samsung

Công ty chứng khoán Hàn Quốc KB Securities cảnh báo rằng tồn kho bán dẫn lưu trữ của Samsung Electronics và SK Hynix đã giảm xuống dưới 10 ngày cung cấp, và nguồn cung có sẵn vào năm tới sẽ rõ ràng không đủ. Cơ quan này đã báo cáo vào thứ Hai rằng đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo đang mở rộng với tốc độ chưa từng có, thị trường chip lưu trữ đang đối mặt với tình trạng thiếu hụt nghiêm trọng. Yếu tố chính là việc chuyển đổi sang HBM4, cần khoảng ba lần wafer so với DRAM truyền thống, và công suất wafer hạn chế sẽ giảm khả năng cung cấp DRAM truyền thống.KB Securities dự đoán rằng nhu cầu DRAM và NAND vào năm tới sẽ vượt quá cung cấp hơn 10%. Giám đốc nghiên cứu Kim Dong-won cho biết, máy chủ trí tuệ nhân tạo sẽ tiêu thụ HBM, DDR5 máy chủ và ổ cứng thể rắn cấp doanh nghiệp, có thể dẫn đến tình trạng thiếu hụt lịch sử. Các nhà điều hành trung tâm dữ liệu siêu lớn toàn cầu đã điều chỉnh dự báo đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo lên 1,3 nghìn tỷ USD vào năm tới, tăng 60% so với năm trước. Cơ quan này dự đoán rằng vào năm tới, bán dẫn lưu trữ sẽ chiếm 57% tổng đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo, cao hơn so với 14% của năm trước, TrendForce dự đoán tỷ lệ này có thể lên tới 68%. Giá cổ phiếu của Samsung Electronics đã giảm gần 28% so với mức cao nhất, trong khi SK Hynix giảm gần 40%.

Bộ phận gia công wafer của Samsung Electronics gần đây đã vượt qua 50% tỷ lệ sản xuất chip nền cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 trong quy trình 4 nanomet. Ngành công nghiệp cho biết, bộ phận này sẽ đưa hơn một nửa wafer 4 nanomet vào sản xuất chip nền HBM4 trong nửa cuối năm nay, nhằm mở rộng cung cấp cho NVIDIA, Broadcom, AMD và các công ty khác.Samsung đã khởi động sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay và dự kiến sẽ mở rộng lượng cung cấp từ quý ba, đồng thời tăng đáng kể lượng wafer liên quan từ giữa năm. Chip này dựa trên quy trình 4 nanomet (SF4) của Samsung. Tính đến tháng trước, hơn 50% tổng công suất 4 nanomet của họ đã được phân bổ cho chip nền HBM4. Các nguồn tin cho biết, Samsung hiện đang hoạt động hết công suất 4 nanomet, trong đó chip nền HBM4 chiếm khoảng 50% đến 60%, và tỷ lệ cao này sẽ được duy trì trong nửa cuối năm.Samsung đang sản xuất hàng loạt quy trình từ 4 đến 7 nanomet tại nhà máy Pyeongtaek 2 và 3, trong đó công suất 4 nanomet khoảng 30.000 wafer mỗi tháng, từ đó ước tính rằng lượng wafer liên quan đến chip nền HBM4 khoảng 15.000 wafer mỗi tháng. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả quý hai, Samsung cho biết dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng gấp ba lần so với quý trước, và doanh thu HBM4 trong nửa cuối năm sẽ vượt quá 60% doanh thu HBM tổng thể của công ty.

Nhà phân tích chứng khoán Kim Young-gun của Future Asset cho biết, sự mở rộng lượng hàng HBM của Samsung Electronics hướng tới ứng dụng AI dự kiến sẽ bù đắp cho tác động của việc tăng trưởng chip lưu trữ chung chậm lại vào năm tới. Dự kiến, lượng hàng HBM của Samsung Electronics vào năm 2027 và giá bán trung bình sẽ lần lượt tăng vọt 57% và 49%, có khả năng vượt qua mức tăng trưởng dự kiến 16% và 20% của chip lưu trữ chung.Future Asset dự đoán lợi nhuận của Samsung sẽ bị ảnh hưởng bởi sự mạnh lên của đồng won Hàn Quốc so với đô la Mỹ, nhưng tổng thể vẫn sẽ giữ vững. Cơ quan này đã điều chỉnh dự báo lợi nhuận hoạt động của Samsung năm 2026 giảm 5,7% xuống 370.057 triệu won Hàn Quốc, và giảm 4,2% xuống 535.682 triệu won Hàn Quốc vào năm 2027.

Theo báo cáo của truyền thông Hàn Quốc Greened.kr, Samsung Electronics đã hợp tác với Arm chính thức khởi động nghiên cứu và phát triển chip AI đầu cuối. Arm đã phê duyệt khoản chi phí kỹ thuật một lần vào cuối tháng 8 để phát triển chip SoC AI đầu cuối thế hệ tiếp theo và chính thức khởi động dự án này với Samsung Electronics.Dự án này áp dụng mô hình hợp tác mà Arm cung cấp công nghệ cốt lõi, Samsung Electronics sẽ tích hợp và triển khai dựa trên đó, nhằm mục đích cùng phát triển chip tùy chỉnh hướng tới khách hàng cuối.

Theo tin tức điện tử ngày 3 tháng 9, Micron dự định sẽ mở rộng công suất bộ nhớ băng thông cao HBM gấp đôi so với năm ngoái, với tối đa 60.000 wafer mới mỗi tháng trước cuối năm nay. Những người có thông tin cho biết, sản lượng HBM của Micron khoảng 40.000 đến 50.000 wafer mỗi tháng vào năm ngoái, và dự kiến sẽ đạt khoảng 100.000 wafer mỗi tháng vào cuối năm, nhằm thu hẹp khoảng cách với Samsung Electronics và SK Hynix.Micron đang tăng cường đơn hàng mua sắm từ nhiều nhà cung cấp thiết bị HBM, với các cơ sở sản xuất chủ yếu tại các nhà máy wafer ở Đài Loan và Singapore, liên tục đưa vào thiết bị. Hiện tại, sản lượng chủ yếu là HBM3E 12 lớp, đầu năm nay HBM4 12 lớp chiếm khoảng 20% đến 30%, và có thể tăng lên tối đa 50% vào cuối năm. HBM4 12 lớp sẽ được sử dụng cho bộ tăng tốc AI mới nhất của NVIDIA, Vera Rubin, Micron đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm này từ quý 2 năm nay.CEO của Micron, Mehrotra, đã phát biểu trong cuộc họp kết quả quý 3 tài chính năm 2026 vào tháng 6 năm nay rằng, tốc độ sản xuất hàng loạt HBM4 12 lớp nhanh gấp đôi so với HBM3E 12 lớp, doanh thu từ HBM4 đã vượt quá 1 tỷ USD. Ngành công nghiệp cho rằng công suất HBM của Samsung và SK Hynix mỗi bên khoảng 150.000 đến 200.000 wafer mỗi tháng. Dữ liệu từ Counterpoint cho thấy, trong quý 2 năm nay, thị phần HBM toàn cầu là SK Hynix 50%, Samsung 32%, Micron 18%. Micron cũng đang chuẩn bị đầu tư liên quan tại Hiroshima, Nhật Bản.

Công ty điện lực quốc gia Hàn Quốc, Korea Electric Power Corporation, đang thảo luận với Samsung Electronics và SK Hynix về một kế hoạch ứng trước tiền điện trị giá hàng tỷ đô la để huy động vốn cho việc xây dựng lưới điện cần thiết cho cụm ngành bán dẫn mới. Theo kế hoạch hiện tại, Samsung Electronics sẽ ứng trước 200 nghìn tỷ won, SK Hynix ứng trước 50 nghìn tỷ won, tổng cộng là 250 nghìn tỷ won, tương đương với tiền điện trong 5 năm tới.Korea Electric Power Corporation cho biết, hệ thống ứng trước tiền điện quy mô lớn là một cơ chế để đáp ứng nhu cầu giữa các doanh nghiệp cần mở rộng lưới điện và Korea Electric Power Corporation cần vốn đầu tư. Các chi tiết cụ thể, bao gồm số tiền ứng trước và thời gian bao phủ, vẫn chưa được xác định cuối cùng.

TCL đã kiện Samsung tại Tòa án Liên bang Los Angeles vào ngày 1 tháng 9 năm 2026, cáo buộc công ty này quảng cáo sai sự thật rằng một số TV sử dụng công nghệ Mini LED. Đơn kiện cho rằng Samsung đã tiếp thị TV dòng M như là sản phẩm Mini LED, nhưng những chiếc TV này thực tế đến từ dòng sản phẩm LED tiêu chuẩn đã được tái chế, không chứa các tiến bộ công nghệ liên quan đến Mini LED.TCL cho biết doanh số TV Mini LED tại Mỹ của họ đã vượt qua Samsung trong khoảng thời gian từ năm 2023 đến 2025, trong khi Samsung đã phát hành dòng M với giá thấp hơn mức giá tối thiểu của TCL và gán nhãn sai, dẫn đến việc thị phần của TCL bị tổn hại. TCL đang tìm kiếm lệnh cấm ngăn Samsung sử dụng nhãn hiệu Mini LED và yêu cầu bồi thường thiệt hại với số tiền không xác định.Samsung cho biết sẽ quyết liệt bảo vệ mình và khẳng định chất lượng và độ chính xác trong mô tả sản phẩm của họ. Bài viết được viết bởi Blake Brittain.

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của tờ "Seoul Economic" Hàn Quốc vào ngày 31 tháng 8, giá HBM và DRAM mà AI tăng tốc sử dụng tiếp tục tăng cao. Dữ liệu từ Hiệp hội Thương mại Hàn Quốc cho thấy, lượng xuất khẩu DRAM giảm từ khoảng 681.7 triệu chiếc vào tháng 5 xuống còn 591.74 triệu chiếc vào tháng 7, giảm 13.2%, trong khi giá trị xuất khẩu tăng từ 11.428 tỷ USD lên 13.552 tỷ USD, tăng 18.5%, giá xuất khẩu đơn vị tăng từ 16.76 USD lên 22.9 USD, tăng 36.6%.HBM4 cung cấp cho khách hàng như Nvidia được mở rộng, và tỷ lệ sản xuất ban đầu thấp hơn HBM3E, làm trầm trọng thêm tình trạng thiếu hụt cung DRAM tổng thể. Bộ phận bộ nhớ của Samsung Electronics được cho là sẽ phân bổ khoảng 70% công suất cho các hợp đồng cung cấp dài hạn đến năm 2031, với các đối tượng chính bao gồm Nvidia, Microsoft, Google. Dữ liệu từ Mega Grid Supply cho thấy, giá HBM3E 36GB trên thị trường giao ngay là 2100 USD, gấp 4 đến 5 lần giá hợp đồng dài hạn; giá HBM4 16 lớp đang được sản xuất hàng loạt khoảng 3500 USD.Ngành đầu tư tài chính dự đoán doanh thu quý 3 của Samsung Electronics đạt 206.64 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động đạt 116.38 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động sẽ lần đầu tiên vượt qua 100 triệu tỷ won Hàn Quốc. Doanh thu quý 3 của SK Hynix dự kiến đạt 101.76 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động 79.16 triệu tỷ won Hàn Quốc. Samsung Electronics đang xem xét việc chuyển đổi dây chuyền sản xuất wafer duy nhất S5 tại khu vực Pyeongtaek sang sản xuất bộ nhớ sớm nhất vào năm sau.

Tin tức từ ChainCatcher, LG Electronics sẽ ủy thác cho Samsung Electronics gia công chip AI cho thiết bị gia dụng, nhằm thoát khỏi sự phụ thuộc vào TSMC. CoAsia SEMI sẽ phát triển hai loại chip IoT cho LG, tổng chi phí dự án là 310 tỷ won Hàn Quốc (khoảng 1,51 tỷ nhân dân tệ), thời gian từ tháng 7 năm 2026 đến tháng 12 năm 2030.Dự án này thuộc kế hoạch "Phát triển công nghệ bán dẫn AI K-On-Device" của chính phủ Hàn Quốc, với tổng ngân sách khoảng 800 tỷ won Hàn Quốc.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đang phối hợp với Nvidia (NVDA.O) yêu cầu phát triển bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ bảy (HBM4E) với 8 lớp, giảm đáng kể chiều cao xếp chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp. Thông số tốc độ mà Nvidia đề xuất là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E 14.4Gbps ban đầu của Samsung. Sản phẩm này được báo cáo sẽ được sử dụng cho NVHBM.

Tin tức từ ChainCatcher, hôm nay cổ phiếu liên quan đến bán dẫn của Hàn Quốc chịu áp lực giảm giá, thị trường tài sản liên quan vẫn giao dịch sôi động. Theo dữ liệu từ nền tảng Gate, SK Hynix (000660) hiện có giá 1,175.12 USD, giảm 2.11% trong 24 giờ qua; Samsung Electronics (005930) hiện có giá 183.02 USD, giảm 1.94% trong 24 giờ qua.Theo dữ liệu từ CoinGlass, thị trường hợp đồng của SKHYNIX và SAMSUNG giao dịch sôi động, khối lượng hợp đồng của hai tài sản này lần lượt tăng 4.03% và 7.30%, giá trị giao dịch hợp đồng lần lượt tăng 451.63% và 1069.65%. Trong các sản phẩm phái sinh cổ phiếu liên quan trên Gate, khối lượng hợp đồng SKHX đạt 180 triệu USD, đứng thứ hai toàn mạng, giá trị giao dịch trong 24 giờ đạt 180 triệu USD; khối lượng hợp đồng SAMSUNG đạt 8.14 triệu USD, đứng thứ hai toàn mạng, giá trị giao dịch trong 24 giờ đạt 5.94 triệu USD.

Tin tức từ ChainCatcher, SemiAnalysis đã phát hành tập podcast mới nhất, trong đó chỉ ra rằng SK Hynix và Micron đang gặp khó khăn trong việc đạt được tốc độ HBM4 cao nhất. Đặc biệt, SK Hynix đã phải thiết kế lại chip nền của mình, dẫn đến việc giao hàng HBM4 cho nền tảng NVIDIA Rubin bị trì hoãn.Samsung hiện đang sở hữu công nghệ HBM4 tốt nhất. Broadcom truyền thống phụ thuộc rất nhiều vào Samsung để cung cấp HBM. Hiệu suất của Samsung trong thế hệ HBM3E không tốt, điều này đã tạo ra bất lợi cho ASIC của Broadcom. Tuy nhiên, hiện tại Samsung đang dẫn đầu đối thủ của mình với HBM4, mối quan hệ chuỗi cung ứng tương tự đã trở thành lợi thế của Jalapeño.

Tin tức từ ChainCatcher, chiếc điện thoại gập kiểu passport Galaxy Z Fold8 mà Samsung lần đầu tiên ra mắt trong năm nay đang gặp khó khăn trong việc cung cấp chip điều khiển hiển thị DDI. Nhu cầu đối với Z Fold8 vượt quá mong đợi, Samsung đang tăng cường đơn đặt hàng linh kiện, nhưng DDI này được thiết kế bởi bộ phận LSI của Samsung và được sản xuất bởi nhà máy gia công wafer UMC tại Đài Loan với quy trình 22 nanomet, năng lực sản xuất của quy trình này tại UMC đã đạt giới hạn, khó có thể sản xuất trước lịch trình.Các chuyên gia trong ngành cho biết, dây chuyền sản xuất 22 nanomet của UMC cũng sản xuất các chip khác, Samsung đã yêu cầu dịch vụ khẩn cấp nhưng bị từ chối. Samsung dự định ưu tiên sử dụng lượng DDI vốn dành cho phát triển vào năm sau cho sản xuất hàng loạt trong năm nay. Thời gian từ khi đưa vào sản xuất đến khi hoàn thành sản phẩm khoảng 4 tháng, sau đó sản phẩm hoàn thiện sẽ được lắp ráp với màn hình OLED của Samsung. Samsung cũng đang tăng cường đơn đặt hàng cho bản lề và kính siêu mỏng UTG. Nhu cầu đối với Z Flip8 thấp hơn mong đợi, Apple cũng dự định ra mắt sản phẩm gập kiểu passport vào nửa cuối năm nay.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics đang phát triển sản phẩm HBM4E (thế hệ thứ bảy) 8 lớp phù hợp với yêu cầu của NVIDIA, nhằm chiếm lĩnh vị trí đối tác cung cấp bộ nhớ băng thông cao tùy chỉnh NVHBM. Sản phẩm này giảm chiều cao chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp, với thông số tốc độ do NVIDIA đưa ra là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E ban đầu của Samsung (14.4Gbps), sẽ được sử dụng cho NVHBM theo thông số tối ưu hóa NVLink công khai của NVIDIA.Việc sử dụng 8 lớp trái ngược với logic cạnh tranh HBM trước đây bằng cách tăng số lượng lớp chồng để nâng cao dung lượng, có thể giảm độ khó trong quy trình sản xuất và áp lực về tỷ lệ sản phẩm đạt yêu cầu, thuận lợi cho việc mở rộng cung cấp, được coi là chiến lược của NVIDIA để giảm bớt tình trạng thiếu hụt bộ nhớ. NVHBM dự kiến sẽ được áp dụng từ thế hệ GPU AI "Rubin Ultra" ra mắt vào năm tới, GPU này sẽ mở rộng quy mô kết nối giữa các GPU từ 72 lên 576, thông qua việc trang bị hàng trăm GPU với HBM nhanh hơn để nâng cao tổng thể sức mạnh tính toán.Trong thị trường HBM tùy chỉnh, Samsung có lợi thế cạnh tranh hơn so với SK Hynix và Micron, vì NVHBM cần khả năng thiết kế và sản xuất chip bare die dựa trên DRAM và chip logic, Samsung có thể đáp ứng tích hợp. Các chuyên gia trong ngành cho biết, Samsung đã xác nhận tốc độ ở mức cao nhất trong ngành với HBM4, có thể phát huy lợi thế trong cuộc cạnh tranh về tốc độ.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo chí Hàn Quốc Chosun Biz, SK Hynix NAND do việc chuyển đổi dây chuyền sản xuất cũ chậm trễ, khoảng cách hiệu suất khó thu hẹp. Tính đến quý II năm nay, tỷ lệ sản phẩm 176 lớp của họ vẫn khoảng 50%, trong khi Samsung đã hoàn tất việc chuyển đổi với sản phẩm chủ lực 236 lớp. Dữ liệu từ Omdia cho thấy, tỷ lệ sản phẩm 232 lớp của Micron đạt 53%, trong khi YMTC đạt 68%.Trong chu kỳ tăng giá NAND, các doanh nghiệp có tỷ lệ công nghệ tiên tiến cao hơn có chi phí và lợi nhuận cải thiện tốt hơn. Doanh thu từ NAND của SK Hynix (bao gồm cả Solidigm) đã giảm từ 21,4% trong quý IV năm ngoái xuống còn 16,4% trong quý I năm nay, trong khi YMTC tăng từ 11,5% lên 16,2%. SK Hynix ưu tiên đầu tư thiết bị cho DRAM và HBM, đầu tư vào NAND đã giảm liên tiếp trong ba năm, từ 3,5 tỷ USD vào năm 2023 xuống còn 2,9 tỷ USD vào năm 2025, làm chậm quá trình chuyển đổi. Hiện tại, họ đang xem xét việc giảm giá trị tài sản NAND cũ để tối ưu hóa chi phí.

Tin tức từ ChainCatcher, theo nghiên cứu mới nhất về ngành công nghiệp MLCC của TrendForce, công ty lớn Hàn Quốc Samsung Electro-Mechanics gần đây đã tiên phong tăng giá báo giá cho khách hàng OEM và ODM cho quý 4 năm 2026, điều này có nghĩa là ngành công nghiệp MLCC chính thức bước vào xu hướng tăng trưởng. TrendForce ước tính, Samsung Electro-Mechanics sẽ tăng giá trung bình cho sản phẩm X5R tiêu dùng của khách hàng OEM và ODM từ 25% đến 30%, nhằm kiềm chế ý định đặt hàng và giải phóng công suất để mở rộng dây chuyền sản xuất cao cấp.Sản phẩm cao cấp X6S ứng dụng cho AI Server sẽ tăng giá trung bình từ 10% đến 20% tùy theo khả năng thương lượng của khách hàng. Các công ty lớn Nhật Bản như Murata, TDK, Kyocera hiện đang giữ thái độ quan sát, báo giá giữ nguyên, việc có theo dõi điều chỉnh giá hay không sẽ là yếu tố quan trọng để quan sát xem xu hướng tăng có thể mở rộng hay không.

ChainCatcher tin tức, theo dữ liệu mới nhất từ Counterpoint Research, iPhone 17 của Apple là smartphone bán chạy nhất toàn cầu trong quý 2 năm 2026, chiếm 6% thị phần tổng lượng xuất xưởng smartphone toàn cầu; iPhone 17 Pro Max và iPhone 17 Pro lần lượt đứng ở vị trí thứ hai và thứ ba trong bảng xếp hạng. Apple và Samsung mỗi hãng chiếm năm vị trí trong danh sách TOP10 smartphone bán chạy nhất toàn cầu; mười mẫu máy hàng đầu chiếm tổng cộng 26% doanh số smartphone toàn cầu, tăng 2% so với năm trước. Mẫu cơ bản iPhone 17 vẫn là smartphone bán chạy nhất trong quý này, với những nâng cấp đáng kể thu hẹp khoảng cách với các mẫu Pro, hỗ trợ cho doanh số bán hàng.Giá cổ phiếu của Apple giảm 0.14% vào thứ Ba, sau giờ giao dịch giảm 0.23%, giá trị thị trường tạm báo là 4.52 nghìn tỷ USD. Về phía Samsung Electronics, dòng Galaxy S có hai mẫu máy lọt vào top mười; Galaxy S26 Ultra trở thành mẫu máy bán chạy nhất của Samsung trong quý này, tăng 5 bậc so với thế hệ trước, đồng thời cũng là mẫu máy Android bán chạy nhất trong quý này; đây là lần đầu tiên một thiết bị Android siêu cao cấp dẫn đầu doanh số Android trong quý 2.

Tin tức từ ChainCatcher, Samsung Electronics và SK Hynix dự định tăng cường nguồn cung bộ nhớ HBM4 8 lớp cho Nvidia trong nửa cuối năm nay.Hành động này bị ảnh hưởng bởi chiến lược cung ứng của Nvidia, nhằm đảm bảo nguồn cung bộ nhớ HBM ổn định và đồng thời cân bằng lượng nhiệt phát sinh từ sản phẩm.

Tin tức từ ChainCatcher, khi nhà đầu tư giảm nhiệt tình với giao dịch trí tuệ nhân tạo, cùng với việc các cơ quan quản lý tăng cường các biện pháp kiềm chế nhu cầu, quỹ ETF đòn bẩy liên kết với các nhà sản xuất chip tại Hàn Quốc đã chứng kiến dòng tiền rút ra gần 1 tỷ USD trong tháng này. Đến thời điểm hiện tại, sản phẩm đòn bẩy theo dõi Samsung Electronics đã rút ra 381 triệu USD trong tháng 8, trong khi các sản phẩm liên quan theo dõi SK Hynix đã rút ra 601 triệu USD, đây là lần đầu tiên các sản phẩm này ghi nhận dòng tiền rút ra hàng tháng kể từ khi ra mắt vào cuối tháng 5.Đặc biệt, trong tháng 7, khi giao dịch AI toàn cầu gặp phải tình trạng bán tháo, chỉ số Kospi của Hàn Quốc đã trải qua một cú sụt giảm lịch sử, với mức giảm trong tháng lên tới 22%. Sau đó, các cơ quan quản lý Hàn Quốc đã nâng cao yêu cầu ký quỹ tối thiểu cho các nhà đầu tư mới khi mua các sản phẩm này, và yêu cầu nhà đầu tư thực hiện giao dịch mô phỏng trong 5 ngày.

Tin tức từ ChainCatcher, phân tích chỉ ra rằng, các nhà sản xuất DRAM chính của Trung Quốc như CXMT đã đạt sản lượng wafer hàng tháng khoảng 240.000 chiếc vào cuối năm 2025 và dự kiến sẽ giữ nguyên vào năm 2026. Do ảnh hưởng của việc Mỹ siết chặt kiểm soát xuất khẩu thiết bị bán dẫn tiên tiến, đặc biệt là máy in EUV, khả năng mở rộng sản xuất của họ bị hạn chế, việc mở rộng sản xuất thực chất sớm nhất phải đến năm 2027 và phụ thuộc vào tiến độ chuỗi cung ứng thiết bị trong nước. Dữ liệu từ Goldman Sachs cho thấy, tỷ lệ bao phủ nhu cầu DRAM trong nước của CXMT chỉ khoảng 41% vào năm 2026 và khoảng 50% vào năm 2028, cho thấy một nút thắt cấu trúc kéo dài nhiều năm.Dữ liệu từ TrendForce cho thấy, giá hợp đồng DRAM truyền thống trong quý 1 năm 2026 tăng mạnh 90%-95% so với quý trước, quý 2 tiếp tục tăng 58%-63%, Jefferies dự đoán quý 3 và quý 4 vẫn sẽ tăng lần lượt 40%-50% và 30%-40%. Giá DRAM cho máy chủ tăng mạnh hơn, Samsung và SK Hynix đã đề xuất tăng giá 60%-70% cho Microsoft, Google và các khách hàng khác trong quý 1. S&P Global dự đoán doanh thu mỗi bit của DRAM truyền thống Samsung sẽ tăng 116% so với năm trước lên 0,79 USD vào năm 2026, trong khi ASP của Micron tăng 54% lên 1,06 USD; Bernstein dự đoán biên lợi nhuận gộp của SK Hynix DRAM có thể đạt 92,7% vào quý 4 năm 2026.Nhiều bên dự đoán rằng nguồn cung hiệu quả sẽ được cải thiện sớm nhất vào cuối năm 2027 hoặc thậm chí vào năm 2028.