晶圆

ChainCatcher 消息，中芯国际发布三季度财报。前三季度实现营业收入 606.18 亿元，同比增长 22.4%；归母净利润 73.14 亿元，同比增长 91.6%。第三季度单季，公司实现营业收入 219.83 亿元，同比增长 28.1%；归母净利润 28.47 亿元，同比增长 87.6%。三季度整体销售收入达 31.9 亿美元，环比增长 6.1%；毛利率为 29.9%，环比增加 4.6 个百分点。业绩变动主要系晶圆销量同比增加、产能利用率上升及产品组合变动所致。公司预计第四季度收入环比增长 4% 至 6%，毛利率指引为 26% 至 28%。

ChainCatcher 消息，据韩国科技媒体 TheElec 报道，三星电子计划在 2030 年前完全退出 8 英寸晶圆代工业务，将战略重心转向 12 英寸先进制程。三星将逐步缩减 8 英寸产线，位于器兴园区的 S7 工厂计划在 2026 年下半年率先关闭，该厂月产能约为 5 万片晶圆。S7 关闭后，三星 8 英寸晶圆总月产能将从 25 万片降至 20 万片以下，剩余 S6 和 S8 工厂的产能利用率当时已降至约 70%。三星代工业务负责人韩镇万此前表示，8 英寸代工市场竞争已变得日益拥挤且由价格驱动，公司计划逐步缩减该业务。

ChainCatcher 消息，三星电子表示，芯片部门的投资计划将用于新建晶圆厂及其他基础设施，以满足强劲的 AI 和 HPC 需求，同时确保中长期准备就绪。

ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，台积电参股芯片制造商 VIS 在新加坡的首座晶圆厂投产即满产，受 AI 基础设施需求推动。该工厂与恩智浦合资，于 6 月试生产，良率达 99%，计划 2027 年初量产。台积电持股约 19%。

ChainCatcher 消息，供应链人士称，台积电晶圆代工价格确定再涨，并已确定自 2027 年 1 月起按不同制程调整 Wafer Out 价格，涨幅约 3% 至 6%。8 吋厂产能利用率超过 100%，45 奈米以下制程满载，订单能见度已至 2030 年。先进制程涨幅较高，成熟及特殊制程则依产品、稼动率及客户状况个别议价，台积电不回应市场传闻。供应链人士称，台积电 2 奈米、3 奈米供不应求，CoWoS 等先进封装产能吃紧压力未解除，客户即使面对价格上调也不易立即转换供应商。美国亚利桑那州厂反映较高制造成本，代工报价维持高档。调价后，三星电子、英特尔、联电、世界先进等晶圆代工厂，以及封测厂和 IC 设计客户的报价也可能受牵动。联电、力积电、世界先进已宣布涨价策略，涨价将延续至 2027 年。供应链称，此波 AI 需求除 GPU、ASIC 及 HBM 外，也增加 PMIC、MCU、驱动 IC、类比 IC 及传感器等需求。IC 设计业者指出，晶圆价格调高后需重估产品成本，高阶 GPU、ASIC 转嫁空间相对较大。台积电董事长魏哲家曾表示，客户选择晶圆代工伙伴不是今天不满意明天就换一家。供应链称，Google、苹果、NVIDIA 等转单多属非核心芯片或规模有限订单，主要高阶制程客户投片未出现明显变化。

ChainCatcher 消息，据工商时报报道，随 HBM、2 奈米以下先进逻辑同步扩产，法人预估全球矽晶圆供需缺口将由 2026 年底约 8%，扩大至 2027 年的 15%、2028 年的 24%，环球晶、合晶及台胜科营运可望受惠。法人指出，2027 年中将是关键转折点，若供给扩充速度未能跟上，2027 年下半年至 2028 年上半年可能出现新一轮缺货与抢货潮。SEMI 统计，2026 年第二季全球矽晶圆出货面积达 35.73 亿平方英寸，季增 9.1%、年增 7.4%。法人估算，2026 年全球 12 吋矽晶圆月产能约 1069 万片、年增 7%，2027 年仅增约 3% 至 1100 万片，2028 年约增 6% 至 1170 万～1176 万片，新增供给包括环球晶第二阶段初期约 30 万片以及合晶约 10 万片。法人预估，2027、2028 年 HBM 矽晶圆消耗量分别年增 23%、28%；一般 DRAM 新产能自 2027 年起陆续开出，至 2028 年新增月产能约 35 万～45 万片。先进逻辑方面，2027、2028 年逻辑制程矽晶圆消耗量分别年增 12%、11%。目前客户矽晶圆库存仍约 100～120 天，距 50～70 天正常水准尚需时间消化。

ChainCatcher 消息，TrendForce 最新晶圆代工产业研究显示，2026 年第二季度全球前十大晶圆代工厂合计营收环比增长 11.5%，接近 534.9 亿美元，再创纪录。增长主要来自 AI 与 HPC 处理器先进制程持续供不应求，以及 PMIC、功率分立器件等外围 AI 芯片需求上升；电视、PC、笔记本等消费供应链提前备货，也使部分成熟制程产能趋紧。台积电继续领先，二季度营收接近 402 亿美元，环比增长 12.1%，市占率 72.5%。AI 服务器 GPU 与 XPU 需求使其 5/4 纳米及 3 纳米产能满载，新款 iPhone 初期备货亦有贡献，2 纳米首次贡献营收。三星晶圆代工排名第二，营收 32.6 亿美元，环比微增 1.8%，市占率降至 5.9%。中芯国际排名第三，营收超过 30 亿美元，环比大增 20%，市占率升至 5.4%，缩小与三星差距。联电维持第四，营收近 21.8 亿美元，环比增长 12.7%，市占率 3.9%。格芯第五，营收约 17.9 亿美元，环比增长 9.3%，市占率 3.2%。华虹集团第六，营收逾 12.7 亿美元，环比增长 3.5%。Tower、世界先进、晶合集成、力积电分列第七至第十，营收分别为 4.60 亿、4.51 亿、4.47 亿及 4.32 亿美元。

ChainCatcher 消息，据韩国《文化日报》报道，三星电子美国得克萨斯州泰勒晶圆厂预计本月底前后进入试运行，因特斯拉、博通、Arm 等 2 纳米订单持续涌入，投产前产能已接近满载。该厂自 2022 年起累计投资 370 亿美元，计划下月初试运行、明年量产，初期月产能约 5 万片晶圆，接近台积电约 8 万片水平。报道称，泰勒厂将生产特斯拉下一代人工智能芯片 AI5、博通新一代通信芯片及 Arm 智能设备 AI 芯片等。三星 2 纳米良率由今年初约 60% 升至近期约 80%。公司 6 月已向该厂派遣工艺、设备与良率人员，7 月开始安装设备。三星在近期业绩会上预计今年 2 纳米接单量较去年增加一倍以上，并称英伟达推理芯片 Grok3 已于上月开始量产；三星近期还将 4 纳米代工价格上调最多 15%。泰勒二厂计划今年底开工、2030 年量产，三星已要求主要合作商提前完成相关生产设备安全认证，部分合作商正考虑向当地派遣数十名人员。同期，英特尔上月发行约 200 亿美元新股并扩大 2 纳米级 18A 与 1.4 纳米级 14A 投资，日本 Rapidus 上月在北海道完成 2 纳米工厂并进入晶圆试投阶段。

ChainCatcher 消息，据经济日报道，半导体硅晶圆出现新冠疫情过后首度明显涨价，涵盖 6 吋、8 吋、12 吋等全系列规格，涨幅一成起跳。法人认为，此为三年多来首次调升报价，环球晶、台胜科、合晶等台湾主要硅晶圆供应商有望迎来营收与获利改善。环球晶表示，近期部分终端市场需求逐步改善，产业链库存调整较过去健康，市场信号较去年更为正向，但价格仍视产品、规格及客户情况而定。台胜科称，在成本压力与需求支撑下已开始与客户沟通价格调整，下半年营运可望优于上半年。合晶则表示正积极与客户洽谈调整报价，并持续推进先进封装等相关产品。业界分析，本轮涨价主要反映 AI 带动的芯片需求回升，先进制程与成熟制程用量增加，使处于上游的硅晶圆产业逐步感受到回暖。目前各厂与客户洽谈进度不一，12 吋抛光片已有部分适用双位数百分比新报价，8 吋及 6 吋产品亦朝类似调升方向协商。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子正加快在美国扩大尖端晶圆代工产能。公司计划于今年年底启动得克萨斯州泰勒晶圆厂二期建设，目标 2030 年量产，并已要求主要设备合作伙伴提前获取 SEMI 认证，以便后续设备导入与出口。SEMI 认证是评估半导体设备安全性的标准，通常为设备出境前的必要程序。泰勒晶圆厂承担三星最先进代工量产任务。一期目前正进行设备进场与安装，目标今年年底投产，主力量产工艺为 2 纳米，特斯拉被视为核心客户。三星在上月二季度业绩电话会上表示，为及时响应客户需求增长，泰勒二期将于今年年底开工。业内人士称，尽管二期具体规格尚未最终确定，三星代工业务已提前推动相关准备。此前三星曾因客户不足与市况疲软多次推迟泰勒一期投资，直至特斯拉于去年三季度与其签订约 22.76 万亿韩元代工协议后建设提速。二期实际量产节奏仍将取决于对特斯拉供货扩大及新增大客户进展。另有消息称，三星 E&A 正考虑向当地派遣数十名建设人员。

ChainCatcher 消息，据东亚日报报道，三星电子计划将京畿道平泽半导体事业场核心项目 P5 1·2 工厂（Fab 5·6）由原有双层晶圆厂扩大为三层晶圆厂建设，以应对全球人工智能半导体及存储器超级周期、最大化提升产能。三星电子近日已提交产业园区计划变更案，拟将容积率由 350% 上调至最高 490%，该变更须经京畿道知事审查并获国土交通部产业选址政策审议委员会批准后最终确定。平泽 P5 1·2 工厂为单一标准下全球最大规模半导体工厂，2022 年开工、目标 2030 年完工，将生产高带宽存储器（HBM）、高端 DRAM、下一代 V-NAND 及先进代工产品。目前已投产的平泽 P4 采用单栋 4 个洁净室的双层结构；若变更获批，P5 起将配置最多 6 个洁净室，洁净室数量与产能有望提升约 1.5 倍。SK 海力士亦计划将龙仁半导体集群新建晶圆厂全部采用三层结构。市场机构 Counterpoint Research 预计，全球存储器市场规模有望由去年约 360 万亿韩元增至今年 1500 万亿韩元、明年 2100 万亿韩元。在电力、用水与土地获取日趋困难的背景下，提高容积率建设三层晶圆厂，成为突破有限空间物理限制并依托既有半导体产业生态的重要路径。

ChainCatcher 消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子正调整其器兴园区 NRD-K 2 号产线的原定用途，从研发设施改为晶圆代工产线，主要目标产品为英伟达 HBM 所需的 2nm 基础芯片。该产线预计将于 2028 年下半年启用，采用“Send-Fab”模式，即从其他量产线接收晶圆并代工特定工序。 NRD-K 是三星电子为抢占未来半导体技术而建设的最尖端复合研发园区，总投资约 20 万亿韩元，共规划 3 条产线，其中第 1 条已于 2024 年底竣工。此次调整旨在提前应对 AI 基础设施投资带动的 HBM 需求扩张。三星计划在定制 HBM 及 HBM5 上率先应用 2nm 工艺以保持性能优势。 业内人士指出，NRD-K 2 号线规模相对较小，适合以 Send-Fab 形式运作。但距离产线启用仍有约两年时间，最终用途仍可能根据市场形势再次调整。三星此前曾考虑将该产线用于 DRAM 生产，相关计划在本月被修改后，DRAM 产能将更集中于平泽园区。设备采购订单尚未正式发出。

ChainCatcher 消息，据韩媒The Elec报道，GlobalWafers 在Q2财报电话会上表示，12英寸、8英寸及6英寸产线已接近满载，部分先进12英寸产品已出现供应约束，主因AI芯片、HBM及先进封装需求激增。信越化学Q2 12英寸出货量同比及环比均实现两位数增长，胜高亦判断客户库存调整已近尾声，SK Siltron新产线产能虽逐步释放，仍难满足订单增速。 供给紧张推动长约模式变化，GlobalWafers 上月与美光签署10年LTA（含预付款）。非LTA市场价格已开始上涨，预计下半年继续走高。GlobalWafers表示正与客户就新合同纳入价格调整机制进行协商，世创电子亦强调“需要广泛且有意义的价格上涨”以支撑再投资。业内预计，随着三星、SK海力士及美光等新厂陆续投产，2027年下半年晶圆需求将翻倍，供应短缺可能进一步加剧。

ChainCatcher 消息，据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子晶圆代工业务 4nm 产线产能已满载至明年，主要受 HBM4 订单激增及英伟达推理用 LPU“Grok3” 超预期订单推动。为应对产能瓶颈，三星正积极向客户推荐已通过验证的 5nm 制程作为替代方案，该工艺原主要面向汽车芯片，现正扩大至服务器及高性能AI/NPU芯片领域。 报道称，近期 3-4个月内5nm客户需求显著增长，主要来自因台积电先进制程供应紧张及地缘政治因素转向的中国及印度Fabless企业。此外，2nm制程的客户咨询也在持续进行中。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，长鑫存储正考虑在北京亦庄建设第二座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，并与北京经济技术开发区及多家国有科技企业洽谈融资。公司正寻求至少 6,000 万元人民币（约 890 万美元）支持，但谈判仍处早期阶段，融资规模与结构可能调整。 拟建工厂将位于长鑫存储现有北京 DRAM 晶圆厂所在地。项目规划产能和总投资尚未确定，而建设一座可生产先进 DRAM 的晶圆厂通常需要超过 100 亿美元。目前，长鑫存储在合肥运营两座、北京运营一座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，每座月产能约 10 万片。长鑫存储还在上海和合肥建设新工厂，相关项目全面投产后，公司月产能可能翻倍至超过 60 万片。 此次扩产正值 AI 基础设施、数据中心及消费电子需求推动存储芯片进入上行周期。公司上月完成 86 亿美元 IPO，为中国内地规模最大的半导体企业上市融资，上市后股价已上涨 13%。长鑫存储目前是全球第四大 DRAM 制造商，但三星电子、SK 海力士和美光第一季度合计仍占据接近 90% 的全球市场份额。北京和上海也在向长鑫存储提供资金及其他支持，以争取其扩张带来的经济和战略收益。

ChainCatcher 消息，据《日经亚洲》援引多位知情人士消息报道，台积电 (TSM.N) 计划在 2027 年上调先进及成熟制程芯片的代工价格，涨幅最高可达 10%，以应对材料、制造设备及海外新厂建设成本上涨带来的压力。台积电已与客户就涨价事宜展开磋商，涉及 7 纳米及更先进制程。这部分业务在今年 4 月至 6 月季度贡献了台积电约 77%的营收。 知情人士表示，基础涨价幅度为 5%至 10%，具体取决于客户和产品。对于超出客户原先预测的高性能计算（HPC）芯片新增订单，台积电计划在基础涨价幅度之上再加收 10%至 15%的溢价。因此，部分先进制程芯片订单的整体涨价幅度可能超过 10%。在成熟制程方面（包括 12 纳米、16 纳米、28 纳米等制程以及其他传统工艺），台积电计划最高涨价 10%，但部分产品涨幅将低于这一水平。成熟制程业务在上一季度约占公司营收的 23%。知情人士称，相关谈判于 6 月左右启动，并于 7 月敲定，新价格将于 2027 年初生效。

ChainCatcher 消息，据韩媒报道，三星电子晶圆代工业务正加速扩大其在全球 AI 芯片市场的份额。继去年承接特斯拉 AI 芯片订单后，三星目前正与 Meta 及 Anthropic 推进定制化芯片（ASIC）的生产合作。 据悉，Meta 正与三星洽谈规模超 10 万亿韩元的下一代 ASIC 设计与生产合同。Meta 的第三代 AI 加速器“MTIA”拟从台积电转向采用三星最先进的 2 纳米工艺进行大规模量产，并由三星 System LSI 部门联合进行早期芯片架构设计，以配合其 6 个月一代的快速研发周期。此外，美国 AI 企业 Anthropic 也正评估利用三星的 2 纳米工艺开发专属 ASIC，旨在推进其 AI 基础设施的内部化。 业内人士指出，随着全球科技巨头 AI 芯片订单的集中涌入，加之目前正与比亚迪（BYD）洽谈的车载芯片代工协议，三星晶圆代工业务的中长期订单储备预计将逼近 50 万亿韩元，并有望在今年第四季度实现营业利润的扭亏为盈。

ChainCatcher 消息，据日经新闻报道，SK 海力士计划在 2034 年前将晶圆产能扩大至三倍，以满足内存芯片日益增长的需求。