーカーに数世代遅れています。さらに、長鑫の市場シェアは現在、中国国内に高度に集中しており、グローバルな拡張は地政学的要因と顧客のサプライチェーンの多様化意欲に制限されています。長鑫が「安価なチップで世界市場を攻撃する可能性」についての市場の懸念に対し、SemiAnalysisは現在のDRAM市場には深刻な構造的不足が存在し、長鑫の生産能力の増加は中国国内の需要を完全に満たすことが難しい可能性があると明らかにしました。実際、中国のストレージチップの価格も大幅に上昇しており、世界的な上昇トレンドと一致しています。長鑫も不足プレミアムの恩恵を受けています。したがって、長鑫ストレージは長期的な構造的競争力として見なされるべきであり、AI需要の加速と供給の制限がある中で、短期的には主要メーカーが主導するスーパーサイクルの基本的な状況を揺るがすことはできません。
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