nand

Tin tức từ ChainCatcher, tổ chức nghiên cứu Sigmaintell đã công bố chỉ số giá lưu trữ cho thấy, trong quý 3 năm 2026, nhu cầu và cung cấp toàn cầu trên thị trường lưu trữ vẫn còn thiếu hụt, giá của tất cả các loại DRAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động) và NAND Flash (bộ nhớ flash) vẫn duy trì tăng trưởng theo tháng, nhưng so với mức tăng giá trong quý 2 đã rõ ràng chậm lại, một số chip lưu trữ đã thu hẹp mức tăng theo tháng xuống dưới 10%.

Tin tức từ ChainCatcher, Giám đốc điều hành SK Hynix, Kwak Noh-Jung cho biết, công ty đang nghiên cứu cách thức hợp tác sâu sắc hơn với khách hàng và nhà cung cấp chip lưu trữ Nhật Bản, đồng thời đánh giá cẩn thận cách phát triển chung thị trường NAND flash. Về quyền lợi gián tiếp quan trọng mà công ty nắm giữ tại Kioxia, ông cho biết hiện tại "không có kế hoạch cụ thể nào".Sau khi Toshiba giảm tỷ lệ sở hữu trong tháng này, công cụ đầu tư BCPE Pangea Cayman2 mà SK Hynix nắm giữ đã trở thành cổ đông lớn nhất của Kioxia, với tỷ lệ sở hữu là 14,19%. SK Hynix nắm giữ trái phiếu có thể chuyển đổi thành gần như toàn bộ quyền biểu quyết của công cụ đầu tư này; theo thỏa thuận trước đó, trừ khi có sự đồng ý của Kioxia, quyền biểu quyết của họ không được vượt quá 15% trước năm 2028.Ngoài ra, SK Hynix đang đầu tư hơn 4 tỷ USD để xây dựng nhà máy đóng gói HBM đầu tiên của mình tại bang Indiana, Hoa Kỳ. Phòng sạch của nhà máy dự kiến sẽ đi vào hoạt động vào tháng 10 năm 2028, thế hệ HBM tiếp theo dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2029, và sau khi đi vào hoạt động đầy đủ, dự kiến sẽ tuyển dụng khoảng 1000 người. Công ty cũng đang đánh giá khả năng niêm yết công ty con NAND tại Hoa Kỳ, Solidigm, nhưng vẫn chưa đưa ra quyết định.

Tin tức từ ChainCatcher, các nhà nghiên cứu P Equity Research và SemiAnalysis, bao gồm Nick Doyle, đã thảo luận về bộ nhớ flash băng thông cao HBF tại X Space. Nick cho biết, hiện tại vẫn còn quá sớm để xác định mức chênh lệch chi phí của HBF so với HBM có thể thu hẹp bao nhiêu, dữ liệu hiện có chủ yếu là từ các nhà sản xuất, chẳng hạn như Sandisk cho biết chi phí mỗi bit khoảng một phần tám so với HBM. Tỷ lệ sản xuất, thử nghiệm, v.v. sẽ cải thiện theo quy mô, nhưng chi phí cấu trúc như TSV, xếp chồng và chế độ pSLC sẽ tồn tại vĩnh viễn, độ bền là yếu tố chưa biết chính, nếu hao mòn vượt quá dự kiến sẽ đẩy chi phí lên cao.Ứng dụng của HBF rất hạn chế, chỉ hướng tới suy diễn AI, đặc biệt là các mô hình MoE với batch thấp và ngữ cảnh dài, không phải là sản phẩm thay thế HBM. Mục tiêu băng thông thực tế khoảng 1.6 TB/s, thuộc cấp độ HBM3E, phù hợp cho việc đọc tuần tự để tải trọng số mô hình, phù hợp hơn với nhu cầu dung lượng của một số GPU tại chỗ hoặc doanh nghiệp tư nhân, không phải là các tình huống băng thông quy mô lớn. Độ tin cậy tản nhiệt vẫn chưa được giải quyết, bộ nhớ flash bên cạnh GPU ở nhiệt độ cao sẽ tăng tốc độ suy giảm, các biện pháp giảm thiểu như tách UCIe và làm mới hàng ngày vẫn chưa được xác minh.Về sản xuất, Sandisk/Kioxia có kinh nghiệm về 3D NAND, SK Hynix bổ sung khả năng xếp chồng kiểu HBM, nhưng sản xuất hàng loạt vẫn cần được xác nhận. Nhìn chung, thị trường lưu trữ đang chuyển sang phân khúc chuyên môn hóa theo tầng, tình trạng thiếu hụt NAND dự kiến sẽ kéo dài đến năm 2028, HBF có thể ảnh hưởng thêm đến cung cầu.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo chí Hàn Quốc Chosun Biz, SK Hynix NAND do việc chuyển đổi dây chuyền sản xuất cũ chậm trễ, khoảng cách hiệu suất khó thu hẹp. Tính đến quý II năm nay, tỷ lệ sản phẩm 176 lớp của họ vẫn khoảng 50%, trong khi Samsung đã hoàn tất việc chuyển đổi với sản phẩm chủ lực 236 lớp. Dữ liệu từ Omdia cho thấy, tỷ lệ sản phẩm 232 lớp của Micron đạt 53%, trong khi YMTC đạt 68%.Trong chu kỳ tăng giá NAND, các doanh nghiệp có tỷ lệ công nghệ tiên tiến cao hơn có chi phí và lợi nhuận cải thiện tốt hơn. Doanh thu từ NAND của SK Hynix (bao gồm cả Solidigm) đã giảm từ 21,4% trong quý IV năm ngoái xuống còn 16,4% trong quý I năm nay, trong khi YMTC tăng từ 11,5% lên 16,2%. SK Hynix ưu tiên đầu tư thiết bị cho DRAM và HBM, đầu tư vào NAND đã giảm liên tiếp trong ba năm, từ 3,5 tỷ USD vào năm 2023 xuống còn 2,9 tỷ USD vào năm 2025, làm chậm quá trình chuyển đổi. Hiện tại, họ đang xem xét việc giảm giá trị tài sản NAND cũ để tối ưu hóa chi phí.

Tin tức từ ChainCatcher, theo báo Nikkei Asia, nhà sản xuất chip lưu trữ Kioxia Holdings dự kiến sẽ xây dựng cơ sở sản xuất mới tại nhà máy phía Bắc Nhật Bản, với khoản đầu tư dự kiến sẽ vượt quá 1 nghìn tỷ yên (khoảng 62,7 tỷ USD).Hiện tại, Kioxia đứng thứ ba trên thị trường NAND flash toàn cầu, chỉ sau Samsung Electronics và SK Hynix. Hành động này của công ty nhằm theo kịp đối thủ Hàn Quốc trong việc nâng cao năng lực sản xuất để đáp ứng nhu cầu thị trường.

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của DIGITIMES, Changxin Storage và Yangtze Memory Technologies tiếp tục mở rộng, gần đây Apple tích cực tìm kiếm để đưa vào hai chuỗi cung ứng bộ nhớ Trung Quốc, công chúng quan tâm đến việc họ gia nhập hệ thống cung ứng của Apple. Ngành công nghiệp tiết lộ, hai nhà sản xuất thực tế mượn Apple để chứng minh chất lượng DRAM và NAND Flash của Trung Quốc đã đạt tiêu chuẩn quốc tế, dưới bề mặt thì thông qua lắp ráp bên thứ ba, chuyển tiếp xuất khẩu cho các nhà cung cấp đám mây mới ở Bắc Mỹ (neocloud), mở rộng thị phần đám mây và doanh nghiệp.Công ty mẹ của Changxin Storage, Changxin Technology, đã hoàn thành huy động vốn 29,5 tỷ nhân dân tệ, Yangtze Memory Technologies dự định huy động khoảng 33 tỷ nhân dân tệ thông qua IPO, để nâng cấp dây chuyền sản xuất và nghiên cứu phát triển. Yangtze Memory Technologies đã có lãi vào năm 2024, lợi nhuận ròng thuộc về mẹ trong quý đầu tiên của năm 2026 đạt 33,379 tỷ nhân dân tệ; nhà máy mới giai đoạn ba sẽ đi vào sản xuất sớm hơn vào quý bốn năm 2026, tổng công suất mỗi tháng là 100.000 tấm, trong đó khoảng 20% sẽ thử nghiệm LPDDR, trở thành điểm DRAM đầu tiên của họ. Chuỗi cung ứng cho biết, hai công ty có khả năng nâng tỷ lệ tự cung cấp bộ nhớ nội địa Trung Quốc lên trên 50% vào cuối năm 2027 đến năm 2028.Yangtze Memory Technologies bán NAND cho các nhà sản xuất mô-đun bên thứ ba và lắp ráp thành SSD cấp doanh nghiệp, tránh nhạy cảm về nguồn gốc; Changxin Storage đã đưa vào chứng nhận từ các nhà cung cấp đám mây vừa và nhỏ ở Mỹ, Canada và các nơi khác. Các doanh nghiệp tư nhân ở Mỹ về nguyên tắc có thể mua sắm từ hai công ty này, danh sách thực thể chủ yếu hạn chế việc tiếp cận công nghệ Mỹ, không cấm hoàn toàn việc mua sắm tư nhân. Các nhà cung cấp đám mây cũng giảm thiểu rủi ro tuân thủ thông qua việc thuê sức mạnh tính toán hoặc sở hữu tài sản bên thứ ba. Ngành công nghiệp cho rằng, ảnh hưởng của Apple đối với cung cầu trong ngành giảm, hai công ty không có ý định cung cấp số lượng lớn cho Apple hoặc cạnh tranh giảm giá, việc mở rộng sản xuất vẫn khó đáp ứng nhu cầu của Apple trên thị trường Trung Quốc trong ngắn hạn.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của ZDNet Korea, Samsung Electronics và SK Hynix dự kiến sẽ tiếp tục đầu tư vào thiết bị cho dây chuyền sản xuất NAND flash tại Trung Quốc cho đến năm sau, nhằm củng cố các cơ sở sản xuất địa phương. Kể từ nửa đầu năm nay, Samsung đã thúc đẩy đầu tư chuyển đổi V9 NAND trên dây chuyền sản xuất X2 tại Tây An, sản phẩm này có khoảng 280 lớp xếp chồng và dự kiến sẽ đạt công suất sản xuất hàng tháng từ 40.000 đến 50.000 tấm; để ổn định sản xuất hàng loạt, công ty đã xác định kế hoạch đầu tư bổ sung, trọng tâm là thêm thiết bị quy trình khắc, các đơn đặt hàng liên quan dự kiến sẽ được làm rõ vào cuối năm nay, và đầu tư bổ sung dự kiến sẽ được thực hiện từ nửa cuối năm sau.SK Hynix thì từ quý ba năm nay đã thúc đẩy đầu tư vào thiết bị nâng cấp sản phẩm NAND tại nhà máy số 2 ở Đại Liên, quy mô đang thảo luận khoảng 30.000 tấm công suất hàng tháng, các thiết bị sản xuất quan trọng sẽ lần lượt được đưa vào từ tháng tới và dự kiến sẽ hoàn thành việc triển khai trước nửa đầu năm sau. Nhà máy Đại Liên là tài sản mà họ tiếp nhận sau khi mua lại bộ phận NAND của Intel vào nửa cuối năm 2020, vào năm 2022 đã tổ chức lễ khởi công cho việc mở rộng nhà máy số 2, nhưng sau đó do tình hình thị trường và các yếu tố khác đã tạm hoãn việc đầu tư thiết bị, hiện tại việc đầu tư đã được khởi động lại.Các chuyên gia trong ngành chỉ ra rằng, các sắp xếp trên nhằm mở rộng công suất sản xuất NAND tiên tiến tại Trung Quốc theo từng giai đoạn, để đáp ứng nhu cầu lưu trữ cao cấp đang tăng nhanh trong các lĩnh vực như máy chủ trí tuệ nhân tạo.

Tin tức từ ChainCatcher, ngày 24 tháng 8, theo báo cáo của Reuters, công ty mẹ của nhà sản xuất chip flash lớn nhất Trung Quốc, Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (YMTC), là Yangtze Memory Technologies Holdings (CCSH Corporation) đã được chấp nhận hồ sơ niêm yết trên sàn giao dịch STAR Market của Thượng Hải, thị trường dự kiến công ty sẽ niêm yết vào năm tới. Đợt IPO này dự kiến sẽ huy động 33 tỷ nhân dân tệ (khoảng 4,9 tỷ USD). CCSH dự định phát hành từ 1,98 tỷ đến 2,43 tỷ cổ phiếu mới.Bản cáo bạch cho thấy, doanh thu của công ty trong quý đầu tiên năm 2026 (từ tháng 1 đến tháng 3) đạt 47 tỷ nhân dân tệ, tăng gần 5 lần so với cùng kỳ năm trước; lợi nhuận ròng đạt 33,38 tỷ nhân dân tệ, gấp đôi lợi nhuận ròng cả năm 2025 là 14,21 tỷ nhân dân tệ. Nhà máy thuộc YMTC hiện đang hoạt động gần hết công suất và tiếp tục mở rộng doanh số trong thị trường NAND flash đang ngày càng khan hiếm. Giá bán trung bình của NAND flash trong quý đầu tiên năm 2026 đạt 2,73 lần mức trung bình năm 2025, tỷ suất lợi nhuận gộp cũng tăng mạnh từ 35,3% của năm 2025 lên 76,8%.CCSH dự định sử dụng 20,8 tỷ nhân dân tệ trong số tiền huy động được từ đợt niêm yết này để mở rộng dây chuyền sản xuất, và 12,2 tỷ nhân dân tệ cho nghiên cứu và phát triển thế hệ NAND flash và sản phẩm lưu trữ tốc độ cao tiếp theo.

Tin tức từ ChainCatcher, SK Hynix đã khởi động lại việc xây dựng nhà máy NAND flash thứ hai tại Đại Liên, dự kiến sẽ nâng cao công suất hàng tháng của khu vực này khoảng 50%. Dây chuyền sản xuất mới được thiết kế với công suất khoảng 50.000 tấm wafer mỗi tháng, cộng với công suất hàng tháng 100.000 tấm của nhà máy Đại Liên 1, tổng công suất NAND của SK Hynix tại Trung Quốc sẽ tăng lên khoảng 150.000 tấm mỗi tháng. Nhà máy này đã được khởi công cách đây bốn năm, nhưng đã tạm dừng do thị trường chip lưu trữ suy giảm và các hạn chế xuất khẩu thiết bị của Mỹ sang Trung Quốc, chỉ hoàn thành khung cấu trúc.Đầu tư cho nhà máy Đại Liên 2 được thúc đẩy bởi công ty con NAND của SK Hynix là Solidigm, dự kiến sẽ bắt đầu chuyển thiết bị vào tháng 11 năm nay, với kế hoạch thiết lập hệ thống sản xuất hàng loạt trong nửa đầu năm sau. Do sự mở rộng của trung tâm dữ liệu AI, nhu cầu SSD cho doanh nghiệp tăng vọt, giá NAND đã tăng gần 10 lần so với một năm trước, thúc đẩy việc khởi động lại đầu tư. SK Hynix sẽ áp dụng chiến lược hai đường: nhà máy Đại Liên sẽ sử dụng kiến trúc cổng nổi trưởng thành của Intel để sản xuất NAND cấp 100 lớp, trong khi các nhà máy trong nước như Cheongju M17 sẽ tập trung vào sản xuất NAND tiên tiến trên 300 lớp, nhà máy sau đã công bố đầu tư 19,1 triệu tỷ won Hàn Quốc. Ngành công nghiệp dự đoán rằng cấu hình thiết bị của nhà máy Đại Liên 2 sẽ tương tự như nhà máy 1, với công suất hàng tháng duy trì trong khoảng từ 40.000 đến 60.000 tấm.

ChainCatcher thông báo, theo báo Nikkei, cổ đông lớn nhất của nhà sản xuất NAND Nhật Bản Kioxia đã được chuyển từ Toshiba sang công ty mục đích đặc biệt BCPE Pangea Cayman 2 (SPC2), công ty này nắm giữ 14,19% cổ phần của Kioxia, cao hơn một chút so với 14,06% sau khi Toshiba giảm cổ phần. SPC2 là thực thể mà SK Hynix đầu tư thông qua trái phiếu chuyển đổi (CB).Toshiba đã giảm cổ phần của Kioxia trong 7 lần từ ngày 15 tháng 7 đến ngày 3 tháng 8, tỷ lệ nắm giữ giảm từ 15,10% xuống 14,06%. SK Hynix đã đầu tư khoảng 40 nghìn tỷ won vào Kioxia thông qua hai SPC vào năm 2018, trong đó SPC1, được tài trợ chung với Bain Capital và các bên khác, đã hoàn tất việc bán cổ phần khi Bain Capital rút lui vào tháng 6 năm nay, trong khi SPC2, do SK Hynix tự tài trợ khoảng 13 nghìn tỷ won, tiếp tục nắm giữ. Nếu CB được chuyển đổi thành cổ phiếu, SK Hynix sẽ có quyền biểu quyết. Tuy nhiên, đánh giá trong ngành cho rằng khả năng ảnh hưởng thực sự đến hoạt động của Kioxia là khá thấp, vì việc thực hiện quyền biểu quyết cần phải thông qua sự phê duyệt cạnh tranh và chống độc quyền của các quốc gia, chính phủ Nhật Bản có thể sẽ không dễ dàng cho phép do lo ngại về bảo vệ chuỗi cung ứng bán dẫn trong nước. Hiện tại, Kioxia là nhà sản xuất NAND lớn thứ ba thế giới, chỉ sau Samsung Electronics và SK Hynix.

ChainCatcher tin tức, nhà sản xuất NAND Nhật Bản Kioxia đang tăng tốc triển khai thị trường NAND cho AI, năm nay đã khởi động sản xuất hàng loạt thế hệ thứ 10 (BiCS 10) 332 lớp 3D NAND, và dựa trên đó ra mắt eSSD trung tâm dữ liệu hỗ trợ PCIe 6.0 "CM10", hiệu suất đọc tuần tự tăng 92% so với thế hệ trước. Ngoài ra, Kioxia dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt bộ nhớ nhúng UFS 5.0 vào cuối năm nay, tốc độ truyền dữ liệu tăng khoảng 2 lần so với UFS 4.1, chủ yếu nhắm vào thị trường thiết bị di động AI ở đầu cuối. Theo dữ liệu từ TrendForce, thị phần NAND toàn cầu của Kioxia trong quý đầu năm nay là 13.9%, đứng thứ ba, sau Samsung Electronics (31.6%) và SK Hynix (17.6%).Các nhà sản xuất Hàn Quốc cũng đang tăng tốc. Samsung đã sản xuất hàng loạt eSSD PCIe 6.0 "PM1763" vào tháng trước, trang bị V-NAND thế hệ thứ 9 và bộ điều khiển 4nm, kế hoạch UFS 5.0 sẽ được sản xuất hàng loạt vào quý 4. Samsung cũng đã thông báo sẽ sản xuất hàng loạt V-NAND thế hệ thứ 10 (khoảng 430 lớp) từ tháng này, lần đầu tiên áp dụng công nghệ liên kết hỗn hợp và ba chồng. Các nhà phân tích trong ngành cho rằng Kioxia có tính cạnh tranh cao về tốc độ lặp lại công nghệ, nhưng quy mô sản xuất vẫn còn chênh lệch so với các nhà sản xuất Hàn Quốc, và cạnh tranh trong thị trường lưu trữ AI sẽ ngày càng gay gắt hơn.

Tin tức từ ChainCatcher, nhà phân tích Citrini Jukan đã đăng bài phản hồi về những ghi chú tiêu cực gần đây trên thị trường liên quan đến NAND và đàm phán giá QLC. Việc SanDisk chấp nhận mức giá thấp hơn mức báo giá ban đầu khi ký kết thỏa thuận dài hạn với Meta không phải là điều bất ngờ, SanDisk là một trong những nhà sản xuất NAND tích cực nhất trong việc theo đuổi LTA, dự kiến sẽ phân bổ hơn 50% tổng lượng hàng hóa cho các thỏa thuận như vậy, dựa trên chiến lược này, họ sẵn sàng chấp nhận mức giá LTA thấp hơn giá hợp đồng của quý hiện tại, không thể suy luận rằng "SanDisk không thể chuyển nhượng toàn bộ đơn hàng cho khách hàng Bắc Mỹ với giá cao hơn".Đối với tin đồn về việc các nhà máy mô-đun Trung Quốc bị từ chối khi tiếp thị eSSD cho CSP trong nước, Jukan giải thích rằng, các CSP Trung Quốc có kênh mua hàng trực tiếp từ Yangtze Memory thay vì thiếu nhu cầu. Về việc các nhà cung cấp đám mây quy mô lớn ép giá QLC eSSD dẫn đến một số lượng không bán được, ông cho rằng các nhà cung cấp đám mây mới có đủ nhu cầu để tiêu thụ những lượng hàng này.Cuối cùng, Jukan tóm tắt rằng, khi cổ phiếu lưu trữ hoạt động kém, tiêu đề tiêu cực dễ bị phóng đại hơn, nhưng nền tảng cơ bản không có sự xấu đi đáng kể. Ông nhấn mạnh "vẫn lạc quan về lưu trữ". Trước đó, Jukan đã cho biết giá hợp đồng DRAM vẫn có khoảng 40% không gian tăng trưởng cho đến cuối năm 2027, nguồn cung HBM vẫn tiếp tục căng thẳng, lần này làm rõ về phía NAND càng củng cố lập trường lạc quan của ông đối với toàn bộ lĩnh vực lưu trữ.