产能

ChainCatcher 消息，由于美以对伊朗的战争扰乱了中东地区的产能扩张计划，欧佩克+ 推迟了石油产能评估工作。该评估旨在确定 2027 年石油产量配额，原计划于 2026 年 9 月底前完成，现预计将在 11 月中旬之前完成。

ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，经济日报报导，苹果、辉达、超微、高通、联发科等大厂冲刺 AI 与高速运算，近期追加预订台积电 2 奈米家族产能，增幅达 10% 至 20%。台积电因此加快 2 奈米家族扩产，进度优于预期。台积电一向不评论客户讯息与市场传闻。市场原本预估，台积电今年底 2 奈米家族月产能约 9 万至 10 万片，2027 年可望持续双位数成长、达 11 万至 14 万片。业界传出，因客户追单踊跃，今年底月产能将冲刺 12 万片，原订 2027 年目标将提前达成。消息人士称，因应苹果与非苹客户需求，2 奈米家族新产能开出速度与规模创新纪录，远超过 3 奈米家族第一年产能爬升速度。台积电资深副总暨副共同营运长侯永清在今年北美技术论坛表示：因应 AI 等强劲需求，今年将首度同时有五座 2 奈米厂放量，包含新竹两座、高雄三座；2 奈米第一年晶圆产出将较 2023 年 3 奈米第一年增加 45%；2026 年至 2028 年 2 奈米产能年复合成长率将达 70%。台积电南科 3 奈米今年第 4 季月产能将近 18 万片，并正于台湾、美国亚利桑那州及日本新增三座 3 奈米晶圆厂，美国第二座晶圆厂计划 2027 年下半年开始量产。

ChainCatcher 消息，据 TechPowerUp 报道，中国 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）预计到 2026 年底 DRAM 晶圆月产能约达 35 万片，美光同期预估约 37.5 万片。长鑫存储洁净室建设周期约 12 个月，短于行业通常的 21 至 24 个月。受美国制裁无法获得 EUV，长鑫存储使用较旧的 DUV 光刻及多重图案化技术。该公司已开始出货 16 Gb DDR5 芯片，速度 8000 MT/s，芯片面积 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 单元较 G3 小 20%。24 Gb 模组以约 6000 MT/s 量产，LPDDR5X-10667 模组（12 Gb 和 16 Gb）亦已量产。中国政府正鼓励长鑫存储向 JHICC、Swaysure 及长江存储子公司 XMC 等国内厂商转移 DRAM IP。

ChainCatcher 消息，时序进入2026年第3季下旬，台积电3奈米、2奈米先进制程与CoWoS先进封装产能持续供不应求。NVIDIA、苹果持续占有先进制程与封装资源；亚马逊AWS旗下Annapurna近期放大AI自研芯片投片，取得更多3奈米产能。联发科除手机芯片外，亦以Google TPU相关大单争抢2/3奈米制程与CoWoS-S/L产能。市场传出台积电近期重新调整产能配置。联发科承接Google TPU大单后，下一代TPU v9将同时采用台积电CoWoS-L及英特尔EMIB-T，已微调联发科3奈米、2奈米产能安排。目前台积电3奈米主要客户为NVIDIA，2025年超越苹果成为最大客户；2奈米则以苹果等需求为主。AWS放大Annapurna投片后，其3奈米与CoWoS配置順位已提升。台积电2026年初起加速扩产，新竹宝山Fab 20及高雄Fab 22的2奈米月产能至10月底各有5万片，合计约10万片；至10月底南科3奈米月产能约18.5万片。至9月底整体产能利用率约96.2%，其中16/12奈米以下至2奈米均为100%。CoWoS供应不足带动先进封装订单外溢，承接順位为日月光集团旗下矽品优先，接着为Amkor、力成等，力成相关封测产能已全数满载，订单能见度至2028年。

ChainCatcher 消息，供应链传出，台积电首次揭露明年 2／3 纳米扩产目标，2 纳米从今年底 9 万片增至明年中 11 万片，增幅 22%；3 纳米从今年底逾 18 万片增至明年中 21 万片，增幅逾 16%。台积电昨日不评论市场传闻，强调产能相关说明依公司公告为准。据悉，台积电 3 纳米月产能去年底达 12 万至 13 万片，今年底扩至 18 万片，目标明年中逾 21 万片。2 纳米今年底月产能将达 9 万片。台积电先前表示，2026 年资本支出介于 600 亿美元至 640 亿美元，其中约 70% 至 80% 用于先进制程，并新增三座 3 纳米晶圆厂，分别位于台湾、美国亚利桑那州及日本，同时在台湾转换 5 纳米设备支援 3 纳米产能。

ChainCatcher 消息，供应链传出，AI 芯片用高阶测试介面产能吃紧，NVIDIA 大举加价包下主流测试介面业者的探针卡及测试座产能，部分研发与工程验证需求受排挤。包括晶圆代工厂台积电及芯片厂已启动多元供应商验证，以应对产能被锁定后的供应压力。

ChainCatcher 消息，力成、京元电及矽格8月营收均呈年月双增，力成、矽格连续两月改写历史新高。力成8月合并营收85.58亿新台币，月增3.48%、年增24.46%，继7月首度突破80亿元并创历史新高后8月再刷新纪录，累计前八月营收612.58亿元，年增30.83%。京元电8月营收40.80亿元，月增2.23%、年增31.58%，累计前八月营收294.04亿元，年增35.53%。矽格8月营收20.7亿元，月增近3%、年增近29%，累计前八月营收152.6亿元，年增逾20%。力成今年主要成长来源仍是存储器封测需求回升。力成先前预期第三季营收将呈个位数季增，第四季还有机会高于第三季，存储器订单动能可望延续至年底，明年初市况正向。除存储器本业外，先进封装成为下一阶段布局重点，旗下面板级封装已获美系客户采用，P11厂产能由客户包下，规划2027年中进入整合ASIC与HBM的AI芯片量产阶段。京元电近年积极扩充高阶测试产能，AI相关产品已成为推升营运的重要力量，AI GPU、ASIC及高速运算芯片测试需求仍是其主要成长来源。矽格指出，AI及高速互连需求强劲，包括CPU、GPU、ASIC及AI加速器等高性能运算芯片需求增加。矽格2月新购湖口厂区完成无尘室建置后于7月投入量产，目前产出达该厂总产能40%，逐步承接国外客户新增需求。

ChainCatcher 消息，三星电子晶圆代工事业部在 4 纳米工艺中，分配给第六代高带宽存储器 HBM4 用基底芯片量产的比重最近突破 50%。业界称，该事业部今年下半年将超过一半的 4 纳米晶圆投入 HBM4 基底芯片制造，以配合向英伟达、博通、AMD 等扩大供应。三星于今年 2 月率先启动 HBM4 量产出货，并计划自第三季度起扩大供应量，自年中起显著增加相关晶圆投入。该芯片基于三星晶圆代工 4 纳米（SF4）工艺。截至上月，其全部 4 纳米产能中超过 50% 已分配给 HBM4 基底芯片。知情人士称，三星 4 纳米目前处于满产，其中 HBM4 基底芯片占比约 50% 至 60%，下半年将维持高占比。三星在平泽 2 厂与 3 厂的晶圆代工产线量产 4 至 7 纳米级工艺，其中 4 纳米产能约每月 3 万片，据此估算 HBM4 基底芯片相关晶圆投入约每月 1.5 万片。三星在第二季度业绩电话会上表示，预计第三季度 HBM4 营收环比扩大 3 倍以上，下半年 HBM4 营收将超过公司整体 HBM 营收的 60%。

ChainCatcher 消息，中国封测龙头长电科技于 9 月 7 日宣布，计划通过非公开发行股票募集不超过 65 亿元人民币（约合 9.68 亿美元），用于 AI 芯片先进封装产能扩张及相关技术研发。 本次募资将主要投向高密度系统级封装、晶圆级封装等面向 AI 计算芯片的产线建设，以应对来自英伟达、AMD 等客户的订单需求。长电科技表示，AI 芯片对封装技术的带宽和散热要求显著提升，现有产能已接近满负荷运转。目前该募资方案尚需获得股东大会及监管机构批准。

ChainCatcher 消息，韩国央行表示，得益于三星电子和 SK 海力士积极扩建国内生产设施，韩国在存储芯片产能方面的领先优势预计将进一步扩大。韩国央行预计到 2028 年投产的新芯片工厂将使韩国每月晶圆产能增加约 60 万片。

ChainCatcher 消息，据电子新闻 9 月 3 日报道，美光计划将高带宽内存 HBM 产能较去年扩大一倍，今年年底前最多新增月产能 6 万片晶圆。知情人士称，去年美光 HBM 产量约月产 4 万至 5 万片，年底有望达到约月产 10 万片规模，以缩小与三星电子、SK 海力士的差距。美光正增加对多家 HBM 设备商的采购订单，生产基地主要在中国台湾与新加坡晶圆厂，持续导入设备。目前产量以 HBM3E 12 层为主，今年初 HBM4 12 层占比约 20% 至 30%，年底或升至最高 50%。HBM4 12 层将用于英伟达最新 AI 加速器 Vera Rubin，美光自今年二季度起量产该产品。美光 CEO 梅赫罗特拉今年 6 月在 2026 财年三季度业绩会上表示，HBM4 12 层量产爬坡速度约为 HBM3E 12 层的两倍，HBM4 累计出货营收已超 10 亿美元。业界认为三星、SK 海力士各自 HBM 产能约月产 15 万至 20 万片。Counterpoint 数据显示，今年二季度全球 HBM 市占率 SK 海力士 50%、三星 32%、美光 18%。美光还在日本广岛筹备相关投资。

ChainCatcher 消息，分析指出，中国主要 DRAM 厂商 CXMT 月度晶圆产出已在 2025 年末触及约 24 万片峰值，并预计 2026 年维持持平。受美国对先进半导体设备尤其是 EUV 光刻机出口管制收紧影响，其扩产能力受限，实质性扩产最早要到 2027 年，且取决于本土设备供应链进展。高盛数据显示，CXMT 对国内 DRAM 需求覆盖率 2026 年仅约 41%，2028 年约 50%，呈现多年结构性瓶颈。TrendForce 数据显示，传统 DRAM 合约价 2026 年一季度环比大涨 90%-95%，二季度再涨 58%-63%，Jefferies 预计三、四季度仍将分别上涨 40%-50% 与 30%-40%。服务器 DRAM 涨幅更陡，三星与 SK 海力士向微软、谷歌等客户提出一季度 60%-70% 涨价。S&P Global 预计三星传统 DRAM 每比特收入 2026 年同比升 116% 至 0.79 美元，美光 ASP 升 54% 至 1.06 美元；Bernstein 预计 SK 海力士 DRAM 毛利率 2026 年四季度可达 92.7%。多方预测认为有效供应缓解最早要到 2027 年末甚至 2028 年。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，NB 供应链传出品牌厂大举回头，“返中生产”成新趋势。惠普、华硕、宏碁等品牌近期明显缩减原规划前移至东南亚的产能，生产重心再度回归中国重庆或昆山，并增加向中系 ODM 或 EMS 厂下单及贴牌比重。涉及广达、英业达泰国厂及仁宝、纬创越南厂等产线或受客户移转影响。联想、戴尔与苹果则相对不动。供应链指出，美国对等关税被联邦最高法院判定违宪后，替代关税冲击较小，且东南亚 NB 生产成本较中国平均每台高出 9 美元。品牌厂单台 NB 毛利率多在 3% 至 10%，以均价约 300 美元的低价机种计，9 美元差距已接近甚至超过其利润，导致出货无利可图。中国地方政府亦因税源减少要求提高产量，否则追回过往补助，形成回流拉力。相关 ODM 人士称将尊重客户决定，若无法承接单一产品，会在当地转产服务器与网通等其他产品线。联想因分散布局较谨慎，迁回幅度有限；戴尔因美国政府订单占比较高未大举回流；苹果主打高价市场并推动自动化，MacBook 迁离上海主因疫情断链，其越南计划迄今未变。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士报道，三星电子已对部分先进代工服务新订单提价最高 15%，因 AI 芯片需求激增导致产能紧张。该公司长期在代工领域落后于台积电。中国客户需求尤为强劲，但三星需优先服务美国客户并预留部分产能支持自有芯片生产，无法承接全部订单。受美国先进芯片设备对华出口限制影响，中国企业更依赖海外代工厂，部分中国客户接受了最大幅度涨价。知情人士称，三星于 7 月上调 4 纳米（SF4）工艺价格，中国与美国客户涨幅 10% 至 15%，台湾客户为 5% 至 10%；5 纳米（SF5）晶圆涨价 10% 至 15%，较旧的 8 纳米工艺涨幅接近 10%。平泽工厂 SF4 产线自去年底以来满负荷运转，既为高通等客户生产逻辑芯片，也为三星自身 HBM 提供基础裸片。分析指出，台积电先进产能被订满后，客户转向三星与英特尔，使三星具备提价空间。三星代工业务自 2022 年以来持续亏损，但公司预计在稼动率提升、良率改善与价格走强推动下有望较快扭亏，下半年代工营收有望同比两位数增长，先进工艺占比将超一半，AI 与高性能计算应用占比将超 30%。特斯拉、苹果、博通、英伟达等已与三星达成相关合作，谷歌亦在洽谈使用 SF4 制程。

ChainCatcher 消息，SK 海力士已重启其大连第二座 NAND 闪存工厂建设，预计将该地区月产能提升约 50%。新产线设计月产能约 5 万片晶圆，叠加现有大连一厂 10 万片月产能，SK 海力士在华 NAND 总产能将增至约 15 万片每月。该工厂于四年前动工，后因存储芯片市场下行及美国对华设备出口限制暂停，仅完成结构框架。 大连二厂的投资由 SK 海力士旗下 NAND 子公司 Solidigm 推动，最早于今年 11 月启动设备搬入，计划明年上半年建立量产体系。受 AI 数据中心扩张推动，企业级 SSD 需求激增，NAND 价格较一年前上涨近 10 倍，带动投资重启。SK 海力士将采取双轨策略：大连工厂利用英特尔成熟浮栅架构生产百层级别 NAND，清州 M17 等国内工厂则聚焦 300 层以上先进 NAND 生产，后者已宣布投资 19.1 万亿韩元。业内预计大连二厂设备配置与一厂相近，月产能维持在 4 万至 6 万片区间。

ChainCatcher 消息，微软计划在今年秋季（可能最快于 9 月）公开发布其下一代 Maia 300 AI 芯片。为满足 2027 年的交付需求，微软已与台积电进行接洽，以确保获得超过 30 万枚该芯片的制造产能。

ChainCatcher 消息，特斯拉表示，TeraFab 将在得州格赖姆斯县建设，特斯拉和 SpaceX 所需的芯片数量将远超当前及未来全球生产能力。

ChainCatcher 消息，据韩媒The Elec报道，GlobalWafers 在Q2财报电话会上表示，12英寸、8英寸及6英寸产线已接近满载，部分先进12英寸产品已出现供应约束，主因AI芯片、HBM及先进封装需求激增。信越化学Q2 12英寸出货量同比及环比均实现两位数增长，胜高亦判断客户库存调整已近尾声，SK Siltron新产线产能虽逐步释放，仍难满足订单增速。 供给紧张推动长约模式变化，GlobalWafers 上月与美光签署10年LTA（含预付款）。非LTA市场价格已开始上涨，预计下半年继续走高。GlobalWafers表示正与客户就新合同纳入价格调整机制进行协商，世创电子亦强调“需要广泛且有意义的价格上涨”以支撑再投资。业内预计，随着三星、SK海力士及美光等新厂陆续投产，2027年下半年晶圆需求将翻倍，供应短缺可能进一步加剧。

ChainCatcher 消息，据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子晶圆代工业务 4nm 产线产能已满载至明年，主要受 HBM4 订单激增及英伟达推理用 LPU“Grok3” 超预期订单推动。为应对产能瓶颈，三星正积极向客户推荐已通过验证的 5nm 制程作为替代方案，该工艺原主要面向汽车芯片，现正扩大至服务器及高性能AI/NPU芯片领域。 报道称，近期 3-4个月内5nm客户需求显著增长，主要来自因台积电先进制程供应紧张及地缘政治因素转向的中国及印度Fabless企业。此外，2nm制程的客户咨询也在持续进行中。