hbm4

Bộ phận gia công wafer của Samsung Electronics gần đây đã vượt qua 50% tỷ lệ sản xuất chip nền cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 trong quy trình 4 nanomet. Ngành công nghiệp cho biết, bộ phận này sẽ đưa hơn một nửa wafer 4 nanomet vào sản xuất chip nền HBM4 trong nửa cuối năm nay, nhằm mở rộng cung cấp cho NVIDIA, Broadcom, AMD và các công ty khác.Samsung đã khởi động sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay và dự kiến sẽ mở rộng lượng cung cấp từ quý ba, đồng thời tăng đáng kể lượng wafer liên quan từ giữa năm. Chip này dựa trên quy trình 4 nanomet (SF4) của Samsung. Tính đến tháng trước, hơn 50% tổng công suất 4 nanomet của họ đã được phân bổ cho chip nền HBM4. Các nguồn tin cho biết, Samsung hiện đang hoạt động hết công suất 4 nanomet, trong đó chip nền HBM4 chiếm khoảng 50% đến 60%, và tỷ lệ cao này sẽ được duy trì trong nửa cuối năm.Samsung đang sản xuất hàng loạt quy trình từ 4 đến 7 nanomet tại nhà máy Pyeongtaek 2 và 3, trong đó công suất 4 nanomet khoảng 30.000 wafer mỗi tháng, từ đó ước tính rằng lượng wafer liên quan đến chip nền HBM4 khoảng 15.000 wafer mỗi tháng. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả quý hai, Samsung cho biết dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng gấp ba lần so với quý trước, và doanh thu HBM4 trong nửa cuối năm sẽ vượt quá 60% doanh thu HBM tổng thể của công ty.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đang phối hợp với Nvidia (NVDA.O) yêu cầu phát triển bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ bảy (HBM4E) với 8 lớp, giảm đáng kể chiều cao xếp chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp. Thông số tốc độ mà Nvidia đề xuất là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E 14.4Gbps ban đầu của Samsung. Sản phẩm này được báo cáo sẽ được sử dụng cho NVHBM.

Tin tức từ ChainCatcher, SemiAnalysis đã phát hành tập podcast mới nhất, trong đó chỉ ra rằng SK Hynix và Micron đang gặp khó khăn trong việc đạt được tốc độ HBM4 cao nhất. Đặc biệt, SK Hynix đã phải thiết kế lại chip nền của mình, dẫn đến việc giao hàng HBM4 cho nền tảng NVIDIA Rubin bị trì hoãn.Samsung hiện đang sở hữu công nghệ HBM4 tốt nhất. Broadcom truyền thống phụ thuộc rất nhiều vào Samsung để cung cấp HBM. Hiệu suất của Samsung trong thế hệ HBM3E không tốt, điều này đã tạo ra bất lợi cho ASIC của Broadcom. Tuy nhiên, hiện tại Samsung đang dẫn đầu đối thủ của mình với HBM4, mối quan hệ chuỗi cung ứng tương tự đã trở thành lợi thế của Jalapeño.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics đang phát triển sản phẩm HBM4E (thế hệ thứ bảy) 8 lớp phù hợp với yêu cầu của NVIDIA, nhằm chiếm lĩnh vị trí đối tác cung cấp bộ nhớ băng thông cao tùy chỉnh NVHBM. Sản phẩm này giảm chiều cao chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp, với thông số tốc độ do NVIDIA đưa ra là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E ban đầu của Samsung (14.4Gbps), sẽ được sử dụng cho NVHBM theo thông số tối ưu hóa NVLink công khai của NVIDIA.Việc sử dụng 8 lớp trái ngược với logic cạnh tranh HBM trước đây bằng cách tăng số lượng lớp chồng để nâng cao dung lượng, có thể giảm độ khó trong quy trình sản xuất và áp lực về tỷ lệ sản phẩm đạt yêu cầu, thuận lợi cho việc mở rộng cung cấp, được coi là chiến lược của NVIDIA để giảm bớt tình trạng thiếu hụt bộ nhớ. NVHBM dự kiến sẽ được áp dụng từ thế hệ GPU AI "Rubin Ultra" ra mắt vào năm tới, GPU này sẽ mở rộng quy mô kết nối giữa các GPU từ 72 lên 576, thông qua việc trang bị hàng trăm GPU với HBM nhanh hơn để nâng cao tổng thể sức mạnh tính toán.Trong thị trường HBM tùy chỉnh, Samsung có lợi thế cạnh tranh hơn so với SK Hynix và Micron, vì NVHBM cần khả năng thiết kế và sản xuất chip bare die dựa trên DRAM và chip logic, Samsung có thể đáp ứng tích hợp. Các chuyên gia trong ngành cho biết, Samsung đã xác nhận tốc độ ở mức cao nhất trong ngành với HBM4, có thể phát huy lợi thế trong cuộc cạnh tranh về tốc độ.

Tin tức từ ChainCatcher, Samsung Electronics và SK Hynix dự định tăng cường nguồn cung bộ nhớ HBM4 8 lớp cho Nvidia trong nửa cuối năm nay.Hành động này bị ảnh hưởng bởi chiến lược cung ứng của Nvidia, nhằm đảm bảo nguồn cung bộ nhớ HBM ổn định và đồng thời cân bằng lượng nhiệt phát sinh từ sản phẩm.

Tin tức từ ChainCatcher, SemiAnalysis cho biết, Nvidia Rubin Ultra sẽ được trang bị bộ nhớ HBM4 8-hi 192GB. Điều này không chỉ giảm mạnh so với 1TB HBM được giới thiệu ban đầu, mà còn thấp hơn dung lượng 288GB của phiên bản Rubin thông thường.Nguyên nhân cấu hình HBM bị cắt giảm xuống khoảng một phần năm so với ban đầu bao gồm: kế hoạch Rubin Ultra với bốn chip bị hủy bỏ, số lượng cube giảm xuống còn 8; chiều cao xếp chồng giảm từ 16-hi xuống 8-hi; và sử dụng chip HBM4 24Gb thay vì chip HBM4E 32Gb. Có thể sẽ có phiên bản nâng cấp HBM4E 8-hi ra mắt sau đó.

ChainCatcher tin tức, theo phân tích của UBS về danh sách vật liệu siêu chip Vera Rubin (BOM), tỷ lệ chi phí của bán dẫn bộ nhớ trong tổng chi phí của nền tảng này đã tăng lên khoảng 62%, so với 53% của thế hệ trước Blackwell Ultra (GB300) đã tăng đáng kể. Tổng chi phí của siêu chip Vera Rubin (bao gồm 1 CPU Vera và 2 GPU Rubin) khoảng 38,902 USD, trong đó chi phí liên quan đến bộ nhớ đạt 24,297 USD. Chi phí HBM4 khoảng 4,943 USD (chiếm 12.7% tổng chi phí), trong khi chi phí SOCAMM2 kết nối với CPU khoảng 19,355 USD (chiếm 49.8% tổng chi phí), trở thành động lực chính cho sự gia tăng chi phí bộ nhớ.SOCAMM2 là mô-đun bộ nhớ máy chủ dựa trên DRAM tiết kiệm năng lượng LPDDR5X, hỗ trợ dung lượng tối đa 1.5TB cho mỗi CPU. Tủ máy Vera Rubin NVL72 (bao gồm 72 GPU Rubin và 36 CPU Vera) tổng cộng trang bị 74.7TB DRAM, trong đó HBM4 là 20.7TB, CPU sử dụng LPDDR5X đạt 54TB, lượng LPDDR trong một tủ máy tương đương khoảng 4,500 điện thoại thông minh cao cấp. Tuy nhiên, do ảnh hưởng của sự không chắc chắn về nguồn cung LPDDR5X và HBM4E, NVIDIA đang xem xét giảm cấu hình HBM cho thế hệ Rubin Ultra tiếp theo.

Tin tức từ ChainCatcher, Samsung Electronics công bố báo cáo tài chính quý 2 năm 2026, doanh thu 171.5 triệu tỷ won Hàn Quốc (khoảng 118.8 tỷ USD), tăng 130% so với cùng kỳ năm trước, tăng 28% so với quý trước, đạt mức cao kỷ lục trong một quý; lợi nhuận hoạt động 89.5 triệu tỷ won Hàn Quốc (khoảng 62 tỷ USD), tăng 1813.8% so với cùng kỳ năm trước, tăng 56.4% so với quý trước, vượt kỳ vọng thị trường khoảng 5%; lợi nhuận ròng 71.62 triệu tỷ won Hàn Quốc (khoảng 49.6 tỷ USD), tăng vọt 1299.9% so với cùng kỳ năm trước. Lợi nhuận trên mỗi cổ phiếu 10849 won, tăng 52% so với cùng kỳ năm trước.Doanh thu của bộ phận Giải pháp Thiết bị (DS) đạt 127.5 triệu tỷ won, lợi nhuận hoạt động 89.2 triệu tỷ won, tăng 56% so với quý trước, mảng kinh doanh bộ nhớ được thúc đẩy bởi nhu cầu từ máy chủ AI, doanh thu và lợi nhuận đều đạt mức cao kỷ lục. HBM4 đã được sản xuất hàng loạt và giao hàng, mẫu HBM4E đã được giao cho các khách hàng chính. Doanh thu của bộ phận Trải nghiệm Thiết bị (DX) giảm 9% so với quý trước, trong đó mảng kinh doanh MX bị ảnh hưởng bởi áp lực chi phí linh kiện, doanh thu đạt 33.2 triệu tỷ won, ghi nhận thua lỗ hoạt động 0.7 triệu tỷ won.Samsung dự đoán nhu cầu DRAM máy chủ, eSSD và HBM trong nửa cuối năm sẽ tiếp tục mạnh mẽ, tình hình cung cấp thị trường sẽ tiếp tục căng thẳng, nhưng nhu cầu từ di động và PC có thể có phần chậm lại. Công ty sẽ mở rộng doanh số bán hàng các sản phẩm giá trị gia tăng cao như HBM4, DDR5, SOCAMM2 và thông qua quy trình công nghệ 2nm thế hệ thứ hai để sản xuất hàng loạt các sản phẩm di động mới, mục tiêu đạt được tăng trưởng doanh thu hai con số trong mảng gia công.