露光装置

黄仁勋は All-In サミットで、中国が 2030 年までに自国の先進的な光刻システムを作り出すことができると判断しました。彼はまた、技術が成熟すれば、中国には大規模生産能力が非常に強く、国産設備が国内のウェハ工場に入るのは時間の問題だと考えています。この判断は蔡司よりも楽観的です。蔡司半導体の責任者である Frank Rohmund は最近、中国が国産の EUV 光刻機を作り出すには、約 15 年が必要だと述べました。蔡司は ASML の EUV 光学システムの主要なサプライヤーです。司会者が尋ねたのは advanced lithography systems であり、具体的に EUV に限定されていませんでしたが、黄仁勋は回答の中でさらに EUV については言及しませんでした。

彭博社の報道によると、UBSグループのアナリストは、今後10年間で中国の半導体製造能力が十分に速い進展を遂げることは難しいと予測しており、ASMLの最先端EUV露光技術を本当に代替できるソリューションを開発することができないとしています。UBSのアナリストは報告書の中で、「彼らが現在いる段階は、ASMLが2004年にいた段階に相当するようだ」と述べており、特に光源やレーザーサブシステムの分野における特許申請活動から見ると、中国の現在の技術成熟度は、ASMLがEUV装置の大規模生産を開始する前の15年のレベルに大体相当しています。UBSは同時に、中国が今後2〜5年以内に浸漬式DUV露光機の大規模量産能力を持つことが期待されると予測しています。浸漬式DUVはEUVほど先進的ではありませんが、依然としてチップ製造に不可欠な設備です。ASMLの浸漬式DUVの価格は約9000万ドルで、EUV装置は1台あたり2億ドルを超えます。中国はASMLの最大市場の一つですが、輸出制限の影響を受け、ASMLは中国にEUV装置を販売することが禁止されています。UBSは、良率や生産能力の差、規制の制約を考慮すると、中国の露光装置が海外で使用される可能性は低いと指摘しています。ASMLのスポークスマンはコメントのリクエストに応じていません。この報道はUBSアナリストの予測に基づいており、実際の進展は産業の動向に基づいています。

『The Information』の報道によると、ある未公開の名称の上海国有資本背景の会社が国産浸漬式DUV露光機の生産を開始し、今年約5台を製造する計画で、2027年には約20台に増加する予定です。最初の設備は中芯国際、華虹半導体、長鑫科技などの主要なウェハファウンドリに納入されますが、設備は精度、安定性、及び生産ラインの互換性の検証を経る必要があり、このプロセスは数ヶ月、あるいはそれ以上かかる可能性があります。現在、この設備の大部分の部品は国内から調達されていますが、一部の重要な部品は依然として日本に依存しており、性能と製造品質はASMLに劣っています。対照的に、ASMLは2025年に約131台の浸漬式DUV露光機を納入する予定です。国産設備はプロトタイプテストから小規模生産への移行を実現しましたが、ASMLの大規模な代替にはまだ明らかな差があります。以前、ロイター通信はアメリカが中国への露光設備の輸出及び中国でのメンテナンスサービスの制限をさらに強化することを検討していると報じており、今回の国産設備の納入はこの背景と重なっています。