electron

Согласно данным Gate, индекс KOSPI в Корее упал на 1,62%, акции Samsung Electronics упали на 2%, а SK Hynix немного снизились.

Согласно данным рынка RootData, индекс KOSPI в Корее упал на 3.00% за день и сейчас составляет 5831.67 пункта. Акции Samsung Electronics упали почти на 6%, а SK Hynix упали на 0.4%.

Samsung Electronics заявила, что инвестиционный план в отделе чипов будет использован для строительства новых фабрик по производству полупроводников и другой инфраструктуры, чтобы удовлетворить высокий спрос на ИИ и высокопроизводительные вычисления, а также обеспечить готовность в среднесрочной и долгосрочной перспективе.

Волна AI привела к нехватке, которая распространилась от GPU и памяти до печатных плат. HP и Dell, планируя цепочку поставок на 2027 год, обнаружили, что даже ранее незаметные печатные платы могут столкнуться с нехваткой. В сентябре этого года Amazon инвестировала около 15,9 миллиарда новых тайваньских долларов в тайваньскую компанию по производству печатных плат Kingboard, став акционером.Серверы AI требуют печатные платы с большим количеством слоев и меньшими потерями сигнала, а размеры плат для упаковки чипов также увеличиваются, что приводит к росту спроса на ключевые материалы, такие как специальные стеклоткани и медные платы. Поставщики в первую очередь удовлетворяют заказы AI с более высокой прибылью, в результате чего обычные серверы оказываются под давлением, и сроки поставки некоторых печатных плат для обычных серверов уже близки к году.Краткосрочно мощности по производству ключевых материалов трудно будет нарастить в соответствии с спросом. По оценкам TrendForce, японская компания Nitto Denko контролирует около 90% мирового рынка специальных стеклотканей T-glass, и новые мощности смогут начать работу не раньше середины 2027 года. Председатель правления тайваньской компании по производству плат Unimicron 20 октября предупредил, что к 2027 году некоторые ключевые материалы могут оказаться в дефиците на 20%, а сроки поставки оборудования для производства некоторых плат для чипов могут достигать 30 месяцев.

Южнокорейские чиповые компании Samsung Electronics и SK Hynix на следующей неделе опубликуют финансовые отчеты за третий квартал, и ожидается, что высокий спрос на чипы для хранения данных с искусственным интеллектом поможет обеим компаниям получить значительную прибыль.SK Hynix планирует опубликовать отчет в среду, а Samsung Electronics последует за ним в четверг.

Согласно данным Бюро патентов и товарных знаков США (USPTO), патент компании Samsung Electronics под названием "Предоставление электронных устройств и их методов работы на основе блокчейн-сервисов" был официально выдан 20 октября.Эта технология позволяет электронным устройствам распознавать устройства, поддерживающие блокчейн-сервисы, поблизости с помощью беспроводного сигнала, устанавливать пиринговое соединение и, сравнивая последние высоты блоков, хранящиеся на каждом устройстве, выбирать устройство с самыми актуальными данными для завершения синхронизации блокчейна. Этот патент может сократить сетевой трафик и энергопотребление при синхронизации блоков данных устройств.

Согласно данным Gate, индекс KOSPI в Корее закрылся 20 октября (вторник) с падением на 214.93 пункта, что составляет 3.73%, и составил 5553.08 пункта. Samsung Electronics упал на 2.98%, SK Hynix упал на 4.22%.

Bitget запустил 8 популярных бессрочных контрактов на акции Тайваня, включая TWTSM (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), TWDELTA (Delta Electronics), TWASX (ASE Technology Holding), TWUMC (United Microelectronics Corporation) и другие. Указанные контракты рассчитываются в USDT, поддерживают максимальное плечо 20x и торговлю 7×24 часа. На данный момент Bitget поддерживает 364 бессрочных контракта на акции.

Согласно отчету ZDNet Korea от 15 октября, Samsung Electronics снизила планы по производству смартфонов среднего и низкого сегмента на четвертый квартал. Причины включают рост цен на чипы памяти, а также проблемы с поставками стекловолокна для PCB из-за ограничений на сырье CCL. Японская компания Nitto Denko перенаправила большую часть своих мощностей на более прибыльное производство T-стекла для AI полупроводников, что привело к снижению объемов производства E-стекла для PCB смартфонов, вызвав нехватку поставок и рост цен. E-стекло используется в полупроводниках HDI и RFPCB для материнских плат смартфонов.Сообщается, что рост цен на память увеличил производственные затраты, и Samsung сократила заказы на соответствующие компоненты. Модели среднего и низкого сегмента, такие как Galaxy A, имеют низкую прибыльность, что затрудняет значительное увеличение производства. В этом году цены на базовые модели среднего и низкого сегмента выросли более чем на 100 000 вон по сравнению с предыдущим поколением. Прогноз заказов на компоненты на четвертый квартал, переданный партнерам, соответствует общему объему поставок смартфонов в 230 миллионов единиц за год, что ниже ожидаемых 240 миллионов единиц, и также на 20% до 30% меньше, чем до длинных выходных в середине осени. Планы по мобильному бизнесу на следующий год еще не были поделены с партнерами, как это было в предыдущие годы.Прогноз месячного производства на четвертый квартал в середине сентября составил 14,3 миллиона единиц в октябре, 9,5 миллиона единиц в ноябре и 7,6 миллиона единиц в декабре, всего 31,4 миллиона единиц; в начале этого месяца он был скорректирован до 9,9 миллиона единиц в октябре, 7,6 миллиона единиц в ноябре и 6,7 миллиона единиц в декабре, всего 24,2 миллиона единиц, что на 23% меньше. В то время как объемы производства среднего и низкого сегмента были снижены, планы по поставкам флагманских моделей, таких как Galaxy S27, в начале следующего года остаются на высоком уровне, также планируется увеличение объемов поставок складных экранов в следующем году. Убытки подразделений MX и сетевого бизнеса во втором квартале составили 735 миллиардов вон, а прогноз убытков в финансовом секторе на весь год составляет 400 миллиардов вон.

Согласно данным Gate, акции Samsung Electronics упали на 6% перед открытием торгов на корейском рынке, акции SK Hynix упали на 7%, а накануне акции американских компаний в секторе хранения данных в целом снизились.

Согласно отчету ZDNet Korea от 12 октября, Samsung Electronics расширяет область применения следующего поколения NAND флеш-памяти zNAND и планирует разделить продукцию на три модели: zNAND-O, zNAND-T и zNAND-I, помимо уже представленного zNAND-O. Сообщается, что Samsung Electronics еще не объявила официально о двух последних продуктах, но в отрасли стало известно, что соответствующие решения уже находятся на стадии начальной разработки, чтобы соответствовать растущему спросу на кастомизированные решения для хранения данных в инфраструктуре ИИ.zNAND-O ориентирован на AI на стороне клиента. В отличие от традиционного соединения проводами, это решение использует кремниевые сквозные отверстия для вертикального стекания NAND на 4 или 8 слоев, что сокращает путь передачи данных и повышает скорость и энергоэффективность. Samsung Electronics впервые публично продемонстрировала модель zNAND-O на мероприятии, связанном с памятью, в США в августе этого года.zNAND-T сосредоточен на пропускной способности и предназначен для высокоемких и высокопроизводительных AI дата-центров, также используя вертикальное стекание и кремниевые сквозные отверстия для увеличения ширины канала, в отрасли его называют флеш-памятью с высокой пропускной способностью. zNAND-I ориентирован на увеличение количества операций ввода-вывода в секунду и используется для частой обработки временных данных небольшого объема, таких как кэш значений, в задачах ИИ. В отчете также упоминается, что SK Hynix разрабатывает серию AI NAND продуктов, таких как AIN P, AIN D, AIN B.

Согласно сообщениям корейских СМИ, Samsung Electronics подписала долгосрочное соглашение о поставках памяти на следующий год, охватывающее примерно 75% до 80%, включая высокоскоростную память. Сообщается, что Samsung Electronics завершила большую часть контрактов с основными технологическими компаниями, такими как NVIDIA, Google и Microsoft.SK Hynix и Micron также ускоряют закрепление объемов поставок и подписывают ряд крупных долгосрочных контрактов с основными клиентами. Сообщается, что Samsung Electro-Mechanics близка к подписанию долгосрочного соглашения с тайваньской компанией Delta Electronics на сумму 700 миллиардов вон для поставки многослойных керамических конденсаторов.

Компания Samsung Electronics опубликовала предварительные результаты за третий квартал: операционная прибыль составила 107,4 триллиона вон, в то время как рыночные ожидания составляли 106,1 триллиона вон; выручка за третий квартал составила 195 триллионов вон, в то время как рыночные ожидания составляли 199 триллионов вон.

Согласно отчету Корейской экономической газеты, следующая генерация высокоскоростной памяти Samsung Electronics "12-слойная HBM4E" прошла проверку качества от NVIDIA и основных операторов гипермасштабных дата-центров.

Согласно сообщению финансового агентства, ссылаясь на местные СМИ, 29 сентября, вице-президент Samsung Electronics Ким Тэ У: ожидается, что в следующем году HBM займет почти 30% от общего объема производства полупроводниковых пластин производителей DRAM, в настоящее время этот показатель составляет около 20%. Он отметил, что HBM и традиционный DRAM конкурируют за одну и ту же партию производственных мощностей, увеличение производства HBM может сократить предложение традиционного DRAM.TrendForce ранее прогнозировал, что к концу 2027 года три крупнейших поставщика HBM будут вкладывать около 30% в общий объем пластин DRAM, но по объему памяти это сможет составить лишь около 13% от общего предложения DRAM. Кроме того, согласно сообщениям СМИ от 20 сентября, Samsung начала массовое производство HBM4 в феврале этого года и в мае предоставила образцы 12-слойного HBM4E клиентам, включая NVIDIA; в отрасли ожидают, что ежемесячный объем поставок пластин HBM от Samsung вырастет с примерно 180 000 в этом году до около 250 000 в следующем.TrendForce в тот же день заявила, что спрос на серверы AI продолжает расти, HBM и универсальный DRAM по-прежнему будут делить ограниченные производственные мощности передовых технологий, а в 2027 году предложение памяти останется напряженным, и прогноз цен на HBM на 2027 год был повышен, ожидается, что средняя цена вырастет на 121% по сравнению с прошлым годом. Из-за ограниченного предложения и роста системных затрат 8-слойный HBM, как ожидается, станет приоритетным вариантом для многих производителей в 2027 году, его цена за Гб будет на 10% до 20% выше, чем у 12-слойных продуктов.

Компания Delta Electronics будет разрабатывать систему автономного вождения на основе Hyperion от NVIDIA (NVDA.O).

Согласно отчету ZDNet Korea от 28 сентября, Samsung Electronics ускоряет строительство первой линии массового производства (Ph1) в пятом парке Пхенчжина (P5) и обсуждает с основными производителями оборудования перенос сроков установки оборудования Ph1 с запланированного на третий квартал следующего года на второй квартал следующего года. P5 является следующей базой по производству полупроводников с целью запуска в 2028 году, строительство чистой комнаты Ph1 началось в третьем квартале этого года.Ранее Samsung Electronics перенесла завершение строительства чистой комнаты P5 Ph1, запланированное на начало следующего года, примерно на 6 месяцев, поэтому ввод оборудования ожидается примерно в третьем квартале следующего года. Эксперты отрасли сообщают, что начало переноса оборудования планируется с июля-августа следующего года на май-июнь следующего года; другие источники утверждают, что Samsung даже предложила сначала доставить оборудование в первом квартале следующего года и временно хранить его в других местах, что демонстрирует сильную готовность к предварительным инвестициям.Обсуждение инвестиций во втором этапе P5 (Ph2) также продолжается. В настоящее время Ph1, скорее всего, будет построен как линия производства DRAM и HBM, тогда как Ph2, вероятно, будет включать в себя передовые линии NAND, включая десятую (V10). Представители оборудования сообщают, что официальные заказы на закупку еще не размещены, но Samsung уже обсуждала с партнерами возможность создания линии NAND в Ph2 и, учитывая длительный цикл поставки оборудования, требует заранее подготовить соответствующие компоненты. Сообщается, что крупные мировые технологические компании увеличивают заказы на высокопроизводительные DRAM и NAND для инфраструктуры ИИ, в то время как у таких компаний, как Samsung, ограниченные производственные мощности. В июле на телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что неудовлетворенный спрос этого года будет перенесен на следующий год, нехватка поставок в следующем году будет более серьезной, чем в этом году, и ожидается, что нехватка продлится до 2028 года.

LG Electronics присоединилась к официальной партнерской программе NVIDIA по решениям для охлаждения AI-центров обработки данных и была признана предпочтительным партнером в категории "Энергия и охлаждение".LG стремится расширить рынок гипермасштабных центров обработки данных и хостинга, особенно на рынке Северной Америки. В настоящее время более 60% спроса на новые мощности центров обработки данных в мире сосредоточено в Северной Америке.

Согласно отчету ZDNet Korea, Samsung Electronics корректирует стратегию следующего поколения DRAM, включая ранее разрабатываемый в рамках проекта B1b в официальную дорожную карту и называя его первым DRAM D0a с размером менее 10 нанометров. Ранее D0a относился к вертикальным транзисторным DRAM, теперь этот продукт отдельно классифицируется как D0a-V. Переименование направлено на ускорение внедрения передовой упаковки в универсальный DRAM.B1b будет производить ячейки памяти и окружающие драйверные цепи на разных пластинах, а затем соединять их, используя смешанное соединение пластин, с прямым соединением через медные межсоединения. В настоящее время коммерчески доступный DRAM — это 1c, то есть 6-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 11 до 12 нанометров; следующее поколение 1d — это 7-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 10 до 11 нанометров, которое рассматривается как фактически последний продукт 10-нанометрового уровня, соответствующая ширина линии является маркетинговым термином, а не фактическим физическим размером. Вертикальные транзисторы могут располагать транзисторы внутри ячейки вертикально, уменьшая площадь ячейки с 6F² до 4F², но необходимо справляться с высокой соотношением глубины и ширины травления и утечкой тока, что делает разработку более сложной. Смешанное соединение пластин уже применяется в массовом производстве CMOS-датчиков изображения и высокостековых NAND.Samsung Electronics оценивает возможность использования B1b для 8-го поколения высокоскоростной памяти HBM5. Ожидается, что HBM5 будет запущен в массовое производство примерно в 2029 году, с целью увеличения скорости работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. В отрасли предполагают, что DRAM D0a на основе B1b будет доступен для коммерческого использования не ранее чем через два года, конкретный график инвестиций в массовое производство может быть определен в середине следующего года.