bm

ChainCatcher 消息，据 DealSite 报道，存储芯片厂商 SK 海力士在扩大第六代高带宽内存 HBM4 量产的同时，部分后道设备业内人士认为扩产速度慢于预期，今年计划追加的部分设备订单可能推迟至明年。设备业人士称，原定今年下半年交付的部分设备出现延后迹象，后续订单计划也尚未明确。有匿名人士表示，部分原计划今年投入的设备或改至明年，已交付设备是否满负荷运转也尚无数据确认。明年 HBM4 相关投资计划尚未具体传达给部分合作方，今年订单已大体完成，但未见明确的增减投资信号。报道称，设备投资日程与产品质量问题之间的直接关联尚未得到确认。大信证券研究员柳亨根认为，主要客户 HBM4 质量问题导致业绩低于预期的担忧过度，后道环节或曾出现部分问题，但难以视为无法解决的风险，也尚未到讨论不良赔偿的阶段。另有业内说法称，在通用内存价格上涨背景下，部分 HBM 投资或转向通用内存。SK 海力士计划优先向龙仁集群 Y1 晶圆厂首个洁净室导入 DRAM 生产设备，业界预计初期产线采用第六代 10 纳米级 1c 工艺，新增产能将优先分配给通用 DRAM。也有观点认为，仅凭部分后道设备日程变化，尚不足以判断 HBM4 量产受阻，SK 海力士已向主要客户供应 HBM4 16 层样品。

ChainCatcher 消息，X 账号 pequityresearch 发文称，彭博旗下研究机构彭博情报预计，高带宽内存市场规模到 2030 年将达到 6410 亿美元，高于此前 2600 亿美元的预测。该账号援引的预测还显示，彭博情报预计 HBM3E 与 HBM4 价格将在 2027 年上涨 30% 至 45%，高带宽内存平均价格将从 2026 年的 15.46 美元升至 2030 年的 34.94 美元。

ChainCatcher 消息，面向数字资产市场的机构结算网络 Lynq 与稳定币清算所 The Better Money Company（TBMC）宣布完成一项实时概念验证，展示机构结算可在数分钟内完成。该验证属于双方合作第一阶段，采用预存资金流程，在 Lynq 上完成稳定币结算。概念验证中，TBMC 将客户存放在 Lynq 上的资产转换为 RLUSD，结算在数分钟内完成。验证使用真实生产账户与真实机构对手方，结算过程绕过传统银行窗口。资产在结算持有期间利息继续计提，计算使用 Tassat 的 Yield in Transit 功能，按资产持有时长确定应计利息。TBMC 创始人兼 CEO Sam Broner 表示：稳定币要成为有意义的机构基础设施，需进入真实结算流程；该验证表明可通过链上抵押品转移处理稳定币碎片化，而不依赖信贷和传统银行结算来衔接。Lynq CEO Jerald David 表示：机构并不缺资本，缺的是在需要时以正确形式把资金移到正确地点；该验证规模刻意做小，但表明数字美元可在机构之间于数分钟内结算，且不以信贷便利替代速度。Lynq 称，平台原生稳定币支持目前目标为 2026 年底。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。

ChainCatcher 消息，据韩国经济日报报道，三星电子的下一代高带宽内存 “12 层 HBM4E” 产品已通过英伟达及主要超大规模数据中心运营商的质量验证。

ChainCatcher 消息，据 PRNewswire 报道，以太坊财库公司 Bitmine 董事长 Tom Lee 表示，随着加密市场进入其认为的牛市周期，Bitmine（BMNR）股价在 2025 年至 2026 年熊市期间相较以太坊（ETH）的表现值得关注。 2026 年前 9 个月 ETH 价格下跌 10%，而 BMNR 仅下跌 3%，实现约 731 个基点（7.31 个百分点）的相对跑赢。BMNR 的股价表现反映了公司持续优化股东回报的承诺，其中包括执行加密行业规模最大的企业金库股票回购计划，仅 2026 年就回购 2100 万股。 此外，Tom Lee 还指出，2026 年第三季度至今，ETH 相较标普 500 指数跑赢 6832 个基点。在美联储立场偏鹰、油价上涨、全球债券收益率上升以及金融环境收紧等宏观压力背景下，ETH 仍展现出较强表现，领先其他主要宏观资产。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股软件股走高，IBM 涨 5%，ServiceNow 涨 4.8%，Salesforce 涨 3%。

ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，IBM 宣布其数字资产管理平台 IBM Digital Asset Haven 的客户现已可连接许可制区块链网络，其中包括 Swift 基于区块链的共享账本。一项新的测试版 ISO 20022 报文适配器，允许金融机构通过该账本、使用标准支付报文发起代币化存款交易。IBM 表示，参与 Swift 相关计划的金融机构已使用 Digital Asset Haven 在该账本上测试了代币化存款。该账本支持银行发行的代币化存款，可让参与的 IBM 客户全天候转移数字资产，最终结算仍通过现有系统完成。Swift 于 Sibos 2025 首次公布该账本，基于与 Consensys 合作开发的原型，超过 40 家金融机构参与其设计，其中 17 家正参与代币化存款试点。Swift 目前连接全球 200 多个市场的超 1.25 万家金融机构。上述报文适配器使银行能够沿用现有支付报文格式与运营流程，而无需采用区块链专属工作流。IBM 同时将 Digital Asset Haven 扩展至本地化部署测试版，该版本可安装在客户自有数据中心的 IBM Z 与 IBM LinuxONE 上，用于管理稳定币、代币化存款等数字资产，无需依赖公有云基础设施。IBM 称，平台及密钥管理层完全保留在客户自身环境内，密钥由 IBM Crypto Express 硬件安全模块保护。

ChainCatcher 消息，BidClub 播客第 166 期中，芯片设计师 Bubble boi 表示，高带宽闪存在技术上有吸引力，但缺乏决定性数据中心用例。他给出的信息是，所听说的主要客户是难以获得或生产高端 HBM 的中国客户。Bubble boi 称，HBF 与高端 AI 闪存延迟均约 5 微秒，带宽低于 HBM，单位比特成本更低但总成本可能相当。他认为最清晰的客户是无法获得 HBM 的主体，这与他从两到三人处听到的中国需求相符，因其无法充分制造加速器，或愿接受非领先规格产品。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星电子计划明年将第六代高带宽存储器 HBM4 与第七代 HBM4E 等 HBM4 系列产量较今年至少扩大一倍以上。该公司拟将 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃载体外协清洗量，由今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片，较今年增加 2.5 倍。去年该载体月需求约 1 万片，今年已较去年翻倍。三星电子重点扩产的 HBM4 与 HBM4E 以 12 层及以上高堆叠产品为主。该公司今年 2 月开始量产出货采用第六代 10 纳米级（1c）DRAM 与 4 纳米工艺基底芯片的 HBM4，5 月向英伟达等客户提供 HBM4E 12 层样品。业界预计，以月均晶圆投入计，三星电子 HBM 产能将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片，增幅近 40%；HBM4 系列出货占比或由今年约 40% 升至明年约 80%。

ChainCatcher 消息，KB 证券 9 月 11 日发布报告指出，三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍，且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面，4 纳米良率稳定在 80% 以上，2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示，代工业务自第三季度起有望扭亏为盈，2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。

ChainCatcher 消息，据路透社 9 月 10 日独家报道，中国 AI 芯片制造商因高带宽内存短缺而大幅提价。华为将昇腾 950DT 加速卡指示价格上调至超过 25 万元人民币，较两个月前报价上涨 20% 至 50%。寒武纪将其计划中的 690 芯片指示价格上调 20% 至 30%，沐曦和天数智芯也有类似涨价。报道称，原因包括美国出口管制及灰色市场高带宽内存供应推高成本。华为较早代产品如昇腾 950PR 和 910C 价格亦上涨约 30%。上述涨价增加了中国 AI 算力建设成本。华为、寒武纪等公司未予置评。

ChainCatcher 消息，据业界消息，英伟达正考虑将下一代 Rubin Ultra 人工智能加速器的高带宽内存方案从 12 层堆叠调整为 8 层。在存储成本上涨背景下，英伟达更加重视单位带宽成本及整机系统经济性。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，三星电子晶圆代工事业部在 4 纳米工艺中，分配给第六代高带宽存储器 HBM4 用基底芯片量产的比重最近突破 50%。业界称，该事业部今年下半年将超过一半的 4 纳米晶圆投入 HBM4 基底芯片制造，以配合向英伟达、博通、AMD 等扩大供应。三星于今年 2 月率先启动 HBM4 量产出货，并计划自第三季度起扩大供应量，自年中起显著增加相关晶圆投入。该芯片基于三星晶圆代工 4 纳米（SF4）工艺。截至上月，其全部 4 纳米产能中超过 50% 已分配给 HBM4 基底芯片。知情人士称，三星 4 纳米目前处于满产，其中 HBM4 基底芯片占比约 50% 至 60%，下半年将维持高占比。三星在平泽 2 厂与 3 厂的晶圆代工产线量产 4 至 7 纳米级工艺，其中 4 纳米产能约每月 3 万片，据此估算 HBM4 基底芯片相关晶圆投入约每月 1.5 万片。三星在第二季度业绩电话会上表示，预计第三季度 HBM4 营收环比扩大 3 倍以上，下半年 HBM4 营收将超过公司整体 HBM 营收的 60%。

ChainCatcher 消息，未来资产证券分析师 Kim Young-gun 表示，三星电子面向 AI 应用的 HBM 出货量的扩张，预计将抵消明年通用存储芯片增长放缓的影响。预计三星电子 2027 年 HBM 出货容量和平均售价将分别飙升 57% 和 49%，有望超过通用存储芯片预计的 16% 和 20% 增速。未来资产预计三星的盈利将受到韩元兑美元走强的拖累，但总体仍将保持稳健。该机构将三星 2026 年营业利润预测下调 5.7% 至 370.057 万亿韩元，2027 年下调 4.2% 至 535.682 万亿韩元。

ChainCatcher 消息，以太坊财库公司 Bitmine 董事长 Tom Lee 在 X 平台发文表示，截至第三季度以来，Russell 1000 指数涨幅居前的股票中，约 20% 为加密货币相关股票。其中，BMNR 三季度以来上涨 99%，排名第 4；MSTR 上涨 67%，排名第 12；CRCL 上涨 65%，排名第 14；BLSH 上涨 55%，排名第 21。Tom Lee 补充表示，距离第三季度结束仅剩一个月，这些表现强劲的加密股可能成为投资者接下来追逐的标的。