BTC $75,773.62 -5.99%
ETH $2,228.58 -8.21%
BNB $687.69 -4.35%
XRP $1.21 -7.59%
SOL $89.06 -6.95%
TRX $0.3177 -0.65%
DOGE $0.0708 -8.27%
ADA $0.1799 -9.27%
BCH $269.77 -4.32%
LINK $10.63 -7.21%
HYPE $76.84 -8.41%
AAVE $127.60 -3.67%
SUI $0.8385 -10.13%
XLM $0.1531 -8.83%
ZEC $1,267.14 -2.82%
AAPL $343.70 -1.90%
AMZN $255.55 -3.94%
GOOGL $279.25 -4.25%
MSFT $528.66 -4.82%
META $597.02 -5.66%
NVDA $180.63 -10.41%
TSLA $339.10 -11.62%
SNDK $812.89 -21.47%
INTC $51.47 -11.71%
SPCX $122.54 -9.29%
MU $660.19 -16.89%
AMD $403.48 -17.48%
BTC $75,773.62 -5.99%
ETH $2,228.58 -8.21%
BNB $687.69 -4.35%
XRP $1.21 -7.59%
SOL $89.06 -6.95%
TRX $0.3177 -0.65%
DOGE $0.0708 -8.27%
ADA $0.1799 -9.27%
BCH $269.77 -4.32%
LINK $10.63 -7.21%
HYPE $76.84 -8.41%
AAVE $127.60 -3.67%
SUI $0.8385 -10.13%
XLM $0.1531 -8.83%
ZEC $1,267.14 -2.82%
AAPL $343.70 -1.90%
AMZN $255.55 -3.94%
GOOGL $279.25 -4.25%
MSFT $528.66 -4.82%
META $597.02 -5.66%
NVDA $180.63 -10.41%
TSLA $339.10 -11.62%
SNDK $812.89 -21.47%
INTC $51.47 -11.71%
SPCX $122.54 -9.29%
MU $660.19 -16.89%
AMD $403.48 -17.48%

electron

Tất cả
Bài viết
Tin nhanh

Hewlett-Packard, Dell lo ngại về nguồn cung bảng mạch vào năm 2027, Amazon đầu tư vào Jinxing Electronics

Cơn sốt AI đã dẫn đến tình trạng thiếu hàng từ GPU, bộ nhớ cho đến bảng mạch. Khi lập kế hoạch chuỗi cung ứng năm 2027, HP và Dell phát hiện rằng ngay cả bảng mạch in trước đây không nổi bật cũng có thể đối mặt với tình trạng thiếu hàng. Vào tháng 9 năm nay, Amazon đã chi khoảng 15,9 tỷ Đài tệ để đầu tư vào nhà máy bảng mạch Đài Loan, Jinxiang Electronics, từ khách hàng trở thành cổ đông.Máy chủ AI cần bảng mạch với nhiều lớp hơn và tổn thất tín hiệu thấp hơn, bảng mạch đóng gói chip cũng ngày càng lớn hơn, thúc đẩy nhu cầu về các vật liệu quan trọng như vải sợi thủy tinh đặc biệt và bảng đồng phủ. Các nhà cung cấp ưu tiên đáp ứng các đơn hàng AI có lợi nhuận cao hơn, trong khi máy chủ thông thường bị chèn ép, thời gian giao hàng của một số bảng mạch máy chủ thông thường đã gần một năm.Công suất của các vật liệu quan trọng khó có thể theo kịp nhu cầu trong ngắn hạn. Công ty tư vấn TrendForce ước tính rằng Nitto Denko của Nhật Bản nắm giữ khoảng 90% thị trường vải sợi thủy tinh T-glass toàn cầu, và công suất mới nhất sớm nhất phải đến giữa năm 2027 mới có thể đi vào sản xuất. Chủ tịch của nhà máy bảng mạch Đài Loan, Xinxing Technology, đã cảnh báo vào ngày 20 tháng 10 rằng vào năm 2027, một số vật liệu quan trọng có thể thiếu khoảng 20%, và thời gian giao hàng của một số thiết bị sản xuất bảng mạch chip thậm chí có thể kéo dài đến 30 tháng.

first_img Samsung Electronics điều chỉnh giảm sản lượng điện thoại tầm trung và thấp trong quý 4, nguồn cung nguyên liệu PCB bị cản trở

Theo báo cáo của ZDNet Korea vào ngày 15 tháng 10, Samsung Electronics đã điều chỉnh kế hoạch sản xuất điện thoại thông minh tầm trung và thấp trong quý 4, với lý do bao gồm giá chip lưu trữ tăng và nguồn cung vật liệu PCB CCL bị cản trở. Công ty Nitto Denko của Nhật Bản đã chuyển nhiều năng lực sản xuất sang T-glass cho bán dẫn AI có lợi nhuận cao hơn, giảm sản lượng E-glass cho PCB điện thoại thông minh, dẫn đến tình trạng cung ứng không ổn định và giá cả tăng. E-glass được sử dụng cho các tấm bán cứng HDI và RFPCB trên bo mạch chính của điện thoại thông minh.Báo cáo cho biết, việc tăng giá lưu trữ đã đẩy cao chi phí sản xuất, khiến Samsung giảm đơn đặt hàng các linh kiện liên quan. Các mẫu điện thoại tầm trung như Galaxy A có lợi nhuận thấp, khó có thể tăng sản lượng đáng kể, trong khi giá của các mẫu cơ bản tầm trung năm nay đã tăng hơn 100.000 won Hàn Quốc so với thế hệ trước. Dự báo đơn đặt hàng linh kiện cho quý 4 mà Samsung truyền đạt cho các đối tác tương ứng với tổng lượng điện thoại thông minh xuất xưởng trong năm đạt hơn 230 triệu chiếc, thấp hơn so với dự kiến 240 triệu chiếc của ngành linh kiện, và cũng giảm 20% đến 30% so với trước kỳ nghỉ Trung Thu. Kế hoạch kinh doanh điện thoại cho năm tới vẫn chưa được chia sẻ với các đối tác như những năm trước.Dự báo sản lượng hàng tháng cho quý 4 vào giữa tháng 9 là 14,3 triệu chiếc cho tháng 10, 9,5 triệu chiếc cho tháng 11, và 7,6 triệu chiếc cho tháng 12, tổng cộng 31,4 triệu chiếc; đầu tháng này đã điều chỉnh xuống còn 9,9 triệu chiếc cho tháng 10, 7,6 triệu chiếc cho tháng 11, và 6,7 triệu chiếc cho tháng 12, tổng cộng 24,2 triệu chiếc, giảm 23%. Trong khi sản lượng tầm trung bị điều chỉnh giảm, kế hoạch xuất hàng cho các flagship như Galaxy S27 vào đầu năm tới vẫn duy trì ở mức cao, và dự kiến lượng xuất hàng màn hình gập cũng sẽ tăng. MX và bộ phận mạng đã lỗ 735 tỷ won trong quý 2, trong khi dự báo lỗ của ngành chứng khoán cho cả năm là 400 tỷ won.

first_img Samsung Electronics lên kế hoạch ba mẫu zNAND, hướng tới lưu trữ AI tùy chỉnh

Theo báo cáo của ZDNet Korea vào ngày 12 tháng 10, Samsung Electronics đang mở rộng phạm vi ứng dụng của bộ nhớ flash NAND thế hệ tiếp theo zNAND, và dự kiến sẽ phân loại sản phẩm thành 3 loại: zNAND-O, zNAND-T, zNAND-I ngoài zNAND-O đã được công bố. Báo cáo cho biết, Samsung Electronics chưa chính thức công bố hai sản phẩm sau, nhưng ngành công nghiệp đã biết rằng các kế hoạch liên quan đã bước vào giai đoạn phát triển ban đầu để đáp ứng nhu cầu lưu trữ tùy chỉnh ngày càng tăng trong cơ sở hạ tầng AI.zNAND-O hướng đến AI phía đầu cuối. Khác với phương pháp gắn dây truyền thống, giải pháp này xếp chồng NAND theo chiều dọc 4 lớp hoặc 8 lớp thông qua lỗ xuyên silicon, rút ngắn đường truyền dữ liệu và nâng cao tốc độ cũng như hiệu suất năng lượng. Samsung Electronics đã lần đầu tiên công bố mô hình zNAND-O tại một sự kiện liên quan đến bộ nhớ ở Mỹ vào tháng 8 năm nay.zNAND-T tập trung vào thông lượng, hướng đến các trung tâm dữ liệu AI có dung lượng cao và hiệu suất cao, cũng sử dụng xếp chồng theo chiều dọc và lỗ xuyên silicon để mở rộng băng thông, ngành công nghiệp gọi đây là bộ nhớ flash băng thông cao. zNAND-I tập trung vào việc nâng cao số lần nhập xuất mỗi giây, được sử dụng cho việc xử lý thường xuyên các dữ liệu tạm thời dung lượng nhỏ như bộ nhớ cache khóa-giá trong suy diễn AI. Báo cáo cũng đề cập rằng SK Hynix cũng đang phát triển các dòng sản phẩm AI NAND như AIN P, AIN D, AIN B.

first_img Giám đốc điều hành của Samsung Electronics: Dự kiến năm tới HBM sẽ chiếm gần 30% công suất sản xuất wafer DRAM

Theo báo cáo của truyền thông vào ngày 29 tháng 9, Phó Chủ tịch điều hành của Samsung Electronics, Kim Taewoo cho biết: Dự kiến vào năm tới, HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất DRAM, hiện tại tỷ lệ này khoảng 20%. Ông cho biết, HBM và DRAM truyền thống đang cạnh tranh cho cùng một công suất wafer, việc mở rộng sản xuất HBM có thể sẽ gây áp lực lên nguồn cung DRAM truyền thống.TrendForce trước đó đã dự đoán, đến cuối năm 2027, ba nhà cung cấp HBM lớn nhất toàn cầu sẽ đầu tư vào wafer HBM khoảng 30% tổng đầu tư wafer DRAM, nhưng tính theo dung lượng lưu trữ chỉ có thể đóng góp khoảng 13% tổng nguồn cung DRAM. Ngoài ra, theo báo cáo của truyền thông vào ngày 20 tháng 9, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng bao gồm Nvidia; ngành công nghiệp dự đoán lượng wafer HBM trung bình hàng tháng của Samsung sẽ tăng từ khoảng 180.000 wafer năm nay lên khoảng 250.000 wafer vào năm tới.TrendForce cũng cho biết vào cùng ngày, nhu cầu máy chủ AI vẫn tiếp tục, HBM và DRAM thông dụng sẽ vẫn chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, nguồn cung lưu trữ vào năm 2027 sẽ duy trì tình trạng căng thẳng, và đã điều chỉnh dự báo giá HBM năm 2027, dự kiến giá bán trung bình hỗn hợp sẽ tăng 121% so với năm trước. Do nguồn cung hạn chế và chi phí hệ thống tăng, HBM 8 lớp dự kiến sẽ trở thành giải pháp ưu tiên được nhiều nhà sản xuất đánh giá vào năm 2027, với giá bán mỗi Gb sẽ cao hơn khoảng 10% đến 20% so với sản phẩm 12 lớp.

first_img Samsung Electronics tăng tốc xây dựng dây chuyền sản xuất hàng loạt đầu tiên tại Bình Trạch P5, mục tiêu đưa thiết bị vào sớm hơn vào quý hai năm sau

Theo báo cáo của ZDNet Korea ngày 28 tháng 9, Samsung Electronics đang tăng tốc xây dựng dây chuyền sản xuất đầu tiên (Ph1) tại khu công nghiệp P5 ở Bình Châu, và đang thảo luận với các nhà cung cấp thiết bị chính về việc chuyển thiết bị Ph1 từ kế hoạch ban đầu vào quý 3 năm sau lên quý 2 năm sau. P5 là cơ sở sản xuất bán dẫn thế hệ tiếp theo với mục tiêu đi vào sản xuất vào năm 2028, và đã bắt đầu xây dựng phòng sạch Ph1 vào quý 3 năm nay.Samsung Electronics trước đó đã đẩy nhanh việc hoàn thành xây dựng phòng sạch P5 Ph1 từ đầu năm sau xuống khoảng 6 tháng, do đó việc đưa thiết bị vào dự kiến sẽ diễn ra vào khoảng quý 3 năm sau. Các chuyên gia trong ngành cho biết, thời gian bắt đầu chuyển thiết bị dự kiến sẽ được đẩy lên từ tháng 7 đến tháng 8 năm sau xuống khoảng tháng 5 đến tháng 6 năm sau; một số người khác cho biết, Samsung thậm chí đã đề xuất giao thiết bị vào quý 1 năm sau, lưu trữ tạm thời tại các địa điểm khác, cho thấy ý định đầu tư sớm của họ rất mạnh mẽ.Cuộc thảo luận về đầu tư giai đoạn thứ hai của P5 (Ph2) cũng đang được tiến hành. Hiện tại, Ph1 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất DRAM và HBM, trong khi Ph2 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất NAND tiên tiến bao gồm thế hệ thứ mười (V10). Các chuyên gia trong ngành thiết bị cho biết, đơn đặt hàng chính thức vẫn chưa được phát hành, nhưng Samsung đã thảo luận với các đối tác để xây dựng Ph2 thành dây chuyền sản xuất NAND, và do chu kỳ giao hàng thiết bị dài, yêu cầu chuẩn bị sẵn các linh kiện liên quan. Các báo cáo cho thấy, các công ty công nghệ lớn trên toàn cầu đang tăng cường đơn hàng DRAM và NAND hiệu suất cao cho cơ sở hạ tầng AI, trong khi năng lực sản xuất của các công ty lưu trữ như Samsung bị hạn chế. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả kinh doanh quý 2 vào tháng 7, Samsung đã cho biết rằng nhu cầu không được đáp ứng trong năm nay sẽ kéo dài đến năm sau, và tình trạng thiếu hụt cung sẽ nghiêm trọng hơn năm nay, và dự kiến tình trạng thiếu hụt sẽ kéo dài đến năm 2028.
app_icon
ChainCatcher Building the Web3 world with innovations.