bm

Bộ phận gia công wafer của Samsung Electronics gần đây đã vượt qua 50% tỷ lệ sản xuất chip nền cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 trong quy trình 4 nanomet. Ngành công nghiệp cho biết, bộ phận này sẽ đưa hơn một nửa wafer 4 nanomet vào sản xuất chip nền HBM4 trong nửa cuối năm nay, nhằm mở rộng cung cấp cho NVIDIA, Broadcom, AMD và các công ty khác.Samsung đã khởi động sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay và dự kiến sẽ mở rộng lượng cung cấp từ quý ba, đồng thời tăng đáng kể lượng wafer liên quan từ giữa năm. Chip này dựa trên quy trình 4 nanomet (SF4) của Samsung. Tính đến tháng trước, hơn 50% tổng công suất 4 nanomet của họ đã được phân bổ cho chip nền HBM4. Các nguồn tin cho biết, Samsung hiện đang hoạt động hết công suất 4 nanomet, trong đó chip nền HBM4 chiếm khoảng 50% đến 60%, và tỷ lệ cao này sẽ được duy trì trong nửa cuối năm.Samsung đang sản xuất hàng loạt quy trình từ 4 đến 7 nanomet tại nhà máy Pyeongtaek 2 và 3, trong đó công suất 4 nanomet khoảng 30.000 wafer mỗi tháng, từ đó ước tính rằng lượng wafer liên quan đến chip nền HBM4 khoảng 15.000 wafer mỗi tháng. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả quý hai, Samsung cho biết dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng gấp ba lần so với quý trước, và doanh thu HBM4 trong nửa cuối năm sẽ vượt quá 60% doanh thu HBM tổng thể của công ty.

Nhà phân tích chứng khoán Kim Young-gun của Future Asset cho biết, sự mở rộng lượng hàng HBM của Samsung Electronics hướng tới ứng dụng AI dự kiến sẽ bù đắp cho tác động của việc tăng trưởng chip lưu trữ chung chậm lại vào năm tới. Dự kiến, lượng hàng HBM của Samsung Electronics vào năm 2027 và giá bán trung bình sẽ lần lượt tăng vọt 57% và 49%, có khả năng vượt qua mức tăng trưởng dự kiến 16% và 20% của chip lưu trữ chung.Future Asset dự đoán lợi nhuận của Samsung sẽ bị ảnh hưởng bởi sự mạnh lên của đồng won Hàn Quốc so với đô la Mỹ, nhưng tổng thể vẫn sẽ giữ vững. Cơ quan này đã điều chỉnh dự báo lợi nhuận hoạt động của Samsung năm 2026 giảm 5,7% xuống 370.057 triệu won Hàn Quốc, và giảm 4,2% xuống 535.682 triệu won Hàn Quốc vào năm 2027.

Chủ tịch công ty Bitmine Tom Lee đã đăng bài trên nền tảng X cho biết, tính đến cuối quý ba, trong số các cổ phiếu có mức tăng cao nhất trong chỉ số Russell 1000, khoảng 20% là cổ phiếu liên quan đến tiền điện tử. Trong đó, BMNR đã tăng 99% kể từ quý ba, xếp thứ 4; MSTR tăng 67%, xếp thứ 12; CRCL tăng 65%, xếp thứ 14; BLSH tăng 55%, xếp thứ 21.Tom Lee bổ sung rằng, chỉ còn một tháng nữa là kết thúc quý ba, những cổ phiếu tiền điện tử có hiệu suất mạnh mẽ này có thể trở thành mục tiêu mà các nhà đầu tư sẽ theo đuổi tiếp theo.

Theo tin tức điện tử ngày 3 tháng 9, Micron dự định sẽ mở rộng công suất bộ nhớ băng thông cao HBM gấp đôi so với năm ngoái, với tối đa 60.000 wafer mới mỗi tháng trước cuối năm nay. Những người có thông tin cho biết, sản lượng HBM của Micron khoảng 40.000 đến 50.000 wafer mỗi tháng vào năm ngoái, và dự kiến sẽ đạt khoảng 100.000 wafer mỗi tháng vào cuối năm, nhằm thu hẹp khoảng cách với Samsung Electronics và SK Hynix.Micron đang tăng cường đơn hàng mua sắm từ nhiều nhà cung cấp thiết bị HBM, với các cơ sở sản xuất chủ yếu tại các nhà máy wafer ở Đài Loan và Singapore, liên tục đưa vào thiết bị. Hiện tại, sản lượng chủ yếu là HBM3E 12 lớp, đầu năm nay HBM4 12 lớp chiếm khoảng 20% đến 30%, và có thể tăng lên tối đa 50% vào cuối năm. HBM4 12 lớp sẽ được sử dụng cho bộ tăng tốc AI mới nhất của NVIDIA, Vera Rubin, Micron đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm này từ quý 2 năm nay.CEO của Micron, Mehrotra, đã phát biểu trong cuộc họp kết quả quý 3 tài chính năm 2026 vào tháng 6 năm nay rằng, tốc độ sản xuất hàng loạt HBM4 12 lớp nhanh gấp đôi so với HBM3E 12 lớp, doanh thu từ HBM4 đã vượt quá 1 tỷ USD. Ngành công nghiệp cho rằng công suất HBM của Samsung và SK Hynix mỗi bên khoảng 150.000 đến 200.000 wafer mỗi tháng. Dữ liệu từ Counterpoint cho thấy, trong quý 2 năm nay, thị phần HBM toàn cầu là SK Hynix 50%, Samsung 32%, Micron 18%. Micron cũng đang chuẩn bị đầu tư liên quan tại Hiroshima, Nhật Bản.

Theo thông tin từ ngành vật liệu, vào ngày 2 tháng 9, TSMC dự kiến sẽ tiếp tục sử dụng công nghệ vi chóp truyền thống trong thời gian ngắn thay vì liên kết hỗn hợp, để kết nối bộ nhớ băng thông cao HBM với bộ tăng tốc AI trong các gói tiên tiến. Xét đến chu kỳ phát triển vật liệu liên quan, vi chóp với khoảng cách nhỏ hơn dự kiến sẽ được sử dụng cho đến giai đoạn cuối của HBM4 và giai đoạn đầu của HBM5. TSMC đã yêu cầu các đối tác vật liệu và thiết bị phát triển giải pháp liên kết và lấp đầy đáy cho chóp khoảng 5 micromet, các nhà cung cấp Hàn Quốc và Nhật Bản đã bắt đầu phát triển, sản xuất hàng loạt chóp 5μm dự kiến sẽ bắt đầu vào nửa cuối năm 2028.Hiện tại, chiều cao chóp của HBM thế hệ thứ ba, tức HBM3E, khoảng 15--25μm, HBM4 gần khoảng 10μm. Các nhà cung cấp vật liệu Nhật Bản trước đó đã cho biết khó đảm bảo chất lượng dưới 15μm. Việc rút ngắn và tinh chỉnh chóp là do giới hạn chiều cao của khối HBM và nhu cầu về mật độ kết nối cao hơn. JEDEC quy định chiều cao tối đa của chồng HBM là 775μm. Trong gói CoWoS tiên tiến của TSMC, các chồng HBM đã được lắp ráp bởi nhà cung cấp GPU và bộ nhớ được lắp đặt vào lớp trung gian silicon thông qua vi chóp, chồng 16 lớp DRAM được hoàn thành trong gói HBM bởi SK hynix và Samsung Electronics.Thế hệ đầu tiên và thứ hai của HBM sử dụng chóp hàn lớn hơn, vi chóp đã trở thành xu hướng chính khoảng thế hệ HBM3. SK hynix sử dụng quy trình MR-MUF, Samsung Electronics sử dụng TC-NCF. Liên kết hỗn hợp có thể đạt được kết nối mỏng hơn và dày hơn thông qua việc liên kết trực tiếp các pad đồng, TSMC đã sử dụng trên nền tảng SoIC cho chồng chip logic, nhưng HBM vẫn được kết nối với lớp trung gian bằng vi chóp.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đang phối hợp với Nvidia (NVDA.O) yêu cầu phát triển bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ bảy (HBM4E) với 8 lớp, giảm đáng kể chiều cao xếp chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp. Thông số tốc độ mà Nvidia đề xuất là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E 14.4Gbps ban đầu của Samsung. Sản phẩm này được báo cáo sẽ được sử dụng cho NVHBM.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo phân tích của nhà phân tích Citrini Jukan, SK Hynix đang nỗ lực đa dạng hóa nhà cung cấp xưởng gia công cho các chip nền tảng được sử dụng trong bộ nhớ băng thông cao (HBM), những HBM này được xây dựng bằng cách xếp chồng nhiều chip nhớ theo chiều dọc. Được biết, công ty đang xem xét việc thuê ngoài sản xuất một phần chip nền tảng của HBM thế hệ thứ bảy, tức HBM4E, cho các nhà máy gia công của Intel. Đến nay, SK Hynix hoàn toàn phụ thuộc vào TSMC để thuê ngoài sản xuất chip nền tảng.Hành động này được coi là nỗ lực xây dựng chiến lược đa nhà cung cấp để giảm độ tập trung của chuỗi cung ứng vào TSMC, đồng thời tăng cường khả năng thương lượng về giá của SK Hynix. Theo thông tin từ các nguồn trong ngành vào ngày 31 tháng 8, SK Hynix đang thúc đẩy một kế hoạch, theo đó chip nền tảng của HBM4E có thể được sản xuất chung bởi TSMC và Intel, có thể bắt đầu từ thế hệ HBM4E.Do thị trường dự đoán rằng gánh nặng chi phí của chip nền tảng HBM4E sẽ tăng thêm. Vì sản phẩm HBM chủ yếu được bảo vệ bởi các hợp đồng cung cấp dài hạn (LTA), SK Hynix cũng khó có thể ngay lập tức chuyển giao chi phí gia công cao hơn cho khách hàng bằng cách tăng giá sản phẩm. Do đó, các nhà quan sát trong ngành cho rằng nếu Intel cuối cùng tham gia vào chuỗi cung ứng chip nền tảng của SK Hynix, công ty sẽ có nhiều lựa chọn hơn về khả năng cạnh tranh chi phí và tính ổn định của nguồn cung.

Tin tức từ ChainCatcher, SemiAnalysis đã phát hành tập podcast mới nhất, trong đó chỉ ra rằng SK Hynix và Micron đang gặp khó khăn trong việc đạt được tốc độ HBM4 cao nhất. Đặc biệt, SK Hynix đã phải thiết kế lại chip nền của mình, dẫn đến việc giao hàng HBM4 cho nền tảng NVIDIA Rubin bị trì hoãn.Samsung hiện đang sở hữu công nghệ HBM4 tốt nhất. Broadcom truyền thống phụ thuộc rất nhiều vào Samsung để cung cấp HBM. Hiệu suất của Samsung trong thế hệ HBM3E không tốt, điều này đã tạo ra bất lợi cho ASIC của Broadcom. Tuy nhiên, hiện tại Samsung đang dẫn đầu đối thủ của mình với HBM4, mối quan hệ chuỗi cung ứng tương tự đã trở thành lợi thế của Jalapeño.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics đang phát triển sản phẩm HBM4E (thế hệ thứ bảy) 8 lớp phù hợp với yêu cầu của NVIDIA, nhằm chiếm lĩnh vị trí đối tác cung cấp bộ nhớ băng thông cao tùy chỉnh NVHBM. Sản phẩm này giảm chiều cao chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp, với thông số tốc độ do NVIDIA đưa ra là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E ban đầu của Samsung (14.4Gbps), sẽ được sử dụng cho NVHBM theo thông số tối ưu hóa NVLink công khai của NVIDIA.Việc sử dụng 8 lớp trái ngược với logic cạnh tranh HBM trước đây bằng cách tăng số lượng lớp chồng để nâng cao dung lượng, có thể giảm độ khó trong quy trình sản xuất và áp lực về tỷ lệ sản phẩm đạt yêu cầu, thuận lợi cho việc mở rộng cung cấp, được coi là chiến lược của NVIDIA để giảm bớt tình trạng thiếu hụt bộ nhớ. NVHBM dự kiến sẽ được áp dụng từ thế hệ GPU AI "Rubin Ultra" ra mắt vào năm tới, GPU này sẽ mở rộng quy mô kết nối giữa các GPU từ 72 lên 576, thông qua việc trang bị hàng trăm GPU với HBM nhanh hơn để nâng cao tổng thể sức mạnh tính toán.Trong thị trường HBM tùy chỉnh, Samsung có lợi thế cạnh tranh hơn so với SK Hynix và Micron, vì NVHBM cần khả năng thiết kế và sản xuất chip bare die dựa trên DRAM và chip logic, Samsung có thể đáp ứng tích hợp. Các chuyên gia trong ngành cho biết, Samsung đã xác nhận tốc độ ở mức cao nhất trong ngành với HBM4, có thể phát huy lợi thế trong cuộc cạnh tranh về tốc độ.

Tin tức từ ChainCatcher, Giám đốc điều hành SK Hynix, Kwak Noh-Jung cho biết, công ty đang nghiên cứu cách thức hợp tác sâu sắc hơn với khách hàng và nhà cung cấp chip lưu trữ Nhật Bản, đồng thời đánh giá cẩn thận cách phát triển chung thị trường NAND flash. Về quyền lợi gián tiếp quan trọng mà công ty nắm giữ tại Kioxia, ông cho biết hiện tại "không có kế hoạch cụ thể nào".Sau khi Toshiba giảm tỷ lệ sở hữu trong tháng này, công cụ đầu tư BCPE Pangea Cayman2 mà SK Hynix nắm giữ đã trở thành cổ đông lớn nhất của Kioxia, với tỷ lệ sở hữu là 14,19%. SK Hynix nắm giữ trái phiếu có thể chuyển đổi thành gần như toàn bộ quyền biểu quyết của công cụ đầu tư này; theo thỏa thuận trước đó, trừ khi có sự đồng ý của Kioxia, quyền biểu quyết của họ không được vượt quá 15% trước năm 2028.Ngoài ra, SK Hynix đang đầu tư hơn 4 tỷ USD để xây dựng nhà máy đóng gói HBM đầu tiên của mình tại bang Indiana, Hoa Kỳ. Phòng sạch của nhà máy dự kiến sẽ đi vào hoạt động vào tháng 10 năm 2028, thế hệ HBM tiếp theo dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2029, và sau khi đi vào hoạt động đầy đủ, dự kiến sẽ tuyển dụng khoảng 1000 người. Công ty cũng đang đánh giá khả năng niêm yết công ty con NAND tại Hoa Kỳ, Solidigm, nhưng vẫn chưa đưa ra quyết định.

Tin tức từ ChainCatcher, các nhà nghiên cứu P Equity Research và SemiAnalysis, bao gồm Nick Doyle, đã thảo luận về bộ nhớ flash băng thông cao HBF tại X Space. Nick cho biết, hiện tại vẫn còn quá sớm để xác định mức chênh lệch chi phí của HBF so với HBM có thể thu hẹp bao nhiêu, dữ liệu hiện có chủ yếu là từ các nhà sản xuất, chẳng hạn như Sandisk cho biết chi phí mỗi bit khoảng một phần tám so với HBM. Tỷ lệ sản xuất, thử nghiệm, v.v. sẽ cải thiện theo quy mô, nhưng chi phí cấu trúc như TSV, xếp chồng và chế độ pSLC sẽ tồn tại vĩnh viễn, độ bền là yếu tố chưa biết chính, nếu hao mòn vượt quá dự kiến sẽ đẩy chi phí lên cao.Ứng dụng của HBF rất hạn chế, chỉ hướng tới suy diễn AI, đặc biệt là các mô hình MoE với batch thấp và ngữ cảnh dài, không phải là sản phẩm thay thế HBM. Mục tiêu băng thông thực tế khoảng 1.6 TB/s, thuộc cấp độ HBM3E, phù hợp cho việc đọc tuần tự để tải trọng số mô hình, phù hợp hơn với nhu cầu dung lượng của một số GPU tại chỗ hoặc doanh nghiệp tư nhân, không phải là các tình huống băng thông quy mô lớn. Độ tin cậy tản nhiệt vẫn chưa được giải quyết, bộ nhớ flash bên cạnh GPU ở nhiệt độ cao sẽ tăng tốc độ suy giảm, các biện pháp giảm thiểu như tách UCIe và làm mới hàng ngày vẫn chưa được xác minh.Về sản xuất, Sandisk/Kioxia có kinh nghiệm về 3D NAND, SK Hynix bổ sung khả năng xếp chồng kiểu HBM, nhưng sản xuất hàng loạt vẫn cần được xác nhận. Nhìn chung, thị trường lưu trữ đang chuyển sang phân khúc chuyên môn hóa theo tầng, tình trạng thiếu hụt NAND dự kiến sẽ kéo dài đến năm 2028, HBF có thể ảnh hưởng thêm đến cung cầu.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của Newswire, IBM đã thông báo hoàn tất việc mua lại HRL Laboratories, LLC, một tổ chức nghiên cứu và phát triển hàng đầu, chuyên về điện toán lượng tử, cảm biến lượng tử, truyền thông tiên tiến, điện tử, sản xuất và khoa học vật liệu. Thương vụ mua lại này cũng bổ sung cho những đổi mới và đầu tư rộng rãi hơn của IBM trong lĩnh vực sản xuất và cơ sở hạ tầng lượng tử.Chuyên môn của HRL trong công nghệ lượng tử dựa trên silicon đã tạo ra cơ hội cho sự hợp tác trong tương lai với nhà máy sản xuất wafer lượng tử thuần túy của IBM, Anderon, hỗ trợ các phương pháp sản xuất có thể mở rộng, tăng tốc chu kỳ học tập của nhiều mô hình điện toán lượng tử. Boeing và General Motors (các chủ sở hữu trước của HRL) sẽ tiếp tục hợp tác với IBM và HRL để phát triển ứng dụng lượng tử và công nghệ tiên tiến. Các điều khoản tài chính của giao dịch chưa được công bố.

Tin tức từ ChainCatcher, Samsung Electronics và SK Hynix dự định tăng cường nguồn cung bộ nhớ HBM4 8 lớp cho Nvidia trong nửa cuối năm nay.Hành động này bị ảnh hưởng bởi chiến lược cung ứng của Nvidia, nhằm đảm bảo nguồn cung bộ nhớ HBM ổn định và đồng thời cân bằng lượng nhiệt phát sinh từ sản phẩm.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của TrendForce, tại Hot Chips 2026, Micron nhấn mạnh rằng sự tiến bộ về sức mạnh tính toán AI nhanh hơn sự nâng cấp lưu trữ, thách thức "bức tường lưu trữ" ngày càng nổi bật. Fellow của Micron, Raghu Sriramaneni, chỉ ra rằng sức mạnh tính toán của bộ tăng tốc AI tăng gấp ba lần khoảng mỗi hai năm, trong khi băng thông HBM tăng chưa đến gấp đôi trong cùng thời gian, khoảng cách này có thể tiếp tục mở rộng. Sự phụ thuộc sâu hơn vào HBM cũng mang lại vấn đề về độ tin cậy, Micron trích dẫn dữ liệu từ Meta Llama 3 cho biết, lỗi HBM chiếm khoảng 17% trong các gián đoạn huấn luyện không mong đợi. Thiết kế mới về tính toán mờ và ranh giới lưu trữ có thể giúp vượt qua các nút thắt.Mở rộng HBM cũng mang lại áp lực về diện tích và cung ứng: thế hệ đóng gói mới nhất tích hợp hai GPU với tám cụm HBM4 12 lớp, lưu trữ chiếm khoảng 90% diện tích bán dẫn, gấp tám lần diện tích mà GPU chiếm; để đạt được dung lượng tương đương với HBM cần ba lần wafer DDR5 DRAM tiêu chuẩn. Quản lý nhiệt cũng trở thành rào cản quan trọng, các giải pháp như làm mát bằng chất lỏng và chip siêu mỏng đang được khám phá.Micron đang thúc đẩy đổi mới trong kết nối, đóng gói và làm mát, bao gồm SerDes và die-to-die PHY tối ưu hóa cho lưu trữ, đóng gói tiên tiến với kích thước lớn hơn SiP và bảng mạch thủy tinh, cũng như làm mát bằng chất lỏng, liên kết hỗn hợp, và đang phát triển liên kết fusion để giảm điện trở nhiệt và nâng cao thông lượng dữ liệu.

Tin tức từ ChainCatcher, SemiAnalysis cho biết, Nvidia Rubin Ultra sẽ được trang bị bộ nhớ HBM4 8-hi 192GB. Điều này không chỉ giảm mạnh so với 1TB HBM được giới thiệu ban đầu, mà còn thấp hơn dung lượng 288GB của phiên bản Rubin thông thường.Nguyên nhân cấu hình HBM bị cắt giảm xuống khoảng một phần năm so với ban đầu bao gồm: kế hoạch Rubin Ultra với bốn chip bị hủy bỏ, số lượng cube giảm xuống còn 8; chiều cao xếp chồng giảm từ 16-hi xuống 8-hi; và sử dụng chip HBM4 24Gb thay vì chip HBM4E 32Gb. Có thể sẽ có phiên bản nâng cấp HBM4E 8-hi ra mắt sau đó.

Tin tức từ ChainCatcher, vào ngày 24 tháng 8, SK Hynix đang giới thiệu công nghệ đóng gói tiên tiến bao gồm EMIB của Intel cho giải pháp HBM thế hệ tiếp theo của mình, và dự định cuối cùng sẽ bước vào kỷ nguyên đóng gói 3D. Tại hội nghị Hot Chips năm 2026, Phó Chủ tịch Kỹ thuật Đóng gói SK Hynix, Jaesik Lee, đã trình bày báo cáo có tiêu đề "Đóng gói tiên tiến cho bộ nhớ băng thông cao", giải thích cách công ty sẽ sử dụng công nghệ đóng gói tiên tiến để tăng tốc lộ trình sản phẩm HBM của mình.Hiện tại, SK Hynix đang khám phá các phương pháp như liên kết hỗn hợp để vượt qua giới hạn 16 lớp chồng chất. Trong tương lai, SK Hynix cũng có kế hoạch giải quyết thách thức về tiêu thụ điện năng bằng cách tăng số lượng TSV, cải thiện tốc độ IO của quy trình tích hợp logic, và tối ưu hóa mạng phân phối điện. Tính đến thời điểm bài viết được công bố, cổ phiếu SK Hynix đã tăng 1.71%.

Tin tức từ ChainCatcher, UPBIT sẽ niêm yết BICO, BMT, NIL, GWEI vào lúc 13:00 ngày 21 tháng 8 và hỗ trợ giao dịch BTC, USDT. Xin lưu ý, việc nạp tiền cần xác nhận mạng, hỗ trợ giao dịch có thể bị hoãn do thiếu thanh khoản.

ChainCatcher thông báo, Hiệp hội Vàng Trung Quốc đã đưa ra tuyên bố nghiêm túc về việc Bộ An ninh Nội địa Hoa Kỳ đưa một số doanh nghiệp vàng trong nước vào danh sách thực thể theo "Đạo luật Ngăn chặn Lao động Cưỡng bức Người Duy Ngô Nhĩ" (UFLPA), dẫn đến Hiệp hội Thị trường Vàng và Bạc London (LBMA) tạm ngừng đủ điều kiện giao hàng của các doanh nghiệp liên quan, cho rằng cáo buộc "lao động cưỡng bức" của phía Mỹ thiếu cơ sở thực tế, là việc chính trị hóa vấn đề nhân quyền và thực hiện chủ nghĩa bảo hộ thương mại.LBMA đã tiếp nhận thông tin sai lệch mà không kiểm tra sự thật đầy đủ, tạm ngừng đủ điều kiện, gây tổn hại đến quyền lợi hợp pháp của các doanh nghiệp vàng Trung Quốc và làm rối loạn sự ổn định của thị trường vàng toàn cầu. Hiệp hội cho biết, chuỗi ngành công nghiệp vàng Trung Quốc có khả năng chống chịu rủi ro từ bên ngoài, sẽ phối hợp cùng ngành để bảo vệ quyền lợi, tăng cường tự giác tuân thủ quy định và xây dựng hệ thống truy xuất nguồn gốc, đồng thời ủng hộ chính phủ Trung Quốc thực hiện các biện pháp phản công cần thiết, kêu gọi phía Mỹ rút lại các biện pháp trừng phạt, kêu gọi LBMA sửa đổi các quyết định liên quan.

ChainCatcher tin tức, theo PR Newswire đưa tin, công ty tài chính Ethereum Bitmine đã thông báo rằng hội đồng quản trị của họ đã phê duyệt kế hoạch chi trả cổ tức tiền mặt cho cổ phiếu ưu đãi vĩnh viễn loại A BMNP niêm yết trên Sở Giao dịch Chứng khoán New York trong 17 lần tiếp theo trong năm nay, bao gồm ngày đăng ký cổ tức, ngày thanh toán và số tiền cổ tức mỗi cổ phiếu cho từng kỳ.Được biết, các cổ đông BMNP sẽ nhận được cổ tức tiền mặt theo các điều khoản của cổ phiếu ưu đãi, chu kỳ chi trả cổ tức sẽ kéo dài từ tháng 8 đến tháng 12 năm 2026, số tiền chi trả cho mỗi lần chủ yếu là 0.1847 USD mỗi cổ phiếu, một số chu kỳ là 0.1583 USD, và số tiền chi trả cao nhất cho kỳ cuối năm đạt 0.2639 USD mỗi cổ phiếu, cổ tức liên quan sẽ được thanh toán bằng tiền mặt.

Tin tức từ ChainCatcher, theo báo cáo của ZDNet Korea, Samsung Electronics đang điều chỉnh mục đích ban đầu của dây chuyền sản xuất NRD-K số 2 tại khu vực Giang Hưng, từ cơ sở nghiên cứu và phát triển sang dây chuyền sản xuất wafer gia công, với sản phẩm mục tiêu chính là chip cơ bản 2nm cần thiết cho HBM của NVIDIA. Dây chuyền này dự kiến sẽ được đưa vào hoạt động vào nửa cuối năm 2028, áp dụng mô hình "Send-Fab", tức là nhận wafer từ các dây chuyền sản xuất hàng loạt khác và gia công các quy trình cụ thể.NRD-K là khu nghiên cứu và phát triển phức hợp tiên tiến nhất mà Samsung Electronics xây dựng nhằm chiếm lĩnh công nghệ bán dẫn trong tương lai, với tổng đầu tư khoảng 20 triệu tỷ won, dự kiến có 3 dây chuyền sản xuất, trong đó dây chuyền số 1 sẽ hoàn thành vào cuối năm 2024. Việc điều chỉnh này nhằm ứng phó sớm với sự mở rộng nhu cầu HBM do đầu tư vào cơ sở hạ tầng AI thúc đẩy. Samsung dự định sẽ ứng dụng quy trình 2nm trên HBM tùy chỉnh và HBM5 để duy trì lợi thế về hiệu suất.Các chuyên gia trong ngành chỉ ra rằng dây chuyền NRD-K số 2 có quy mô tương đối nhỏ, phù hợp để hoạt động theo hình thức Send-Fab. Tuy nhiên, vẫn còn khoảng hai năm nữa mới đến thời điểm dây chuyền được đưa vào sử dụng, và mục đích cuối cùng vẫn có thể được điều chỉnh lại tùy theo tình hình thị trường. Trước đó, Samsung đã xem xét việc sử dụng dây chuyền này cho sản xuất DRAM, nhưng kế hoạch liên quan đã được sửa đổi trong tháng này, và năng lực sản xuất DRAM sẽ tập trung hơn vào khu vực Bình Tế. Đơn đặt hàng thiết bị vẫn chưa được phát hành chính thức.