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ChainCatcher 消息，据彭博社报道，因与员工工会的劳资纠纷持续，美光科技已基本暂停在中国台湾地区桃园建设新存储芯片工厂的计划，项目投资预算为 30 亿至 45 亿美元，原定于 2028 年投产。知情人士称，美光担忧此前与工会达成的协议可能被推翻，目前仅保留少量场地安全维护工作，之后将冻结施工。此次纠纷源于员工要求分享 AI 热潮带来的利润增长。桃园工会要求美光将 15% 的营业利润分配给全球员工，并希望获得全现金奖励，而非部分以股票形式发放。尽管美光已于 10 月与规模较大的台中工会达成协议，但部分员工对协议条款不满，桃园工会正尝试扩大组织规模，以推动重新谈判。该项目原计划生产高带宽内存 HBM 和 DRAM，采用阿斯麦先进设备。中国台湾地区目前贡献美光约 60% 的 DRAM 产量，也是其重要的 HBM 生产基地，拥有约 1.5 万名员工。美光回应称，公司在中国台湾地区的现有运营一切正常，将确保客户业务连续性，但未直接评论桃园项目暂停一事。中国台湾地区经济部门表示，政府将协助美光与工会解决分歧，推动投资计划落实。

ChainCatcher 消息，韩国证券公司 Meritz Securities 指出，存储芯片厂商目前收到的 2027 至 2028 年订单远超产能，即使美国民主党在中期选举中取得优势，导致部分数据中心项目延期或调整，也不太可能从根本上改变存储芯片供应短缺的局面。Meritz 表示，今年存储芯片订单交付率（可供应产能与订单量之比）一直维持在 80% 至 85% 的较低水平，推动存储芯片售价大幅上涨。预计 2027 年供需缺口将进一步扩大，订单交付率可能降至约 80%。OpenAI CEO Sam Altman 近期访问韩国期间，曾要求 SK hynix 和 Samsung Electronics 提供 2027 至 2030 年的 HBM 等定制化存储产品，需求规模甚至超过两家公司的可供应产能。社区用户 Teng Yan 补充称，三星在 10 月 29 日与 Meritz 的电话会议中表示，已有 10 家大型客户签署多年期存储供应协议，另有同等数量的客户正在洽谈。存储需求客户也已从云服务巨头和 AI 服务器厂商扩展至更多领域。因此，美国数据中心审批放缓仅会影响部分订单，难以改变整体供需紧张格局。

ChainCatcher 消息，《The Information》调查韩国高端存储芯片走私链，并采访到一名 20 多岁的深圳经销商。他原本在芯片公司工作，靠积累的人脉转行做芯片黑市生意，入行仅 3 年，如今已一身名牌，每天忙着给买卖双方牵线。美国从 2024 年底开始限制向中国出口先进高带宽存储器 HBM，但规则留下漏洞：HBM 单独出口受到限制，若与处理器封装在一起，就可能改按处理器算力判断是否触及管制红线。一名 40 多岁的走私商控制了一家芯片设计公司，专门设计便宜且性能较差的服务器处理器。这些芯片少有人购买，却被用作采购韩国高端 HBM 的幌子。封装厂把三星、SK 海力士的 HBM 与这些处理器装在同一块基板上，按低性能处理器类别申报出口。货物经香港进入中国内地后，工坊再加热拆下 HBM，廉价处理器则被丢弃，拆卸稍有不慎就可能把存储器弄坏。一叠 HBM3E 在中国黑市的价格，一年前还只有几百美元，如今已涨到约 4000 美元。一颗 AI 芯片通常需要 6 至 8 叠，仅存储器就要花费 2.4 万至 3.2 万美元。部分存储器最终流向华为客户。华为下一代昇腾 960DT 计划于 2027 年第一季度推出，但国内 HBM 供应不足，华为已要求部分客户自行采购存储器。模仿者增多后，上述负责从韩国采购芯片的走私商打算明年卖掉公司控股权，担心路线扩散后引来韩国和美国监管部门严查。

ChainCatcher 消息，SK 集团董事长崔泰元于 31 日 OpenAI 首席执行官奥尔特曼共进午餐。业内人士透露，双方探讨了人工智能业务的合作事宜。 尽管双方会谈的具体内容尚未公开，但据推测，他们探讨了在高带宽内存（HBM）供应和下一代人工智能基础设施开发等方面的合作途径。SK 集团一直与 OpenAI 保持着密切的合作关系，包括作为其大型人工智能基础设施项目“星际之门”（Stargate）的关键合作伙伴。

ChainCatcher 消息，SK 海力士将于周二美股盘后公布 2026 年第三季度财报，并同步披露新的股东回报方案。市场关注高带宽存储器 HBM 需求、盈利表现，以及是否推出大规模特别股息。三星电子、日本铠侠等存储厂商也将陆续公布业绩。AI 基础设施需求推动存储芯片景气度上行。KB 证券分析师估计，韩国两大存储芯片厂商明年计划生产的存储器中，超过 70% 已被与大型科技公司签订的五年期供应协议覆盖。市场开始担忧 AI 资本支出回报及融资成本，投资者更关注订单质量、未来需求持续性和扩产节奏。韩国媒体此前报道，SK 海力士考虑发放约 16 万亿韩元（约 120 亿美元）特别股息；另有报道称新增股东回报最高可能达 60 万亿韩元（约 450 亿美元）。上述金额均未获公司正式确认。SK 海力士此前已宣布回购并注销价值 40 万亿韩元的库存股，并计划将 2025 年至 2027 年自由现金流的 50% 以上用于股东回报。

ChainCatcher 消息，加拿大皇家银行资本市场（RBC Capital）发布研报称，人工智能需求持续超过供给，高带宽内存（HBM）价格上涨有望支撑整体 DRAM 平均销售价格，存储芯片厂商 SK 海力士将持续受益于存储芯片上行周期。报告指出，2027 年 HBM 价格可能上涨 80% 到 100%。RBC 认为，DRAM 上行周期在已持续 14 个季度的基础上还将再持续五个季度，供应紧张预计持续到 2027 年。RBC 预计 SK 海力士第三季度业绩将略高于市场共识，营收料达 101.2 万亿韩元，调整后每份美国存托凭证收益为 8917 韩元（约合 6.72 美元）。三季度 DRAM 合约价环比上涨 20%，四季度可能再涨 15%。RBC 重申“跑赢大盘”评级，目标价 200 美元，较最新收盘价高出约 40%。美股市场上，SK 海力士股价周一大涨逾 4%，报 142.62 美元。野村证券近日表示，存储芯片短缺将持续至 2028 年，维持三星电子和 SK 海力士“买入”评级，目标价分别为 67 万韩元和 470 万韩元。韩国 KB 证券周一表示，两家企业市盈率已降至约 3 倍。本周三 SK 海力士将发布第三季度财报，据 FnGuide 调查，分析师预计营收 98.2 万亿韩元、营业利润 77 万亿韩元。据媒体报道，公司正考虑派发约 16 万亿韩元特别股息。

ChainCatcher 消息，三星电子和 SK 海力士计划于明年第二季度开始量产并交付 8 层 HBM4，供应给英伟达。据知情人士透露，英伟达将根据 Rubin Ultra 的 NVL 机架规模配备 8 层 HBM4，预计从明年年中开始，8 层 HBM4 的比例将显著增加。

ChainCatcher 消息，据《科创板日报》报道，韩国存储芯片企业 SK 海力士与三星电子将于本周分别公布 2026 年第三季度业绩，SK 海力士定于周三发布，三星电子定于周四发布。报道称，随 AI 芯片需求上涨及存储芯片价格走高，两家公司有望交出较强业绩，三季度合计营业利润预计达 184.4 万亿韩元，约合 1391 亿美元。三星电子 10 月 8 日公布的初步业绩显示，第三季度营收同比增长 127%，达 195 万亿韩元；营业利润 107.4 万亿韩元，约合 801.7 亿美元，上年同期为 12.17 万亿韩元，增长近 8 倍。据 FnGuide 调查的分析师预计，SK 海力士第三季度营收 98.2 万亿韩元，营业利润 77 万亿韩元。2025 年三星与 SK 海力士营业利润分别为 43.6 万亿韩元和 47.2 万亿韩元，合计 90.8 万亿韩元。若预测成真，三星将成为首家季度营业利润突破 100 万亿韩元的韩国企业。截至 10 月 23 日收盘，三星和 SK 海力士股价分别较 6 月底下跌 36% 和 52%。报道称，投资者将亮眼财报视为预期之内，关注焦点包括 HBM4 供应、长期协议和股东回报。TrendForce 预测明年 HBM 销售均价将较今年上涨 121%，三星和 SK 海力士明年产量已售罄。二季度财报中，三星披露与五家数据中心客户签订长期协议，SK 海力士与十余家客户敲定多年期合同。三星今年公布 90 万亿至 110 万亿韩元股东回报计划，并将在本月底确定约 30 万亿韩元的三季度现金分红。SK 海力士 8 月公布 40 万亿韩元回购计划，并停止推进 Solidigm 上市评估。KB 证券负责人 Kim Dong-won 称，尽管股价大幅回调，两家盈利预期已被上调，股票重估的关键催化剂预计是盈利增长的可持续性以及股东回报力度能否进一步加大。

ChainCatcher 消息，据科创板日报，英伟达首席执行官黄仁勋周四在柏林 GTC 大会期间接受媒体采访时表示，到 2029 年出现内存供应过剩的可能性不大。他说，内存很棒的一点是永远可以用得更多，并称 HBM 未来数年会持续得到应用。黄仁勋还表示，英伟达是全球首家将手机中使用的 LPDDR 内存引入数据中心的公司，这使其能效达到目前全球任何方案的两倍，因此将继续大量使用这类内存。他上周四称，客户对 AI 芯片的订购需求持续超过公司供应能力，新订单几乎每周、甚至每天都在涌入。过去一周，存储芯片股因市场担忧供应过剩和需求疲软而遭遇抛售。韩国一家知名媒体上周发表专栏，援引两位专家称，预计到 2029 年半导体将出现大量新增供应，存储芯片市场可能变成红海。周四纳斯达克综合指数收跌 2.6%，报 26008.86 点；闪迪跌 8.51%，SK 海力士跌 8.07%，希捷科技跌 7.86%，西部数据跌 6.43%，美光科技跌 6.23%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 20 日援引半导体业界报道，已被英伟达实质收购的 AI 芯片公司 Groq 正推进在下一代芯片中引入 DRAM 三维堆叠封装，以替代速度快但容量较小的 SRAM 方案。Groq 由前谷歌 TPU 设计者 Jonathan Ross 于 2016 年创立，报道称该公司去年被英伟达以迂回方式收购。报道称，Groq 正在评估的方案为 3DS，即通过硅通孔把 DRAM 芯片垂直连接的高容量封装。三维封装可将多颗裸片垂直堆叠并作为一颗芯片工作，相较平面方案缩小面积、提高电力效率。3DS 与 HBM 都使用硅通孔，但 HBM 侧重传输速度，3DS 维持既有 DRAM 接口并聚焦容量扩张。匿名业界人士表示，Groq 计划在下一代芯片采用三维封装，堆叠的是 DRAM 而非 SRAM；另一名人士称，市场需求转向更大容量芯片，Groq 因此选择在容量上更有优势的 DRAM。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，美光科技（Micron）台湾桃园工会于 10 月 20 日宣布，计划于本周四发起罢工，以抗议员工奖金与利润分享方案争议，并声援正在与公司进行调解谈判的台中工会。目前，桃园工会与美光的调解已于 9 月破裂，前者于 10 月初获得成员罢工授权。台中工会代表美光在台湾规模最大的运营部门，目前仍在与公司谈判，尚未就是否罢工进行投票。美光在台湾拥有约 15,000 名员工，主要生产 AI 服务器关键组件 DRAM 和高带宽内存（HBM）。桃园工会未说明罢工具体时长，台湾地区领导人赖清德上周呼吁双方真诚协商。

ChainCatcher 消息，美光科技副总裁李哲在首尔 COEX 举行的韩国半导体展 SEDEX 2026 上表示，公司正在研发面向物理 AI 的边缘推理存储器 EIM。业内预计该产品将于 2028 年下半年量产。美光正研究把 EIM 用于 LPDDR6，以服务自动驾驶、人形机器人等对低功耗 DRAM 的需求，并正与主要客户讨论相关产品。科创板日报报道，EIM 位于 AI 芯片与内存之间，做法是把 LPDDR 堆叠在逻辑芯片上，以高速处理推理数据，计算架构尚未完全公开。李哲称，目前机器人 AI 模型约 10 亿至 20 亿参数，带宽需求不高；更先进的视觉语言模型出现后，仅靠 LPDDR 不够，HBM 最终会用于人形机器人。美光预计，未来高性能人形机器人约需 200 GB DRAM 和 4 TB 存储，目前服务型机器人约为 12 GB DRAM 和 256 GB 存储。美光 CEO 桑贾伊·梅洛特拉称，人形机器人单机存储容量是普通 L2+ 乘用车的约 10 倍，存储行业或从 2030 年前后进入持续数十年的需求增长，原因包括需同步处理上百路传感器数据，并在本地运行大模型做毫秒级控制。Counterpoint Research 预计，全球人形机器人 DRAM 需求将从今年约 8300 Tbit 增至 2030 年约 17.2 万 Tbit。

ChainCatcher 消息，英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技采用台积电 3nm 制程的基底裸片为其生产 NVHBM，核心裸片则采用第六代 DRAM 技术。三星电子已决定接受英伟达的技术要求，但对涉及客户的事项不予评论。

ChainCatcher 消息，三星电子将采用台积电的 3 纳米制程，为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片，并使用第六代 DRAM 技术。三星计划继续自主生产标准 HBM 和其他客户的定制产品。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 报道，存储芯片厂商 SK 海力士在扩大第六代高带宽内存 HBM4 量产的同时，部分后道设备业内人士认为扩产速度慢于预期，今年计划追加的部分设备订单可能推迟至明年。设备业人士称，原定今年下半年交付的部分设备出现延后迹象，后续订单计划也尚未明确。有匿名人士表示，部分原计划今年投入的设备或改至明年，已交付设备是否满负荷运转也尚无数据确认。明年 HBM4 相关投资计划尚未具体传达给部分合作方，今年订单已大体完成，但未见明确的增减投资信号。报道称，设备投资日程与产品质量问题之间的直接关联尚未得到确认。大信证券研究员柳亨根认为，主要客户 HBM4 质量问题导致业绩低于预期的担忧过度，后道环节或曾出现部分问题，但难以视为无法解决的风险，也尚未到讨论不良赔偿的阶段。另有业内说法称，在通用内存价格上涨背景下，部分 HBM 投资或转向通用内存。SK 海力士计划优先向龙仁集群 Y1 晶圆厂首个洁净室导入 DRAM 生产设备，业界预计初期产线采用第六代 10 纳米级 1c 工艺，新增产能将优先分配给通用 DRAM。也有观点认为，仅凭部分后道设备日程变化，尚不足以判断 HBM4 量产受阻，SK 海力士已向主要客户供应 HBM4 16 层样品。

ChainCatcher 消息，X 账号 pequityresearch 发文称，彭博旗下研究机构彭博情报预计，高带宽内存市场规模到 2030 年将达到 6410 亿美元，高于此前 2600 亿美元的预测。该账号援引的预测还显示，彭博情报预计 HBM3E 与 HBM4 价格将在 2027 年上涨 30% 至 45%，高带宽内存平均价格将从 2026 年的 15.46 美元升至 2030 年的 34.94 美元。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。

ChainCatcher 消息，据韩媒报道，三星电子已就明年存储供应签署长期协议，覆盖比例约为 75% 至 80%，其中包括高带宽内存。报道称，三星电子已与英伟达、谷歌、微软等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士与美光也在加快锁定供应量，并与主要客户签署一系列大规模长期合同。三星电机据称接近与台湾电力电子公司台达电子签署价值 7000 亿韩元的长期协议，用于供应多层陶瓷电容器。