euv

ChainCatcher 消息，据彭博社報導，瑞銀集團分析師預計，未來十年內中國半導體製造能力可能難以取得足夠快的進展，從而開發出能夠真正替代阿斯麥尖端 EUV 光刻技術的方案。瑞銀分析師在報告中寫道，"他們目前所處的階段似乎與阿斯麥在 2004 年時相當"，從專利申請活動來看，尤其是在光源和激光子系統領域，中國當前技術成熟度大致相當於阿斯麥開始大規模生產 EUV 設備前 15 年的水平。瑞銀同時預計，中國有望在未來兩到五年內具備浸沒式 DUV 光刻機的大規模量產能力。浸沒式 DUV 雖不如 EUV 先進，但仍是晶片製造不可或缺的設備。阿斯麥浸沒式 DUV 售價近 9000 萬美元，EUV 設備每台超 2 億美元。中國是阿斯麥最大市場之一，但受出口限制，阿斯麥被禁止向中國出售 EUV 設備。瑞銀指出，考慮到良率和產能差距及監管限制，中國光刻設備不太可能在境外得到應用。阿斯麥發言人對置評請求未作回應。該報導基於瑞銀分析師的預測觀點，實際進展以產業動態為準。

ChainCatcher 消息，三星電子半導體研究所 Foundry 工藝開發團隊朴昌民在"2026 下一代光刻+圖案化學術大會"上表示，公司計劃從 1 奈米（A10）工藝開始應用 High-NA EUV 技術，目標在 2030 年左右實現量產。三星目前在 2 奈米及以下工藝中仍採用現有 0.33 NA EUV 的多重圖案化方案，計劃 2029 年量產 1.4 奈米，後續再推進至 1 奈米。High-NA EUV 將透鏡數值孔徑（NA）從 0.33 提升至 0.55，分辨率更高，可將原先需多重圖案化的超微細工藝簡化為單次圖案化，有利於降低製造成本、提升生產效率和設計靈活性。但該技術難度高、設備昂貴，且需要配套材料技術同步升級。朴昌民預計 1.4 奈米和 1 奈米工藝仍以 0.33 NA EUV 多重圖案化為主流，此後 High-NA 圖案化將成為新一代工藝的核心技術。