electronic

Theo thông tin từ Cục Sáng chế và Nhãn hiệu Hoa Kỳ (USPTO), một bằng sáng chế của Samsung Electronics có tên "Cung cấp thiết bị điện tử dựa trên dịch vụ blockchain và phương pháp hoạt động của nó" đã chính thức được cấp phép vào ngày 20 tháng 10.Công nghệ này cho phép thiết bị điện tử nhận diện các thiết bị hỗ trợ dịch vụ blockchain gần đó thông qua tín hiệu không dây, thiết lập kết nối điểm-điểm, và bằng cách so sánh chiều cao khối mới nhất được lưu trữ của từng thiết bị, chọn thiết bị có dữ liệu mới nhất để hoàn thành việc đồng bộ hóa blockchain. Bằng sáng chế này có thể giảm lưu lượng mạng và tiêu thụ năng lượng khi đồng bộ hóa dữ liệu khối của thiết bị.

Theo dữ liệu thị trường của Gate, chỉ số KOSPI của Hàn Quốc đã đóng cửa giảm 214.93 điểm vào ngày 20 tháng 10 (thứ Ba), giảm 3.73%, đạt 5553.08 điểm. Samsung Electronics giảm 2.98%, SK Hynix giảm 4.22%.

Bitget đã ra mắt 8 hợp đồng vĩnh viễn cổ phiếu Đài Loan nổi bật như TWTSM (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), TWDELTA (Delta Electronics), TWASX (ASE Technology Holding), TWUMC (United Microelectronics Corporation). Các hợp đồng trên được thanh toán bằng USDT, hỗ trợ đòn bẩy tối đa 20 lần và giao dịch 7×24 giờ. Tính đến hiện tại, Bitget đã hỗ trợ tổng cộng 364 loại hợp đồng vĩnh viễn cổ phiếu.

Theo báo cáo của ZDNet Korea vào ngày 15 tháng 10, Samsung Electronics đã điều chỉnh kế hoạch sản xuất điện thoại thông minh tầm trung và thấp trong quý 4, với lý do bao gồm giá chip lưu trữ tăng và nguồn cung vật liệu PCB CCL bị cản trở. Công ty Nitto Denko của Nhật Bản đã chuyển nhiều năng lực sản xuất sang T-glass cho bán dẫn AI có lợi nhuận cao hơn, giảm sản lượng E-glass cho PCB điện thoại thông minh, dẫn đến tình trạng cung ứng không ổn định và giá cả tăng. E-glass được sử dụng cho các tấm bán cứng HDI và RFPCB trên bo mạch chính của điện thoại thông minh.Báo cáo cho biết, việc tăng giá lưu trữ đã đẩy cao chi phí sản xuất, khiến Samsung giảm đơn đặt hàng các linh kiện liên quan. Các mẫu điện thoại tầm trung như Galaxy A có lợi nhuận thấp, khó có thể tăng sản lượng đáng kể, trong khi giá của các mẫu cơ bản tầm trung năm nay đã tăng hơn 100.000 won Hàn Quốc so với thế hệ trước. Dự báo đơn đặt hàng linh kiện cho quý 4 mà Samsung truyền đạt cho các đối tác tương ứng với tổng lượng điện thoại thông minh xuất xưởng trong năm đạt hơn 230 triệu chiếc, thấp hơn so với dự kiến 240 triệu chiếc của ngành linh kiện, và cũng giảm 20% đến 30% so với trước kỳ nghỉ Trung Thu. Kế hoạch kinh doanh điện thoại cho năm tới vẫn chưa được chia sẻ với các đối tác như những năm trước.Dự báo sản lượng hàng tháng cho quý 4 vào giữa tháng 9 là 14,3 triệu chiếc cho tháng 10, 9,5 triệu chiếc cho tháng 11, và 7,6 triệu chiếc cho tháng 12, tổng cộng 31,4 triệu chiếc; đầu tháng này đã điều chỉnh xuống còn 9,9 triệu chiếc cho tháng 10, 7,6 triệu chiếc cho tháng 11, và 6,7 triệu chiếc cho tháng 12, tổng cộng 24,2 triệu chiếc, giảm 23%. Trong khi sản lượng tầm trung bị điều chỉnh giảm, kế hoạch xuất hàng cho các flagship như Galaxy S27 vào đầu năm tới vẫn duy trì ở mức cao, và dự kiến lượng xuất hàng màn hình gập cũng sẽ tăng. MX và bộ phận mạng đã lỗ 735 tỷ won trong quý 2, trong khi dự báo lỗ của ngành chứng khoán cho cả năm là 400 tỷ won.

Theo dữ liệu từ Gate, Samsung Electronics giảm 6% trước khi mở cửa thị trường Hàn Quốc, SK Hynix giảm 7%, và các cổ phiếu trong lĩnh vực lưu trữ tại Mỹ đều giảm vào đêm qua.

Theo báo cáo của ZDNet Korea vào ngày 12 tháng 10, Samsung Electronics đang mở rộng phạm vi ứng dụng của bộ nhớ flash NAND thế hệ tiếp theo zNAND, và dự kiến sẽ phân loại sản phẩm thành 3 loại: zNAND-O, zNAND-T, zNAND-I ngoài zNAND-O đã được công bố. Báo cáo cho biết, Samsung Electronics chưa chính thức công bố hai sản phẩm sau, nhưng ngành công nghiệp đã biết rằng các kế hoạch liên quan đã bước vào giai đoạn phát triển ban đầu để đáp ứng nhu cầu lưu trữ tùy chỉnh ngày càng tăng trong cơ sở hạ tầng AI.zNAND-O hướng đến AI phía đầu cuối. Khác với phương pháp gắn dây truyền thống, giải pháp này xếp chồng NAND theo chiều dọc 4 lớp hoặc 8 lớp thông qua lỗ xuyên silicon, rút ngắn đường truyền dữ liệu và nâng cao tốc độ cũng như hiệu suất năng lượng. Samsung Electronics đã lần đầu tiên công bố mô hình zNAND-O tại một sự kiện liên quan đến bộ nhớ ở Mỹ vào tháng 8 năm nay.zNAND-T tập trung vào thông lượng, hướng đến các trung tâm dữ liệu AI có dung lượng cao và hiệu suất cao, cũng sử dụng xếp chồng theo chiều dọc và lỗ xuyên silicon để mở rộng băng thông, ngành công nghiệp gọi đây là bộ nhớ flash băng thông cao. zNAND-I tập trung vào việc nâng cao số lần nhập xuất mỗi giây, được sử dụng cho việc xử lý thường xuyên các dữ liệu tạm thời dung lượng nhỏ như bộ nhớ cache khóa-giá trong suy diễn AI. Báo cáo cũng đề cập rằng SK Hynix cũng đang phát triển các dòng sản phẩm AI NAND như AIN P, AIN D, AIN B.

Theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đã ký thỏa thuận dài hạn về cung cấp bộ nhớ cho năm tới, với tỷ lệ bao phủ khoảng 75% đến 80%, trong đó bao gồm bộ nhớ băng thông cao. Báo cáo cho biết, Samsung Electronics đã hoàn tất phần lớn hợp đồng với các công ty công nghệ lớn như NVIDIA, Google, Microsoft.SK Hynix và Micron cũng đang tăng tốc để xác định lượng cung cấp và đã ký một loạt hợp đồng dài hạn quy mô lớn với các khách hàng chính. Samsung Electro-Mechanics được cho là gần ký thỏa thuận dài hạn trị giá 700 tỷ won Hàn Quốc với công ty điện tử Delta của Đài Loan để cung cấp tụ điện gốm đa lớp.

Samsung Electronics công bố kết quả sơ bộ quý ba, lợi nhuận hoạt động quý ba đạt 107,4 triệu tỷ won Hàn Quốc, thị trường dự đoán là 106,1 triệu tỷ won Hàn Quốc; doanh thu quý ba đạt 195 triệu tỷ won Hàn Quốc, thị trường dự đoán là 199 triệu tỷ won Hàn Quốc.

Theo báo cáo của nhật báo kinh tế Hàn Quốc, sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo "12 lớp HBM4E" của Samsung Electronics đã vượt qua kiểm tra chất lượng của NVIDIA và các nhà điều hành trung tâm dữ liệu quy mô lớn chính.

Theo báo cáo của truyền thông vào ngày 29 tháng 9, Phó Chủ tịch điều hành của Samsung Electronics, Kim Taewoo cho biết: Dự kiến vào năm tới, HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất DRAM, hiện tại tỷ lệ này khoảng 20%. Ông cho biết, HBM và DRAM truyền thống đang cạnh tranh cho cùng một công suất wafer, việc mở rộng sản xuất HBM có thể sẽ gây áp lực lên nguồn cung DRAM truyền thống.TrendForce trước đó đã dự đoán, đến cuối năm 2027, ba nhà cung cấp HBM lớn nhất toàn cầu sẽ đầu tư vào wafer HBM khoảng 30% tổng đầu tư wafer DRAM, nhưng tính theo dung lượng lưu trữ chỉ có thể đóng góp khoảng 13% tổng nguồn cung DRAM. Ngoài ra, theo báo cáo của truyền thông vào ngày 20 tháng 9, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng bao gồm Nvidia; ngành công nghiệp dự đoán lượng wafer HBM trung bình hàng tháng của Samsung sẽ tăng từ khoảng 180.000 wafer năm nay lên khoảng 250.000 wafer vào năm tới.TrendForce cũng cho biết vào cùng ngày, nhu cầu máy chủ AI vẫn tiếp tục, HBM và DRAM thông dụng sẽ vẫn chia sẻ công suất quy trình tiên tiến hạn chế, nguồn cung lưu trữ vào năm 2027 sẽ duy trì tình trạng căng thẳng, và đã điều chỉnh dự báo giá HBM năm 2027, dự kiến giá bán trung bình hỗn hợp sẽ tăng 121% so với năm trước. Do nguồn cung hạn chế và chi phí hệ thống tăng, HBM 8 lớp dự kiến sẽ trở thành giải pháp ưu tiên được nhiều nhà sản xuất đánh giá vào năm 2027, với giá bán mỗi Gb sẽ cao hơn khoảng 10% đến 20% so với sản phẩm 12 lớp.

Delta Electronics sẽ xây dựng hệ thống lái tự động dựa trên Hyperion của NVIDIA (NVDA.O).

Theo báo cáo của ZDNet Korea ngày 28 tháng 9, Samsung Electronics đang tăng tốc xây dựng dây chuyền sản xuất đầu tiên (Ph1) tại khu công nghiệp P5 ở Bình Châu, và đang thảo luận với các nhà cung cấp thiết bị chính về việc chuyển thiết bị Ph1 từ kế hoạch ban đầu vào quý 3 năm sau lên quý 2 năm sau. P5 là cơ sở sản xuất bán dẫn thế hệ tiếp theo với mục tiêu đi vào sản xuất vào năm 2028, và đã bắt đầu xây dựng phòng sạch Ph1 vào quý 3 năm nay.Samsung Electronics trước đó đã đẩy nhanh việc hoàn thành xây dựng phòng sạch P5 Ph1 từ đầu năm sau xuống khoảng 6 tháng, do đó việc đưa thiết bị vào dự kiến sẽ diễn ra vào khoảng quý 3 năm sau. Các chuyên gia trong ngành cho biết, thời gian bắt đầu chuyển thiết bị dự kiến sẽ được đẩy lên từ tháng 7 đến tháng 8 năm sau xuống khoảng tháng 5 đến tháng 6 năm sau; một số người khác cho biết, Samsung thậm chí đã đề xuất giao thiết bị vào quý 1 năm sau, lưu trữ tạm thời tại các địa điểm khác, cho thấy ý định đầu tư sớm của họ rất mạnh mẽ.Cuộc thảo luận về đầu tư giai đoạn thứ hai của P5 (Ph2) cũng đang được tiến hành. Hiện tại, Ph1 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất DRAM và HBM, trong khi Ph2 có khả năng được xây dựng cho dây chuyền sản xuất NAND tiên tiến bao gồm thế hệ thứ mười (V10). Các chuyên gia trong ngành thiết bị cho biết, đơn đặt hàng chính thức vẫn chưa được phát hành, nhưng Samsung đã thảo luận với các đối tác để xây dựng Ph2 thành dây chuyền sản xuất NAND, và do chu kỳ giao hàng thiết bị dài, yêu cầu chuẩn bị sẵn các linh kiện liên quan. Các báo cáo cho thấy, các công ty công nghệ lớn trên toàn cầu đang tăng cường đơn hàng DRAM và NAND hiệu suất cao cho cơ sở hạ tầng AI, trong khi năng lực sản xuất của các công ty lưu trữ như Samsung bị hạn chế. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả kinh doanh quý 2 vào tháng 7, Samsung đã cho biết rằng nhu cầu không được đáp ứng trong năm nay sẽ kéo dài đến năm sau, và tình trạng thiếu hụt cung sẽ nghiêm trọng hơn năm nay, và dự kiến tình trạng thiếu hụt sẽ kéo dài đến năm 2028.

LG Electronics đã tham gia chương trình đối tác chính thức của NVIDIA về giải pháp làm mát trung tâm dữ liệu AI, được đánh giá là đối tác ưu tiên trong danh mục "Điện và Làm mát".LG nhằm mở rộng thị trường trung tâm dữ liệu quy mô lớn và dịch vụ lưu trữ máy chủ, đặc biệt là tại thị trường Bắc Mỹ. Hiện tại, hơn 60% nhu cầu về công suất trung tâm dữ liệu mới trên toàn cầu tập trung ở Bắc Mỹ.

Theo báo cáo từ ZDNet Korea, Samsung Electronics đã điều chỉnh chiến lược DRAM thế hệ tiếp theo, đưa B1b, trước đây được phát triển dưới dạng dự án, vào lộ trình chính thức và đặt tên là DRAM D0a đầu tiên dưới 10 nanomet. Trước đây, D0a chỉ đề cập đến DRAM transistor thẳng đứng, hiện sản phẩm này được phân loại riêng là D0a-V. Việc đổi tên này nhằm tăng tốc độ đưa công nghệ đóng gói tiên tiến vào DRAM thông dụng.B1b sẽ sản xuất các đơn vị lưu trữ và mạch điều khiển xung quanh trên các wafer khác nhau rồi sau đó kết nối lại, sử dụng phương pháp kết nối hỗn hợp wafer với wafer, kết nối trực tiếp qua đồng. Hiện tại, DRAM thương mại đã có là 1c, tức là thế hệ thứ 6 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 11 đến 12 nanomet; thế hệ tiếp theo 1d là thế hệ thứ 7 ở mức 10 nanomet, độ rộng khoảng 10 đến 11 nanomet, được coi là sản phẩm 10 nanomet cuối cùng về mặt thực tế, độ rộng liên quan thuộc về thuật ngữ tiếp thị chứ không phải kích thước vật lý thực tế. Transistor thẳng đứng có thể sắp xếp transistor bên trong đơn vị theo chiều dọc, giảm diện tích đơn vị từ 6F² xuống 4F², nhưng cần phải đối mặt với việc khắc tỉ lệ cao và dòng rò, độ khó phát triển cao hơn. Kết nối hỗn hợp wafer với wafer đã được ứng dụng sản xuất hàng loạt trong cảm biến hình ảnh CMOS và NAND xếp chồng cao.Samsung Electronics đang đánh giá việc sử dụng B1b cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 8 HBM5. HBM5 dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2029, với mục tiêu tăng tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Ngành công nghiệp ước tính, DRAM D0a dựa trên B1b sẽ thương mại hóa nhanh nhất sau khoảng hai năm, lịch trình đầu tư sản xuất cụ thể có thể được xác định vào giữa năm sau.

Theo báo cáo của Money Today vào ngày 21 tháng 9, Samsung Electronics đang thúc đẩy mở rộng năng lực sản xuất quy trình tiên tiến trong lĩnh vực gia công wafer do sự tăng trưởng của thị trường HBM, nhằm đáp ứng nhu cầu gia tăng đối với chip nền HBM4 đang được đánh giá để mở rộng quy trình 4 nanomet. HBM4 của Samsung bao gồm chip DRAM lõi thế hệ 6 (1c) ở mức 10 nanomet và chip nền logic 4 nanomet, chip nền chịu trách nhiệm trao đổi dữ liệu tốc độ cao với GPU và các bộ tăng tốc AI khác.Khác với SK Hynix sử dụng quy trình 12 nanomet của TSMC, Samsung sử dụng quy trình 4 nanomet tự sản xuất cho chip nền HBM4. Dây chuyền sản xuất này đã hoạt động hết công suất và nhận đơn hàng từ Nvidia Groq 3 LPU, công ty gần đây đã điều chỉnh tăng giá cho các đơn hàng mới 4 nanomet và chip nền HBM4. Samsung dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng hơn 3 lần so với quý trước, và tỷ lệ HBM4 trong doanh thu HBM nửa cuối năm sẽ cao hơn 60%. Việc mở rộng sản xuất P4 tại Pyeongtaek chủ yếu sẽ được sử dụng cho DRAM 1c cho HBM, hơn một nửa năng lực sản xuất 4 nanomet trong gia công wafer đã được phân bổ cho chip nền HBM4.HBM4E cũng sử dụng chip nền 4 nanomet, Samsung đã cung cấp mẫu cho khách hàng vào tháng 5. Công ty cũng đang đánh giá việc xây dựng dây chuyền sản xuất mới 2 nanomet cho HBM5, với mục tiêu sử dụng cấu trúc GAA quy trình 2 nanomet và tăng mật độ TSV, nhằm nâng cao tốc độ hoạt động hơn 50% so với HBM4E. Citigroup dự đoán nhu cầu HBM toàn cầu năm tới sẽ đạt 75,2 tỷ Gb, tăng 62% so với năm trước, cung cấp khoảng 59,4 tỷ Gb, thiếu hụt khoảng 21%.

Theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics dự kiến sẽ mở rộng sản lượng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 và thế hệ thứ bảy HBM4E trong năm tới ít nhất gấp đôi so với năm nay. Công ty dự định tăng lượng kính nền cần thiết cho việc gia công DRAM HBM từ 20.000 tấm mỗi tháng năm nay lên 50.000 tấm mỗi tháng vào năm tới, tăng 2,5 lần so với năm nay. Nhu cầu hàng tháng cho kính nền này vào năm ngoái khoảng 10.000 tấm, năm nay đã gấp đôi so với năm ngoái.HBM4 và HBM4E mà Samsung Electronics tập trung mở rộng sản xuất chủ yếu là các sản phẩm có độ chồng chất cao từ 12 lớp trở lên. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu 10nm (1c) và chip nền quy trình 4nm từ tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng như NVIDIA. Ngành công nghiệp dự đoán, tính theo lượng wafer trung bình hàng tháng, công suất HBM của Samsung Electronics sẽ tăng từ khoảng 180.000 tấm năm nay lên khoảng 250.000 tấm vào năm tới, tăng gần 40%; tỷ lệ xuất khẩu của dòng sản phẩm HBM4 có thể tăng từ khoảng 40% năm nay lên khoảng 80% vào năm tới.

Samsung Electronics đã thuê cựu trưởng phòng chế độ ngoại hối Lý Hy Khôn từ Bộ Tài chính và Kinh tế làm giám đốc điều hành của đội IR vào tháng trước. Lý Hy Khôn từng giữ chức trưởng phòng chế độ ngoại hối, trưởng phòng chính sách thị trường vốn và các vị trí khác, phụ trách chế độ ngoại hối và ứng phó với đầu tư nước ngoài. Vào tháng 4 năm nay, ông đã tham gia vào công việc đưa Hàn Quốc vào chỉ số trái phiếu toàn cầu và được khen thưởng đặc biệt, dự kiến sẽ phụ trách các nhà đầu tư nước ngoài và ứng phó với thị trường vốn toàn cầu.SK Hynix đã thuê cựu trưởng phòng tổng hợp chiến lược kinh tế Jeong Yu Jin từ Bộ Tài chính và Kinh tế làm phó giám đốc dưới sự tổng hợp truyền thông vào tháng trước. Jeong Yu Jin từng giữ chức trưởng phòng ngân sách môi trường khí hậu, thư ký phó thủ tướng kinh tế, trưởng phòng chế độ ngoại hối, trưởng phòng vốn ngoại hối và các vị trí khác. Hai công ty đang thúc đẩy đầu tư sản xuất tại Mỹ, Samsung Electronics dự định đầu tư 37 tỷ USD để xây dựng nhà máy gia công wafer tại Taylor, Texas, trong khi SK Hynix dự định đầu tư 4 tỷ USD để xây dựng nhà máy đóng gói tiên tiến tại Indiana.

Theo báo cáo của Chosun Ilbo ngày 15 tháng 9, lợi nhuận hoạt động của Samsung Electronics và SK Hynix trong quý 3 đã được điều chỉnh tăng lần nữa trong vòng ba tháng. Tổng hợp từ các báo cáo của các công ty chứng khoán lớn và ngân hàng đầu tư nước ngoài, lợi nhuận hoạt động của Samsung Electronics trong quý 3 ước tính khoảng 114 triệu tỷ won, tăng 12.2836 triệu tỷ won (12%) so với 101.9052 triệu tỷ won cách đây ba tháng, và tăng 28% so với 89.4 triệu tỷ won của quý 2. SK Hynix ước tính trong quý 3 là 78.8035 triệu tỷ won, tăng 4% so với 75.7249 triệu tỷ won cách đây ba tháng, và tăng 30% so với 60.5426 triệu tỷ won của quý 2.TrendForce dự đoán giá giao dịch cố định DRAM chung trong quý 3 sẽ tăng từ 13% đến 18% so với quý trước, trong khi NAND flash tăng từ 10% đến 15%. Thị trường chứng khoán chú ý đến tỷ lệ doanh thu HBM4 của Samsung Electronics từ 5% trong quý 1 đã mở rộng lên khoảng 35% trong quý 2, và tỷ lệ sản xuất đã cải thiện. SK Hynix duy trì thị phần HBM hàng đầu, nhưng việc cải thiện sản xuất HBM4 của Samsung có thể làm giảm giá cung cấp của họ. Citigroup đã điều chỉnh dự báo lợi nhuận hoạt động quý 3 của SK Hynix từ 76.7 triệu tỷ won xuống 74 triệu tỷ won do đồng won mạnh lên. Micron sẽ công bố kết quả tài chính quý 4 năm tài chính 2026 (từ tháng 6 đến tháng 8) vào ngày 30, với hướng dẫn doanh thu từ 49 tỷ đến 51 tỷ USD.

Ngân hàng trung ương Hàn Quốc trong báo cáo "Chính sách tín dụng tiền tệ tháng 9 năm 2026" được phát hành gần đây đã tổng hợp lại nguyên nhân biến động của chỉ số giá cổ phiếu tổng hợp Hàn Quốc (KOSPI) từ đầu năm đến nay. Báo cáo cho thấy, khi KOSPI liên tục tăng lên, tỷ lệ đóng góp của Samsung Electronics và SK Hynix vào sự gia tăng của chỉ số đã nhanh chóng tăng cao.Đặc biệt trong quá trình KOSPI từ 8000 điểm tăng vọt lên 9000 điểm vào tháng 6 năm nay, hai cổ phiếu này đã đóng góp tới 99% vào mức tăng của chỉ số.

Theo báo cáo của The Bell, bộ phận kinh doanh gia công của Samsung Electronics và Qualcomm đã trì hoãn hợp đồng gia công sản xuất bộ xử lý ứng dụng do sự khác biệt về giá sản xuất, hai bên không thể thu hẹp khoảng cách giá cả, và cuộc đàm phán kéo dài. Về mặt kỹ thuật, không có vấn đề lớn nào xuất hiện, quy trình 2 nanomet hiện tại đã được đánh giá ổn định ở mức độ tương đối.Tin tức trong ngành cho biết, việc gia công AP của Qualcomm sử dụng quy trình 2 nanomet của Samsung có thể bị trì hoãn đến năm sau, và không rõ liệu có thể bắt đầu sản xuất trong năm nay hay không. Qualcomm đã từng giao cho Samsung gia công AP tiên tiến trước năm 2021, và trong những năm gần đây, Samsung đã liên tục nỗ lực để giành lại hợp đồng này, và đã lần lượt giành được khách hàng như Tesla, Broadcom.Các nguồn tin cho biết, việc trì hoãn hợp đồng khiến Samsung gặp khó khăn trong việc sản xuất AP cho Qualcomm trong năm nay, và hai bên có thể chuyển sang thảo luận về sản phẩm thế hệ tiếp theo. Sau khi có được khách hàng chiến lược, Samsung không còn chấp nhận đơn hàng giá thấp như trước đây.