量產

ChainCatcher 消息，三星電子和 SK 海力士計劃於明年第二季度開始量產並交付 8 層 HBM4，供應給英偉達。據知情人士透露，英偉達將根據 Rubin Ultra 的 NVL 機架規模配備 8 層 HBM4，預計從明年年中開始，8 層 HBM4 的比例將顯著增加。

ChainCatcher 消息，藍思科技表示，東莞松山湖園區的 AI 伺服器相關產能已完成擴充，液冷散熱模組、高端精密機櫃及高速光互聯配套元件通過北美頭部算力廠商驗證並取得規模訂單，正進入量產爬坡階段。公司還透過收購佈局光通信及精密金屬加工能力，以滿足 AI 伺服器需求。

ChainCatcher 消息，馬斯克表示，Gibbons Creek 的 Terafab 項目目標是在 2028 年第三季度左右實現晶片量產，預計 2027 年 5 月或 6 月實現首款測試晶片正常運行。

ChainCatcher 消息，特斯拉 CEO 埃隆·馬斯克 10 月 13 日在社交平台 X 上表示：一旦中國掌握某類產品的製造方法，其擴大生產規模的能力往往超過世界其他地區之和。他以鋰電池和太陽能為例，稱中國在這些領域已展現出這一特點。該言論是在回應一條關於內存廠商長鑫存儲的討論。發帖人 Melvin 認為，長鑫已是不可忽視的競爭對手，但新技術能否穩定實現大規模量產，仍取決於良率、成本和可靠性。他同時表示，內存需求仍在增長，產能增加並不意味著市場會立即供過於求。談及內存，馬斯克稱，大約三年前內存仍屬於利潤率較低的大宗商品，LPDDR5 和 LPDDR6 按共同標準設計，中國似乎正在迅速解決相關技術問題。馬斯克還指出，新一代高帶寬內存架構更難攻克。另一類難題是在邏輯芯片下方放置一層 SRAM，並在上方將 RAM 進行三維堆疊，同時解決邏輯芯片的散熱問題。鳳凰網科技援引公開信息稱，9 月 7 日，長鑫存儲宣布 LPDDR6 已量產，並首次商用於小米 18 Fold，容量為 16 GB，符合 JEDEC 的 LPDDR6 標準。隨後，長鑫宣布第五代 DRAM 工藝平台實現量產，並推出兩款基於該平台的 LPDDR5X 產品，面向智能手機和便攜式消費電子設備，單顆裸片容量較上一代同類產品提升 50%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，台積電 2 奈米 N2 量產，半導體先進製程由 FinFET 跨入 GAA 世代。法人指出，隨製程複雜度、CMP 道數、晶圓監控頻率及材料規格同步提升，設備、CMP 耗材、再生晶圓及先進材料需求增加，中砂、昇陽半、新應材、頌勝等供應鏈迎成長契機。台積電 N2 采 nanosheet GAA，相較 N3E，在相同功耗下效能可提升 10%～15%，或相同速度下降低 25%～30% 功耗，晶片密度提高逾 15%。中砂最大客戶鑽石碟業務中，先進製程占比達 63%，N3、N2 各占 22%，1.4 奈米亦已小量出貨；N3 進入 N2 後，CMP 內容價值提高 10%～15%。昇陽半 2026 年底再生晶圓月產能調整為 110 萬～120 萬片，2026 年資本支出預算達 48.2 億元，預估 2025～2029 年再生晶圓擴產年複合成長率達 25%～30%。新應材 Rinse、BARC 及 EBR 三項核心產品出貨可望隨 N2 產能爬坡逐季走高，頌勝上半年半導體營收占比達 66%、年增約 25%，台積電相關營收年增約 170%。

ChainCatcher 消息，在 2026 世界製造業大會上，儲存晶片廠商長鑫科技宣布第五代技術平台正式量產。據介紹，長鑫科技將內存陣列有源區半間距做到 11.95 納米，儲存器電容深寬比 45:1，核心動能區高度降至 6762 納米。第五代工藝平台的儲存密度有大幅提升，同等條件下每張晶圓產出較上一代平台提升 50% 以上。基於該平台打造的 24GB LPDDR5X 產品已進入正式量產，並進入國產主流旗艦手機。

ChainCatcher 消息，特斯拉團隊於 9 月 16 日抵達寧波，並於 9 月 17 日啟動新一輪針對機器人業務的量產審廠。此次審廠旨在配合審查 Optimus 機器人的量產獨家性和一致性，計畫在 2026 年下線約 5 萬台 Optimus 機器人。

ChainCatcher 消息，美光展示全球首款面向伺服器的 512GB DDR5 RDIMM 記憶體模組，運行速度最高達 9200 MT/s。AMD 與 Intel 正在針對未來平台進行驗證。該模組通過矽通孔垂直堆疊 DRAM 晶片實現容量，配備 24 個模組的伺服器記憶體可達 12 TB。單個 512GB 模組額定功耗為 16W，四個 128GB 模組合計功耗為 44.2W，降幅超過 60%。美光稱，在 Spark SVM 記憶體密集型分析場景中，相較 256GB DDR5 性能最高提升 1.4 倍。該產品延續美光今年早些時候送樣的 256GB DDR5 RDIMM（同樣最高 9200 MT/s，採用 1-gamma DRAM 與 3D 堆疊），計劃 2027 年量產，尚未公布定價。

ChainCatcher 消息，美光科技（MU.O）表示，公司已實現 512GB DDR5 內存模組里程碑，並預計 512GB DDR5 RDIMM 將在 2027 年下半年進入大規模量產。

ChainCatcher 消息，中科管理局 9 日證實，台積電中科擴建二期 1.4 納米建廠全面加速。第一座 P1 廠目前已完成鋼構結構體，預計明年 4 月即可試機，明年下半年可望量產，較原訂 2028 年量產進度超前。台積電已向中科管理局提出申請，在基地建置兩座臨時辦公室，預計明年 4 月同步完工，首批將有 5400 余名營運及外包人員進駐。台積電中科二期園區先進製程新廠去年 10 月動工，規劃興建四座 1.4 納米廠，近 2000 名工人日夜趕工。P1 廠正進行樓板與外牆施工，明年初完成廠房建設。P2 廠已展開基礎廠房建設，將於明年 10 月完工，兩座廠房有望明年陸續量產。P3 廠已取得建照，P4 廠正申請建照中，計畫以半年落差建置，P3 預計 2028 年第 2 季完工，P4 訂同年第 4 季完工。P2 廠明年下半年完工後將再增加 1000 名營運人員，整個二期四座新廠全數完工投產預計總員工數在 9000 至 1 萬人。

ChainCatcher 消息，台積電 9 月 8 日宣布，將從 2030 年起在量產中採用荷蘭 ASML 製造的極端紫外線（EUV）光刻裝置新型"高 NA"機。雙方同日還表示，將開展行業橫斷的高 NA 機改良工作。ASML 壟斷供應用於形成納米級超微細電路的 EUV 光刻機，並於 2023 年 12 月起開始出貨可描繪更細電路的高 NA 機。英特爾已引入高 NA 機，台積電此前因成本高等原因推遲量產採用。台積電與 ASML 將啟動行業橫斷項目，把作為電路原版的光掩模從目前的 6 英寸（約 15 公分）方形大型化為 12 英寸方形，並開發對應大型掩模的高 NA 機及相關部件。計畫於 2031 年前設立大型掩模試製產線，2033 年前使對應大型掩模的高 NA 機達到可投入先進半導體生產的狀態。主要半導體製造商及掩模企業等已對參與表示興趣。高 NA 機可描繪更細電路，但單次可描繪面積減為傳統機型的一半，繪製大型芯片電路時需分多次曝光，工序複雜、成本上升。通過光掩模大型化可擴大曝光面積、降低成本。台積電董事長兼首席執行官魏哲家當日表示，將匯集全行業專業知識，持續推進使先進技術可廣泛使用的技術創新，並傳遞其益處。

ChainCatcher 消息，据彭博社報導，瑞銀集團分析師預計，未來十年內中國半導體製造能力可能難以取得足夠快的進展，從而開發出能夠真正替代阿斯麥尖端 EUV 光刻技術的方案。瑞銀分析師在報告中寫道，"他們目前所處的階段似乎與阿斯麥在 2004 年時相當"，從專利申請活動來看，尤其是在光源和激光子系統領域，中國當前技術成熟度大致相當於阿斯麥開始大規模生產 EUV 設備前 15 年的水平。瑞銀同時預計，中國有望在未來兩到五年內具備浸沒式 DUV 光刻機的大規模量產能力。浸沒式 DUV 雖不如 EUV 先進，但仍是晶片製造不可或缺的設備。阿斯麥浸沒式 DUV 售價近 9000 萬美元，EUV 設備每台超 2 億美元。中國是阿斯麥最大市場之一，但受出口限制，阿斯麥被禁止向中國出售 EUV 設備。瑞銀指出，考慮到良率和產能差距及監管限制，中國光刻設備不太可能在境外得到應用。阿斯麥發言人對置評請求未作回應。該報導基於瑞銀分析師的預測觀點，實際進展以產業動態為準。

ChainCatcher 消息，小鵬集團董事長何小鵬在2026半年財報會上表示，人形機器人IRON計畫從今年底開始進入規模量產，並從小鵬門店和園區落地商業場景。2027年IRON將正式上市，面向零售和服務業外部客戶，在中國和海外規模交付，明年月產能可迅速提升至數千台。他自今年6月起兼任機器人業務CEO，整合汽車供應鏈、車規級製造、全球化佈局及圖靈AI晶片等資源，推動量產與商業化。當日小鵬宣布人形機器人業務獲超9億美元首輪融資，投後估值超63億美元。IDG領投，高榕創投、騰訊、阿里巴巴等認購6億美元，小鵬集團及何小鵬等高層控制主體認購3億美元。何小鵬認為高階通用機器人技術門檻至少是智能汽車的20倍，單台全生命周期收入和毛利將大幅高於汽車，期望量產後帶來可觀毛利並支持物理AI研發。搭載第二代VLA的前裝量產Robotaxi已在廣州完成超2000次內測訂單，小鵬已完成雲端接管平台開發，目標明年實現無安全員載客運營。汽車業務上半年總收入327.8億元，交付16.60萬輛，毛利率20.6%；預計三季度交付11.5萬至12.1萬輛，總收入217億至234億元。

ChainCatcher 消息，英偉達高級總監 Dion Harris 當地時間週一宣布，Groq 3 LPX 機架已進入全面量產階段，並將部署在新型雲服務商 Nebius 的數據中心，預計今年晚些時候上線。此舉標誌著英偉達去年 12 月與 Groq 達成約 200 億美元技術授權交易後所獲技術正式實現商業化，多位 Groq 核心員工已加入英偉達，創始人 Jonathan Ross 擔任英偉達首席軟體架構師。英偉達正加速生產 Groq 晶片並向客戶提供產品，凸顯低延遲推理的重要性。今年 3 月發布的 Groq 3 LPX 為 Vera Rubin 平台推理加速器，架構在晶片裸片上集成 500 兆字節高速 SRAM，以減少記憶體瓶頸。每個 LPX 機架可整合 256 顆 Groq 3，英偉達援引基準測試稱每秒可處理 3400 個 token；該晶片由三星製造。Harris 表示，低延遲晶片並非取代 GPU，而是針對工作負載不同環節使用合適處理器，雲服務商可對延遲敏感用戶提供更高收費套餐。英偉達 CEO 黃仁勳計劃將面向編程應用的數據中心空間約四分之一分配給 Groq 晶片，其餘部分採用 Vera Rubin 系統，並預計到 2027 年 Blackwell 與 Vera Rubin 累計銷售額達 1 萬億美元。

ChainCatcher 消息，据 Liberty Times 等媒體報導，台積電已完成 angstrom 級 A16（1.6nm）製程的開發與驗證，預計將於 2026 年第四季度進入大規模量產。該工藝採用台積電背面供電網絡技術 Super Power Rail（SPR），將信號布線與電源布線分離，電源位於晶圓背面，以減少瓶頸。與 2nm 工藝相比，A16 據稱可提升 8% 至 10% 的計算速度，降低 15% 至 20% 的能耗，並提高 8% 至 10% 的晶片密度。台積電將 1.6nm 工藝視為邁向 1.4nm 的過渡步驟，目標是在 2028 年開始 1.4nm 量產。

ChainCatcher 消息，据韓媒 ZDNet Korea 報導，三星電子正調整其器興園區 NRD-K 2 號產線的原定用途，從研發設施改為晶圓代工產線，主要目標產品為英偉達 HBM 所需的 2nm 基礎芯片。該產線預計將於 2028 年下半年啟用，採用"Send-Fab"模式，即從其他量產線接收晶圓並代工特定工序。NRD-K 是三星電子為搶佔未來半導體技術而建設的最尖端複合研發園區，總投資約 20 萬億韓元，共規劃 3 條產線，其中第 1 條已於 2024 年底竣工。此次調整旨在提前應對 AI 基礎設施投資帶動的 HBM 需求擴張。三星計劃在定制 HBM 及 HBM5 上率先應用 2nm 工藝以保持性能優勢。業內人士指出，NRD-K 2 號線規模相對較小，適合以 Send-Fab 形式運作。但距離產線啟用仍有約兩年時間，最終用途仍可能根據市場形勢再次調整。三星此前曾考慮將該產線用於 DRAM 生產，相關計劃在本月被修改後，DRAM 產能將更集中於平澤園區。設備採購訂單尚未正式發出。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 報導，英偉達下一代 AI 平台 Feynman 的量產時間目標鎖定在 2028 年下半年，將採用台積電 A16 製程，並導入 SoIC 3D 堆疊及 CPO 技術。Rubin 世代以多顆小芯片與 HBM 整合為主，Feynman 則進一步向 3D 小芯片、SoIC 及 CPO 方向發展。報導指出，台積電正加速推進相關產能建設，原規劃 2026 年底 SoIC 月產能達 2 萬片，目前最新目標已上調至 2027 年底達 5 萬片。台積電嘉義 AP7 與南科 AP8 的建廠進度同步加快，其中 AP7 共規劃 8 個階段，P1、P2 已進入裝機，P3、P4 已取得建照，P5 至 P8 持續規劃中。該廠除量產蘋果專用的 WMCM 外，後續將依客戶需求配置 SoIC、CoPoS 及 CPO 相關產線。英偉達已將研發與供應鏈資源快速轉向 Feynman 平台，台積電先進封裝訂單外溢效應持續擴大，矽品已成為承接英偉達 CoWoS 與 CPO 訂單的主力封測廠。英偉達 Feynman 平台的 NVLink 互連帶寬預計突破 1 PB/s，較 Rubin Ultra 的 520 TB/s 進一步提升。台積電的 COUPE 技術通過 SoIC 將 EIC 與 PIC 進行 3D 整合形成光引擎，將光電轉換由傳統電路板推進至封裝架構內部。2026 年以來，英偉達已投入超 400 億美元布局 AI 生態，涵蓋模型、晶圓製造、數據中心及光通訊等領域。

ChainCatcher 消息，据台灣媒體報導，英特爾下一代先進封裝技術 EMIB-T 正面臨嚴峻的良率挑戰。ABF 載板供應商欣興電子（Unimicron）在 7 月 29 日的財報電話會上表示，該技術"尚未成熟"，三家 EMIB-T 載板供應商（欣興、揖斐電、新光電氣）在 2027 年底首批量產階段的良率目標僅為 50% 。EMIB-T 是英特爾對標台積電 CoWoS-L 的先進封裝方案，區別在於將矽橋直接嵌入載板而非使用矽中介層，使載板供應商成為決定成敗的關鍵環節。谷歌第九代 TPU 已確定在 2028 年量產時採用 EMIB-T 封裝，聯發科負責晶片協同設計，該晶片若成功量產，出貨量有望挑戰英偉達。欣興電子表示，客戶（英特爾）已提供利潤保證機制，即便良率不佳仍能確保供應商盈利，50% 良率目標實現後利潤率將高於公司平均水平。目前 EMIB-T 能否在 2027 年底前達成量產目標仍存較大不確定性。