bm

IBM doanh thu quý ba năm tài chính 2026 đạt 17.1 tỷ USD, tăng khoảng 5% so với cùng kỳ năm trước, lợi nhuận trên mỗi cổ phiếu điều chỉnh đạt 2.95 USD, đều vượt qua kỳ vọng của các nhà phân tích. Công ty đã điều chỉnh dự báo tăng trưởng doanh thu phần mềm cả năm lên khoảng 7%--8%, và nâng dự báo tăng trưởng dòng tiền tự do cả năm lên trên 1 tỷ USD.Trước đó, các giao dịch phần mềm và máy lớn đã bị trì hoãn do chi tiêu của khách hàng chuyển sang cơ sở hạ tầng trung tâm dữ liệu bắt đầu ký kết. Dòng tiền tự do trong chín tháng đầu năm đạt 8 tỷ USD, lập kỷ lục cao nhất trong cùng kỳ lịch sử. Giá cổ phiếu IBM giảm 4.95% sau giờ giao dịch, còn 239.02 USD.

NVIDIA đã yêu cầu Samsung Electronics, SK Hynix và Micron Technology sử dụng chip nền 3nm của TSMC để sản xuất NVHBM, trong khi chip lõi sẽ sử dụng công nghệ DRAM thế hệ thứ sáu. Samsung Electronics đã quyết định chấp nhận yêu cầu kỹ thuật của NVIDIA, nhưng không bình luận về các vấn đề liên quan đến khách hàng.

Theo báo cáo của DealSite, nhà sản xuất chip lưu trữ SK Hynix đang mở rộng sản xuất hàng loạt bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4, trong khi một số chuyên gia trong ngành thiết bị cho rằng tốc độ mở rộng sản xuất chậm hơn dự kiến, một số đơn hàng thiết bị bổ sung dự kiến trong năm nay có thể bị hoãn đến năm sau.Các chuyên gia trong ngành thiết bị cho biết, một số thiết bị dự kiến giao trong nửa cuối năm nay đã có dấu hiệu trì hoãn, và kế hoạch đơn hàng tiếp theo vẫn chưa được xác định rõ. Một người giấu tên cho biết, một số thiết bị dự kiến đưa vào sử dụng trong năm nay có thể sẽ được chuyển sang năm sau, và vẫn chưa có dữ liệu xác nhận xem các thiết bị đã giao có hoạt động hết công suất hay không. Kế hoạch đầu tư liên quan đến HBM4 trong năm tới vẫn chưa được truyền đạt cụ thể cho một số đối tác, đơn hàng năm nay đã hoàn thành về cơ bản, nhưng chưa thấy tín hiệu rõ ràng về việc tăng hoặc giảm đầu tư. Báo cáo cho biết, mối liên hệ trực tiếp giữa lịch trình đầu tư thiết bị và vấn đề chất lượng sản phẩm vẫn chưa được xác nhận.Nhà nghiên cứu của Đại Tín Chứng Khoán, Liu Henggen, cho rằng lo ngại về việc khách hàng chính gặp vấn đề chất lượng HBM4 dẫn đến hiệu suất thấp hơn dự kiến là quá mức, có thể đã xuất hiện một số vấn đề ở giai đoạn sau, nhưng khó có thể coi đó là rủi ro không thể giải quyết, và cũng chưa đến giai đoạn thảo luận về bồi thường không tốt. Cũng có ý kiến trong ngành cho rằng, trong bối cảnh giá bộ nhớ chung tăng, một số đầu tư HBM có thể sẽ chuyển sang bộ nhớ chung. SK Hynix dự kiến sẽ ưu tiên đưa thiết bị sản xuất DRAM vào phòng sạch đầu tiên tại nhà máy wafer Y1 ở Yongin, ngành công nghiệp dự đoán dây chuyền sản xuất ban đầu sẽ sử dụng quy trình 10 nanomet thế hệ thứ sáu 1c, và công suất mới sẽ được phân bổ ưu tiên cho DRAM chung. Cũng có quan điểm cho rằng, chỉ dựa vào sự thay đổi lịch trình của một số thiết bị giai đoạn sau là chưa đủ để xác định việc sản xuất hàng loạt HBM4 bị cản trở, SK Hynix đã cung cấp mẫu HBM4 16 lớp cho các khách hàng chính.

Tài khoản pequityresearch đã đăng rằng, tổ chức nghiên cứu thuộc Bloomberg dự đoán, quy mô thị trường bộ nhớ băng thông cao sẽ đạt 641 tỷ USD vào năm 2030, cao hơn so với dự đoán trước đó là 260 tỷ USD.Dự đoán được tài khoản này trích dẫn cũng cho thấy, Bloomberg dự đoán giá HBM3E và HBM4 sẽ tăng từ 30% đến 45% vào năm 2027, giá trung bình của bộ nhớ băng thông cao sẽ tăng từ 15,46 USD vào năm 2026 lên 34,94 USD vào năm 2030.

Mạng lưới thanh toán tổ chức Lynq hướng tới thị trường tài sản kỹ thuật số và sàn thanh toán stablecoin The Better Money Company (TBMC) đã công bố hoàn thành một thử nghiệm khái niệm theo thời gian thực, cho thấy thanh toán tổ chức có thể hoàn thành trong vài phút. Thử nghiệm này thuộc giai đoạn đầu tiên của sự hợp tác giữa hai bên, sử dụng quy trình tiền gửi trước, hoàn thành thanh toán stablecoin trên Lynq.Trong thử nghiệm khái niệm, TBMC đã chuyển đổi tài sản của khách hàng được lưu trữ trên Lynq thành RLUSD, và thanh toán hoàn thành trong vài phút. Thử nghiệm sử dụng tài khoản sản xuất thực và đối tác tổ chức thực, quy trình thanh toán đã bỏ qua cửa sổ ngân hàng truyền thống. Lãi suất tiếp tục được tính trong thời gian giữ tài sản trong quá trình thanh toán, việc tính toán sử dụng chức năng Yield in Transit của Tassat, xác định lãi suất phải tính dựa trên thời gian giữ tài sản.Người sáng lập và CEO của TBMC, Sam Broner, cho biết: "Stablecoin cần trở thành cơ sở hạ tầng tổ chức có ý nghĩa, cần phải tham gia vào quy trình thanh toán thực; thử nghiệm này cho thấy có thể xử lý sự phân mảnh của stablecoin thông qua việc chuyển nhượng tài sản thế chấp trên chuỗi, mà không phụ thuộc vào tín dụng và thanh toán ngân hàng truyền thống để kết nối." CEO của Lynq, Jerald David, cho biết: "Các tổ chức không thiếu vốn, mà thiếu là việc chuyển tiền đến đúng nơi theo hình thức đúng khi cần; quy mô của thử nghiệm này được cố ý làm nhỏ, nhưng cho thấy đồng đô la kỹ thuật số có thể được thanh toán giữa các tổ chức trong vài phút, và không thay thế tốc độ bằng sự thuận tiện tín dụng." Lynq cho biết, stablecoin gốc của nền tảng hiện đang hướng tới mục tiêu vào cuối năm 2026.

TrendForce ngày 12 tháng 10 dẫn nguồn từ Chosun Biz báo cáo, với việc AI đóng gói chứa nhiều chip tính toán và lưu trữ hơn, lớp trung gian kết nối chip tính toán với HBM dự kiến sẽ lớn hơn đáng kể, việc tản nhiệt HBM thế hệ tiếp theo trở nên quan trọng hơn. Samsung Electronics đang chuẩn bị nhiều công nghệ để đối phó với thách thức tản nhiệt HBM4E dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm tới.Hiện tại, diện tích lớp trung gian AI đã khoảng 5,5 lần diện tích lớn nhất mà máy khắc EUV có thể phơi sáng một lần là 858 mm vuông. Các chuyên gia trong ngành thiết bị bán dẫn dự đoán, lớp trung gian mang HBM có thể mở rộng lên đến 9 lần, 12 lần diện tích đó, cuối cùng khoảng 40 lần. Nguyên nhân bao gồm việc thu nhỏ quy trình bị hạn chế và sự phổ biến của đóng gói chiplet kiểu 2.5D, chip đơn lẻ với quy trình tiên tiến khó đáp ứng nhu cầu tính toán AI, nhiều chiplet tính toán và HBM được xếp chồng lên cùng một lớp trung gian.Samsung đang xem xét việc kết hợp liên kết đồng và khối đường dẫn nhiệt. Cái trước kết nối đồng với đồng trực tiếp thay thế các điểm nhô vi giữa các hạt DRAM xếp chồng, có thể thu hẹp khoảng cách giữa các lớp, làm cho việc xếp chồng mỏng hơn và cải thiện tản nhiệt, Samsung đã trình diễn vào tháng 3 năm 2026 tại NVIDIA GTC. Khối đường dẫn nhiệt chịu trách nhiệm thiết lập đường dẫn nhiệt chuyên dụng cho khu vực D2D PHY truyền tải tốc độ cao với GPU trên các hạt cơ sở HBM, Samsung đang xác minh với HBM4E và dự định áp dụng trong HBM5. Theo ETNews, iHBM của SK Hynix đã đặt vật liệu làm mát có độ dẫn nhiệt cao nhưng cách điện xung quanh khu vực D2D PHY nơi nhiệt tập trung, dự kiến có thể giảm điện trở nhiệt khoảng 30%.

Theo báo cáo của nhật báo kinh tế Hàn Quốc, sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo "12 lớp HBM4E" của Samsung Electronics đã vượt qua kiểm tra chất lượng của NVIDIA và các nhà điều hành trung tâm dữ liệu quy mô lớn chính.

Theo báo cáo của PRNewswire, Chủ tịch công ty Bitmine Tom Lee cho biết, khi thị trường tiền điện tử bước vào chu kỳ bò mà ông cho là, giá cổ phiếu Bitmine (BMNR) trong giai đoạn thị trường gấu từ năm 2025 đến 2026 đáng chú ý so với hiệu suất của Ethereum (ETH).Trong 9 tháng đầu năm 2026, giá ETH giảm 10%, trong khi BMNR chỉ giảm 3%, đạt được khoảng 731 điểm cơ bản (7,31 điểm phần trăm) vượt trội hơn. Hiệu suất giá cổ phiếu của BMNR phản ánh cam kết của công ty trong việc tối ưu hóa lợi nhuận cho cổ đông, bao gồm việc thực hiện kế hoạch mua lại cổ phiếu kho bạc lớn nhất trong ngành tiền điện tử, chỉ trong năm 2026 đã mua lại 21 triệu cổ phiếu.Ngoài ra, Tom Lee cũng chỉ ra rằng, từ quý 3 năm 2026 đến nay, ETH đã vượt trội hơn 6832 điểm cơ bản so với chỉ số S&P 500. Trong bối cảnh áp lực vĩ mô như lập trường của Cục Dự trữ Liên bang nghiêng về phía diều hâu, giá dầu tăng, lợi suất trái phiếu toàn cầu tăng và môi trường tài chính thắt chặt, ETH vẫn thể hiện hiệu suất mạnh mẽ, dẫn đầu các tài sản vĩ mô chính khác.

Theo dữ liệu từ Gate, cổ phiếu phần mềm Mỹ tăng cao, IBM tăng 5%, ServiceNow tăng 4.8%, Salesforce tăng 3%.

Theo báo cáo của truyền thông vào ngày 29 tháng 9, Phó Chủ tịch điều hành của Samsung Electronics, Kim Taewoo cho biết: Dự kiến vào năm tới, HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất DRAM, hiện tại tỷ lệ này khoảng 20%. Ông cho biết, HBM và DRAM truyền thống đang cạnh tranh cho cùng một công suất wafer, việc mở rộng sản xuất HBM có thể sẽ gây áp lực lên nguồn cung DRAM truyền thống.TrendForce trước đó đã dự đoán, đến cuối năm 2027, ba nhà cung cấp HBM lớn nhất toàn cầu sẽ đầu tư vào wafer HBM khoảng 30% tổng đầu tư wafer DRAM, nhưng tính theo dung lượng lưu trữ chỉ có thể đóng góp khoảng 13% tổng nguồn cung DRAM. Ngoài ra, theo báo cáo của truyền thông vào ngày 20 tháng 9, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng bao gồm Nvidia; ngành công nghiệp dự đoán lượng wafer HBM trung bình hàng tháng của Samsung sẽ tăng từ khoảng 180.000 wafer năm nay lên khoảng 250.000 wafer vào năm tới.TrendForce cũng cho biết vào cùng ngày, nhu cầu máy chủ AI vẫn tiếp tục, HBM và DRAM thông dụng sẽ vẫn chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, nguồn cung lưu trữ vào năm 2027 sẽ duy trì tình trạng căng thẳng, và đã điều chỉnh dự báo giá HBM năm 2027, dự kiến giá bán trung bình hỗn hợp sẽ tăng 121% so với năm trước. Do nguồn cung hạn chế và chi phí hệ thống tăng, HBM 8 lớp dự kiến sẽ trở thành giải pháp ưu tiên được nhiều nhà sản xuất đánh giá vào năm 2027, với giá bán mỗi Gb sẽ cao hơn khoảng 10% đến 20% so với sản phẩm 12 lớp.

IBM thông báo rằng khách hàng của nền tảng quản lý tài sản kỹ thuật số IBM Digital Asset Haven hiện đã có thể kết nối với mạng blockchain có giấy phép, bao gồm sổ cái chia sẻ dựa trên blockchain của Swift. Một phiên bản thử nghiệm mới của bộ điều hợp thông điệp ISO 20022 cho phép các tổ chức tài chính khởi tạo giao dịch gửi tiền token hóa thông qua sổ cái này, sử dụng thông điệp thanh toán tiêu chuẩn. IBM cho biết, các tổ chức tài chính tham gia vào các chương trình liên quan đến Swift đã sử dụng Digital Asset Haven để thử nghiệm gửi tiền token hóa trên sổ cái này. Sổ cái hỗ trợ gửi tiền token hóa do ngân hàng phát hành, cho phép các khách hàng của IBM tham gia chuyển đổi tài sản kỹ thuật số 24/7, và việc thanh toán cuối cùng vẫn được thực hiện thông qua hệ thống hiện có.Swift lần đầu tiên công bố sổ cái này tại Sibos 2025, dựa trên nguyên mẫu được phát triển hợp tác với Consensys, với sự tham gia của hơn 40 tổ chức tài chính trong thiết kế, trong đó 17 tổ chức đang tham gia thí điểm gửi tiền token hóa. Hiện tại, Swift kết nối với hơn 12,500 tổ chức tài chính trên hơn 200 thị trường toàn cầu. Bộ điều hợp thông điệp nêu trên cho phép các ngân hàng tiếp tục sử dụng định dạng thông điệp thanh toán và quy trình hoạt động hiện có mà không cần áp dụng quy trình làm việc riêng biệt cho blockchain.IBM cũng mở rộng Digital Asset Haven đến phiên bản thử nghiệm triển khai tại chỗ, phiên bản này có thể được cài đặt trên IBM Z và IBM LinuxONE của khách hàng để quản lý các tài sản kỹ thuật số như stablecoin, gửi tiền token hóa mà không cần phụ thuộc vào cơ sở hạ tầng đám mây công cộng. IBM cho biết, nền tảng và lớp quản lý khóa hoàn toàn được giữ lại trong môi trường của khách hàng, với khóa được bảo vệ bởi mô-đun bảo mật phần cứng IBM Crypto Express.

Trong tập 166 của podcast BidClub, nhà thiết kế chip Bubble boi cho biết, bộ nhớ flash băng thông cao về mặt kỹ thuật có sức hấp dẫn, nhưng thiếu các trường hợp sử dụng trung tâm dữ liệu quyết định. Thông tin mà anh đưa ra là, khách hàng chính mà anh nghe nói là những khách hàng Trung Quốc khó có thể tiếp cận hoặc sản xuất HBM cao cấp.Bubble boi cho biết, HBF và độ trễ bộ nhớ flash AI cao cấp đều khoảng 5 micro giây, băng thông thấp hơn HBM, chi phí mỗi bit thấp hơn nhưng tổng chi phí có thể tương đương. Anh cho rằng khách hàng rõ ràng nhất là những người không thể tiếp cận HBM, điều này phù hợp với nhu cầu Trung Quốc mà anh nghe từ hai đến ba người, vì họ không thể sản xuất đầy đủ bộ tăng tốc, hoặc sẵn sàng chấp nhận sản phẩm không theo thông số kỹ thuật hàng đầu.

Theo báo cáo của Money Today vào ngày 21 tháng 9, Samsung Electronics đang thúc đẩy mở rộng năng lực sản xuất quy trình tiên tiến trong lĩnh vực gia công wafer do sự tăng trưởng của thị trường HBM, nhằm đáp ứng nhu cầu gia tăng đối với chip nền HBM4 đang được đánh giá để mở rộng quy trình 4 nanomet. HBM4 của Samsung bao gồm chip DRAM lõi thế hệ 6 (1c) ở mức 10 nanomet và chip nền logic 4 nanomet, chip nền chịu trách nhiệm trao đổi dữ liệu tốc độ cao với GPU và các bộ tăng tốc AI khác.Khác với SK Hynix sử dụng quy trình 12 nanomet của TSMC, Samsung sử dụng quy trình 4 nanomet tự sản xuất cho chip nền HBM4. Dây chuyền sản xuất này đã hoạt động hết công suất và nhận đơn hàng từ Nvidia Groq 3 LPU, công ty gần đây đã điều chỉnh tăng giá cho các đơn hàng mới 4 nanomet và chip nền HBM4. Samsung dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng hơn 3 lần so với quý trước, và tỷ lệ HBM4 trong doanh thu HBM nửa cuối năm sẽ cao hơn 60%. Việc mở rộng sản xuất P4 tại Pyeongtaek chủ yếu sẽ được sử dụng cho DRAM 1c cho HBM, hơn một nửa năng lực sản xuất 4 nanomet trong gia công wafer đã được phân bổ cho chip nền HBM4.HBM4E cũng sử dụng chip nền 4 nanomet, Samsung đã cung cấp mẫu cho khách hàng vào tháng 5. Công ty cũng đang đánh giá việc xây dựng dây chuyền sản xuất mới 2 nanomet cho HBM5, với mục tiêu sử dụng cấu trúc GAA quy trình 2 nanomet và tăng mật độ TSV, nhằm nâng cao tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Citigroup dự đoán nhu cầu HBM toàn cầu năm tới sẽ đạt 75,2 tỷ Gb, tăng 62% so với năm trước, cung cấp khoảng 59,4 tỷ Gb, thiếu hụt khoảng 21%.

Theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics dự kiến sẽ mở rộng sản lượng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 và thế hệ thứ bảy HBM4E trong năm tới ít nhất gấp đôi so với năm nay. Công ty dự định tăng lượng kính nền cần thiết cho việc gia công DRAM HBM từ 20.000 tấm mỗi tháng năm nay lên 50.000 tấm mỗi tháng vào năm tới, tăng 2,5 lần so với năm nay. Nhu cầu hàng tháng cho kính nền này vào năm ngoái khoảng 10.000 tấm, năm nay đã gấp đôi so với năm ngoái.HBM4 và HBM4E mà Samsung Electronics tập trung mở rộng sản xuất chủ yếu là các sản phẩm có độ chồng chất cao từ 12 lớp trở lên. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu 10nm (1c) và chip nền quy trình 4nm từ tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng như NVIDIA. Ngành công nghiệp dự đoán, tính theo lượng wafer trung bình hàng tháng, công suất HBM của Samsung Electronics sẽ tăng từ khoảng 180.000 tấm năm nay lên khoảng 250.000 tấm vào năm tới, tăng gần 40%; tỷ lệ xuất khẩu của dòng sản phẩm HBM4 có thể tăng từ khoảng 40% năm nay lên khoảng 80% vào năm tới.

KB Chứng khoán ngày 11 tháng 9 đã phát hành báo cáo chỉ ra rằng, thị phần HBM của Samsung Electronics dự kiến sẽ tăng từ 33% trong quý hai lên 40% trong quý bốn, chủ yếu nhờ vào doanh số HBM4 trong quý ba tăng hơn ba lần so với quý trước, và trong nửa cuối năm, HBM4 dự kiến sẽ chiếm hơn 60% tổng doanh thu HBM của họ.Samsung Electronics đã thiết lập sản xuất hàng loạt HBM4, cung cấp mẫu HBM4E cho các khách hàng chính, áp dụng kiến trúc HBM5 với chip lõi 1c và chip nền 2 nanomet, cũng như lộ trình cho thế hệ tiếp theo ZHBM. Về mảng gia công, tỷ lệ sản xuất 4 nanomet ổn định trên 80%, tỷ lệ sản xuất 2 nanomet GAA nhanh chóng tăng lên trên 70%. Nhà phân tích của KB Chứng khoán, Kim Dong-Won, cho biết, mảng gia công dự kiến sẽ có lãi từ quý ba, và tỷ lệ sản xuất 2 nanomet trong năm nay có thể giúp họ giành được đơn hàng từ các khách hàng lớn tại Mỹ.

Theo báo cáo độc quyền của Reuters vào ngày 10 tháng 9, các nhà sản xuất chip AI của Trung Quốc đã tăng giá mạnh do thiếu hụt bộ nhớ băng thông cao. Huawei đã điều chỉnh giá chỉ định của thẻ tăng tốc Ascend 950DT lên trên 250.000 nhân dân tệ, tăng 20% đến 50% so với mức giá hai tháng trước. Cambricon đã điều chỉnh giá chỉ định của chip 690 dự kiến tăng 20% đến 30%, Muxi và Tianxu Zhixin cũng có mức tăng giá tương tự.Báo cáo cho biết, nguyên nhân bao gồm các biện pháp kiểm soát xuất khẩu của Mỹ và nguồn cung bộ nhớ băng thông cao trên thị trường xám đã đẩy chi phí lên cao. Giá của các sản phẩm trước đây của Huawei như Ascend 950PR và 910C cũng đã tăng khoảng 30%. Mức tăng giá này đã làm tăng chi phí xây dựng sức mạnh tính toán AI của Trung Quốc. Huawei, Cambricon và các công ty khác chưa có bình luận.

Theo thông tin từ ngành, NVIDIA đang xem xét điều chỉnh giải pháp bộ nhớ băng thông cao cho bộ tăng tốc trí tuệ nhân tạo Rubin Ultra thế hệ tiếp theo từ 12 lớp xuống 8 lớp.Trong bối cảnh chi phí lưu trữ tăng cao, NVIDIA càng chú trọng đến chi phí băng thông đơn vị và tính kinh tế của toàn bộ hệ thống.

Theo báo cáo của nhật báo Triều Tiên, nhà sản xuất DRAM lớn nhất Trung Quốc là Changxin Storage (CXMT) đã khởi động sản xuất thử nghiệm bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ tư HBM3, với tỷ lệ sản phẩm đạt yêu cầu ban đầu dừng lại ở mức 25%, khoảng một phần ba so với tỷ lệ vàng trong sản xuất hàng loạt là 80%. SK Hynix đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm tương tự từ năm 2022, với tỷ lệ đạt yêu cầu vượt quá 90%.Tỷ lệ đạt yêu cầu của quy trình trước cho sản phẩm HBM3 8 lớp của Changxin Storage khoảng 30%, trong khi quy trình sau đạt khoảng 70% trở thành sản phẩm cuối cùng đạt yêu cầu. Công ty cung cấp một số mẫu cho các doanh nghiệp Trung Quốc như Alibaba, PingTouGe, và Cambricon, đồng thời tiếp tục cải thiện tỷ lệ đạt yêu cầu. Quy trình G4 (17nm) của DRAM thông thường không gặp vấn đề lớn, nhưng chip DRAM dùng cho HBM có diện tích lớn hơn và tiêu chuẩn điện tử nghiêm ngặt hơn.Ngành công nghiệp chỉ ra rằng nguyên nhân là do độ trưởng thành của công nghệ lỗ xuyên silicon TSV chưa đủ. Phân tích của Nomad Semi cho thấy, mỗi chip HBM2 của Samsung có hơn 5000 lỗ TSV, HBM3 của SK Hynix có hơn 8000 lỗ, trong khi Changxin Storage chỉ có khoảng 3000 lỗ. So với Samsung và SK Hynix, có khoảng cách từ 4 đến 5 năm.

Bộ phận gia công wafer của Samsung Electronics gần đây đã vượt qua 50% tỷ lệ sản xuất chip nền cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 trong quy trình 4 nanomet. Ngành công nghiệp cho biết, bộ phận này sẽ đưa hơn một nửa wafer 4 nanomet vào sản xuất chip nền HBM4 trong nửa cuối năm nay, nhằm mở rộng cung cấp cho NVIDIA, Broadcom, AMD và các công ty khác.Samsung đã khởi động sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay và dự kiến sẽ mở rộng lượng cung cấp từ quý ba, đồng thời tăng đáng kể lượng wafer liên quan từ giữa năm. Chip này dựa trên quy trình 4 nanomet (SF4) của Samsung. Tính đến tháng trước, hơn 50% tổng công suất 4 nanomet của họ đã được phân bổ cho chip nền HBM4. Các nguồn tin cho biết, Samsung hiện đang hoạt động hết công suất 4 nanomet, trong đó chip nền HBM4 chiếm khoảng 50% đến 60%, và tỷ lệ cao này sẽ được duy trì trong nửa cuối năm.Samsung đang sản xuất hàng loạt quy trình từ 4 đến 7 nanomet tại nhà máy Pyeongtaek 2 và 3, trong đó công suất 4 nanomet khoảng 30.000 wafer mỗi tháng, từ đó ước tính rằng lượng wafer liên quan đến chip nền HBM4 khoảng 15.000 wafer mỗi tháng. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả quý hai, Samsung cho biết dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng gấp ba lần so với quý trước, và doanh thu HBM4 trong nửa cuối năm sẽ vượt quá 60% doanh thu HBM tổng thể của công ty.