長鑫

ChainCatcher 消息，市場研究機構 Counterpoint Research 與 TrendForce 於 18 日表示，中國 DRAM 廠商長鑫存儲月晶圓產能預計將從目前約 32 萬片擴大至 2027 年的 42 萬片，一年多時間新增約 10 萬片，增幅達 31.3%。行業預計，長鑫存儲月 DRAM 晶圓產能到 2028 年底將達到 50 萬至 60 萬片。若按上限 60 萬片計算，較當前水平增加 28 萬片，增幅約 87.5%。

ChainCatcher 消息，長鑫科技公告，預計 2026 年前三季度營業收入約為人民幣 2650 億元至 2700 億元，較上年同期增加 2329.16 億元至 2379.16 億元；預計歸屬於上市公司股東的淨利潤約為人民幣 1310 億元至 1325 億元，上年同期虧損 52.8 億元，同比扭虧為盈。公司表示，受 AI 算力需求增長、DRAM 行業景氣度提升等因素影響，產品供不應求、價格大幅上漲；公司推進產能建設、產品研發和工藝技術提升，優化運營管理並拓展市場。此外，公司董事長朱一明提議以 10 億至 20 億元回購公司股份，回購股份擬用於員工股權激勵、員工持股計劃或減少註冊資本，相關方案尚需履行審議程序。

ChainCatcher 消息，中國存儲芯片企業長鑫存儲（CXMT）稱，其在一種新存儲結構上取得關鍵進展。三星電子與 SK 海力士也在推進同類結構，以提高存儲密度。公司總裁曹侃宇在上海一場產業活動上表示，長鑫存儲計劃在 2026 年底前推出基於該結構的新伺服器內存產品，相關說法來自公司聲明。該結構為 4F² 設計，即每個存儲單元占用面積為 4F²，其中 F 為半導體最小線寬。公司稱，這一專有晶體管設計可通過在單顆芯片上容納更多存儲單元來提高存儲密度，並改善效率。目前主流商用 DRAM 採用 6F² 單元結構。

ChainCatcher 消息，据鏈上分析師余燼監測，長鑫存儲（長鑫存儲）上市前一天建立空單的最大空頭已於 10 小時前全部平倉。該地址以 6.5 美元價格做空，在持倉 2 個月後以 8.5 美元價格平倉，累計虧損 1098 萬美元，其中資金費虧損 518 萬美元，價格變動虧損 580 萬美元。

ChainCatcher 消息，韓國《中央日報》報導，其取得的三星電子部長出身、前長鑫存儲（CXMT）設備投資負責人全某的陳述書顯示，CXMT 前 CEO 王寧國曾於 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韓國團隊，要求帶回三星電子工藝配方計畫（PRP）及設備資訊，並稱若不帶回將向韓國政府舉報，還警告對方有核實人脈、不要說謊。全某稱當時感到害怕。報導稱，CXMT 管理層當時以"黃山"作為三星電子的代號。全某在三星電子工作 28 年後加入 CXMT，因涉嫌未經授權洩露並使用三星投入 1.6 萬億韓元、當時全球率先開發的 18 奈米 DRAM 工藝被起訴，今年 4 月一審被判 7 年有期徒刑，目前處於二審。PRP 包含 DRAM 製造約 600 個步驟的順序、設備、條件值及設備公司與型號。三星工藝設計工程師出身的朴某於 2016 年 9 月將相關內容手抄在 12 頁筆記中帶出，目前處於國際刑警組織紅色通報狀態。全某在庭審中陳述，與中國方面溝通時出現過做不出 18 奈米就不向 CXMT 提供投資的說法，並稱後來得知對方從一開始就想要該技術，CXMT 起初並無自行開發打算。上述施壓發生在為申請投資準備會議之前。CXMT 於 2016 年由合肥市政府下屬合肥產業投資出資 144 億人民幣設立，約 10 年未盈利，去年首次年度盈利，淨利潤 71 億人民幣。

ChainCatcher 消息，全球儲存器持續嚴重缺貨，AI 及雲端應用推升 DRAM 與 NAND Flash 需求與價格。中國兩大儲存器廠長江儲存與長鑫儲存將打破各占半壁江山的格局。長江儲存跨入 LPDDR5 DRAM 將於 2026 年底試產，長鑫儲存要從 DRAM 搶進 NAND Flash。業界推測兩家最快 2028 年正面交鋒。長江儲存以 Xtacking 技術完成 294 層 3D NAND 開發，三星 2025 年與其達成專利許可協議，從第 10 代 V-NAND 起採用相關專利。長江儲存三期計畫 2026 年底投產，初期約 2.5 萬片 DRAM 產能，2027 年完成爬坡，瞄準 LPDDR5，並規劃後續擴產及 HBM、3D DRAM。長鑫傳出將在北京設置 NAND 研發生產線，估計最快 2028 至 2029 年量產。

ChainCatcher 消息，据 TechPowerUp 报道，中國 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）預計到 2026 年底 DRAM 晶圓月產能約達 35 萬片，美光同期預估約 37.5 萬片。長鑫存儲潔淨室建設週期約 12 個月，短於行業通常的 21 至 24 個月。受美國制裁無法獲得 EUV，長鑫存儲使用較舊的 DUV 光刻及多重圖案化技術。該公司已開始出貨 16 Gb DDR5 晶片，速度 8000 MT/s，晶片面積 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 單元較 G3 小 20%。24 Gb 模組以約 6000 MT/s 量產，LPDDR5X-10667 模組（12 Gb 和 16 Gb）亦已量產。中國政府正鼓勵長鑫存儲向 JHICC、Swaysure 及長江存儲子公司 XMC 等國內廠商轉移 DRAM IP。

ChainCatcher 消息，在 2026 世界製造業大會上，儲存晶片廠商長鑫科技宣布第五代技術平台正式量產。據介紹，長鑫科技將內存陣列有源區半間距做到 11.95 納米，儲存器電容深寬比 45:1，核心動能區高度降至 6762 納米。第五代工藝平台的儲存密度有大幅提升，同等條件下每張晶圓產出較上一代平台提升 50% 以上。基於該平台打造的 24GB LPDDR5X 產品已進入正式量產，並進入國產主流旗艦手機。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士報導，長鑫存儲 CXMT 正準備進入 NAND 閃存芯片市場，將在核心 DRAM 業務之外擴展，並與三星電子、SK 海力士、美光以及長江存儲競爭。長鑫存儲計劃在北京新工廠建立 NAND 閃存研發生產線，並在北京設立包含 NAND 開發項目的研究院。該公司已與客戶討論相關計劃，其中包括一家擬為 AI 系統和超級計算機採購芯片的初創公司。研發線運營或大規模商業製造的時間表尚不明確。全球存儲短缺由 AI 伺服器需求推動，預計至少持續至 2027 年。製造商優先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 產能增加。長鑫存儲 7 月 IPO 募資 579.2 億元人民幣。長江存儲於 2022 年被列入實體清單。

ChainCatcher 消息，据日經亞洲報導，中國芯片製造商長鑫存儲（CXMT）在利潤率方面已領先全球競爭對手，超越 SK 海力士和美光。該公司利用商品級 DRAM 供應緊張的局面，在第二季度佔據優勢。長鑫存儲的主要產品包括 DDR5 記憶體，近幾個月價格出現上漲。報導稱，這一情況出現在由韓國、美國和日本供應商主導的存儲芯片行業。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）已啟動第四代高帶寬存儲器 HBM3 試驗生產，初期良率停滯在 25%，約為量產黃金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量產同類產品，良率超過 90%。長鑫存儲 HBM3 8 層堆疊產品前道工序良率約 30%，後道工序後約 70% 成為最終良品。公司將少量樣品供應給阿里巴巴平頭哥、寒武紀等中國企業並持續改善良率。其 G4（17 奈米級）工藝普通 DRAM 無大問題，但 HBM 用 DRAM 晶片面積更大、電氣規格更嚴格。業界將原因指向矽通孔 TSV 技術成熟度不足。Nomad Semi 分析顯示，三星 HBM2 每晶片 TSV 超 5000 個，SK 海力士 HBM3 超 8000 個，長鑫存儲約 3000 個。與三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，据《金融时报》援引知情人士報導，中國儲存芯片製造商長鑫儲存和長江儲存均已從阿斯麥採購了足夠多的深紫外光刻機（DUV），以滿足其未來三年的擴產計劃。

ChainCatcher 消息，長鑫科技召開 2026 年半年度業績說明會。有投資者詢問長鑫科技第三季度 DRAM 價格情況，公司高級副總裁、財務負責人黃丹陽認為，展望 2026 年下半年，全球 DRAM 產品供給緊缺格局將延續。

ChainCatcher 消息，長鑫科技召開 2026 年半年度業績說明會。公司獨立董事陳武朝在回覆投資者提問時表示，2026 年上半年，全球 DRAM 產品景氣度提升，價格上漲。目前，公司仍處於產能擴張和技術升級的關鍵投入期，需要在保障必要資本開支的前提下逐步為股東創造回報。隨著盈利能力持續增強，公司將依法依規適時啟動分紅方案的論證。

ChainCatcher 消息，据藍鯨新聞報導，從長鑫科技獲悉，字節與中興聯合研發的新一代豆包手機------努比亞 NaviX Ultra，將搭載長鑫最高速率 10667Mbps 的 LPDDR5X 內存。官方表示，這也是國產 10667Mbps 高速 LPDDR5X 內存芯片首次實現量產落地應用。此前消息，努比亞"豆包手機"完成入網備案，9 月將量產上市。

ChainCatcher 消息，長鑫存儲於美國東部時間 8 月 28 日向美國國防部提起訴訟。長鑫存儲表示，公司向美國哥倫比亞特區地方法院提起訴訟，指控美國國防部錯誤地將其列入"中國軍事企業"清單，該公司 2025 年 1 月被首次列名。長鑫存儲不是軍事企業，僅研發和生產用於商業及民用領域的 DRAM（動態隨機存取存儲器）產品，未用於軍事用途。

ChainCatcher 消息，長鑫科技發布 2026 年半年度報告，上半年營收 1503.10 億元，同比增長 873.64%；歸母淨利潤 776.05 億元，去年同期虧損 23.32 億元；經營活動現金流淨額 1311.56 億元，同比增長 2985.64%；毛利率 84.84%，研發投入 68.59 億元，占營收 4.56%。截至報告期末，總資產 4680.78 億元，淨資產 2707.49 億元。公司是全球第四、中國第一的 DRAM IDM 廠商，產品覆蓋 DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6 等，已與阿里雲、字節、騰訊、聯想、小米、OPPO、vivo 等頭部客戶合作，第五代工藝技術平台正進行客戶認證。截至 6 月 30 日，公司共擁有 4484 項境內專利及 3400 項境外專利，研發人員 7491 人，占比 33.42%。公司無控股股東和實際控制人，第一大股東清輝集電持股 21.67%。公司於 7 月 27 日登陸科創板，發行價 8.66 元/股，上市首日市值突破 3.5 萬億元。

ChainCatcher 消息，据鏈上分析師余燼監測，隨著長鑫科技 (CXMT) 大漲 5% 站上 4 萬億元市值，在長鑫上市前一天做空的最大空軍，虧損已經高達 1082 萬美元。該鯨魚已扛單一個月，6.5 美元做空的 290 萬股 $CXMT，現在已經 8.6 美元。價格虧損 630 萬美元，還有資金費已交 452 萬美元。

ChainCatcher 消息，長鑫科技公告，公司首次公開發行股票並在科創板上市的超額配售選擇權已全額行使，對應新增發行 10.03 億股，總股本增至 678.84 億股。因行使期內股價均高於發行價 8.66 元/股，中金公司作為本次發行的獲授權聯席主承銷商，未利用本次發行超額配售所獲得的資金以競價交易方式從二級市場買入本次發行的股票。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 報導，長鑫存儲與長江存儲持續擴張，近期蘋果積極尋求導入兩家中系記憶體供應鏈，外界關注其打入蘋果供應體系。業界透露，兩家廠商實則借蘋果證明中國 DRAM 及 NAND Flash 品質已達國際水準，檯面下則透過第三方組裝，輾轉外銷北美新雲端（neocloud）業者，擴大雲端與企業級市佔。長鑫存儲母公司長鑫科技已完成人民幣 295 億元募資，長江存儲擬 IPO 募資約 330 億元，用於量產線升級與研發。長江存儲 2024 年已轉盈，2026 年第一季歸母淨利達 333.79 億元；其三期新廠將提前至 2026 年第四季投產，總產能每月 10 萬片，其中約 20% 試產 LPDDR，成為其首個 DRAM 據點。供應鏈稱，兩家最快有望在 2027 年底至 2028 年將中國本土記憶體自給率提升至 50% 以上。長江存儲以 NAND 銷往第三方模組廠並組裝為企業級 SSD 出貨，規避產地敏感；長鑫存儲已導入美、加等地中小型雲端業者認證。美國民間企業原則上可向兩家採購，實體清單主要限制其獲取美國技術，並未全面禁止民間採購。雲端業者亦透過租用算力或第三方持有資產等方式降低合規風險。業界認為，蘋果對產業供需影響力下降，兩家並無意大量供貨蘋果或削價競爭，擴產仍難短期滿足蘋果在中國市場需求。