量產

ChainCatcher 消息，美光展示全球首款面向伺服器的 512GB DDR5 RDIMM 記憶體模組，運行速度最高達 9200 MT/s。AMD 與 Intel 正在針對未來平台進行驗證。該模組通過矽通孔垂直堆疊 DRAM 晶片實現容量，配備 24 個模組的伺服器記憶體可達 12 TB。單個 512GB 模組額定功耗為 16W，四個 128GB 模組合計功耗為 44.2W，降幅超過 60%。美光稱，在 Spark SVM 記憶體密集型分析場景中，相較 256GB DDR5 性能最高提升 1.4 倍。該產品延續美光今年早些時候送樣的 256GB DDR5 RDIMM（同樣最高 9200 MT/s，採用 1-gamma DRAM 與 3D 堆疊），計劃 2027 年量產，尚未公布定價。

ChainCatcher 消息，美光科技（MU.O）表示，公司已實現 512GB DDR5 內存模組里程碑，並預計 512GB DDR5 RDIMM 將在 2027 年下半年進入大規模量產。

ChainCatcher 消息，中科管理局 9 日證實，台積電中科擴建二期 1.4 納米建廠全面加速。第一座 P1 廠目前已完成鋼構結構體，預計明年 4 月即可試機，明年下半年可望量產，較原訂 2028 年量產進度超前。台積電已向中科管理局提出申請，在基地建置兩座臨時辦公室，預計明年 4 月同步完工，首批將有 5400 余名營運及外包人員進駐。台積電中科二期園區先進製程新廠去年 10 月動工，規劃興建四座 1.4 納米廠，近 2000 名工人日夜趕工。P1 廠正進行樓板與外牆施工，明年初完成廠房建設。P2 廠已展開基礎廠房建設，將於明年 10 月完工，兩座廠房有望明年陸續量產。P3 廠已取得建照，P4 廠正申請建照中，計畫以半年落差建置，P3 預計 2028 年第 2 季完工，P4 訂同年第 4 季完工。P2 廠明年下半年完工後將再增加 1000 名營運人員，整個二期四座新廠全數完工投產預計總員工數在 9000 至 1 萬人。

ChainCatcher 消息，台積電 9 月 8 日宣布，將從 2030 年起在量產中採用荷蘭 ASML 製造的極端紫外線（EUV）光刻裝置新型"高 NA"機。雙方同日還表示，將開展行業橫斷的高 NA 機改良工作。ASML 壟斷供應用於形成納米級超微細電路的 EUV 光刻機，並於 2023 年 12 月起開始出貨可描繪更細電路的高 NA 機。英特爾已引入高 NA 機，台積電此前因成本高等原因推遲量產採用。台積電與 ASML 將啟動行業橫斷項目，把作為電路原版的光掩模從目前的 6 英寸（約 15 公分）方形大型化為 12 英寸方形，並開發對應大型掩模的高 NA 機及相關部件。計畫於 2031 年前設立大型掩模試製產線，2033 年前使對應大型掩模的高 NA 機達到可投入先進半導體生產的狀態。主要半導體製造商及掩模企業等已對參與表示興趣。高 NA 機可描繪更細電路，但單次可描繪面積減為傳統機型的一半，繪製大型芯片電路時需分多次曝光，工序複雜、成本上升。通過光掩模大型化可擴大曝光面積、降低成本。台積電董事長兼首席執行官魏哲家當日表示，將匯集全行業專業知識，持續推進使先進技術可廣泛使用的技術創新，並傳遞其益處。

ChainCatcher 消息，据彭博社報導，瑞銀集團分析師預計，未來十年內中國半導體製造能力可能難以取得足夠快的進展，從而開發出能夠真正替代阿斯麥尖端 EUV 光刻技術的方案。瑞銀分析師在報告中寫道，"他們目前所處的階段似乎與阿斯麥在 2004 年時相當"，從專利申請活動來看，尤其是在光源和激光子系統領域，中國當前技術成熟度大致相當於阿斯麥開始大規模生產 EUV 設備前 15 年的水平。瑞銀同時預計，中國有望在未來兩到五年內具備浸沒式 DUV 光刻機的大規模量產能力。浸沒式 DUV 雖不如 EUV 先進，但仍是晶片製造不可或缺的設備。阿斯麥浸沒式 DUV 售價近 9000 萬美元，EUV 設備每台超 2 億美元。中國是阿斯麥最大市場之一，但受出口限制，阿斯麥被禁止向中國出售 EUV 設備。瑞銀指出，考慮到良率和產能差距及監管限制，中國光刻設備不太可能在境外得到應用。阿斯麥發言人對置評請求未作回應。該報導基於瑞銀分析師的預測觀點，實際進展以產業動態為準。

ChainCatcher 消息，小鵬集團董事長何小鵬在2026半年財報會上表示，人形機器人IRON計畫從今年底開始進入規模量產，並從小鵬門店和園區落地商業場景。2027年IRON將正式上市，面向零售和服務業外部客戶，在中國和海外規模交付，明年月產能可迅速提升至數千台。他自今年6月起兼任機器人業務CEO，整合汽車供應鏈、車規級製造、全球化佈局及圖靈AI晶片等資源，推動量產與商業化。當日小鵬宣布人形機器人業務獲超9億美元首輪融資，投後估值超63億美元。IDG領投，高榕創投、騰訊、阿里巴巴等認購6億美元，小鵬集團及何小鵬等高層控制主體認購3億美元。何小鵬認為高階通用機器人技術門檻至少是智能汽車的20倍，單台全生命周期收入和毛利將大幅高於汽車，期望量產後帶來可觀毛利並支持物理AI研發。搭載第二代VLA的前裝量產Robotaxi已在廣州完成超2000次內測訂單，小鵬已完成雲端接管平台開發，目標明年實現無安全員載客運營。汽車業務上半年總收入327.8億元，交付16.60萬輛，毛利率20.6%；預計三季度交付11.5萬至12.1萬輛，總收入217億至234億元。

ChainCatcher 消息，英偉達高級總監 Dion Harris 當地時間週一宣布，Groq 3 LPX 機架已進入全面量產階段，並將部署在新型雲服務商 Nebius 的數據中心，預計今年晚些時候上線。此舉標誌著英偉達去年 12 月與 Groq 達成約 200 億美元技術授權交易後所獲技術正式實現商業化，多位 Groq 核心員工已加入英偉達，創始人 Jonathan Ross 擔任英偉達首席軟體架構師。英偉達正加速生產 Groq 晶片並向客戶提供產品，凸顯低延遲推理的重要性。今年 3 月發布的 Groq 3 LPX 為 Vera Rubin 平台推理加速器，架構在晶片裸片上集成 500 兆字節高速 SRAM，以減少記憶體瓶頸。每個 LPX 機架可整合 256 顆 Groq 3，英偉達援引基準測試稱每秒可處理 3400 個 token；該晶片由三星製造。Harris 表示，低延遲晶片並非取代 GPU，而是針對工作負載不同環節使用合適處理器，雲服務商可對延遲敏感用戶提供更高收費套餐。英偉達 CEO 黃仁勳計劃將面向編程應用的數據中心空間約四分之一分配給 Groq 晶片，其餘部分採用 Vera Rubin 系統，並預計到 2027 年 Blackwell 與 Vera Rubin 累計銷售額達 1 萬億美元。

ChainCatcher 消息，据 Liberty Times 等媒體報導，台積電已完成 angstrom 級 A16（1.6nm）製程的開發與驗證，預計將於 2026 年第四季度進入大規模量產。該工藝採用台積電背面供電網絡技術 Super Power Rail（SPR），將信號布線與電源布線分離，電源位於晶圓背面，以減少瓶頸。與 2nm 工藝相比，A16 據稱可提升 8% 至 10% 的計算速度，降低 15% 至 20% 的能耗，並提高 8% 至 10% 的晶片密度。台積電將 1.6nm 工藝視為邁向 1.4nm 的過渡步驟，目標是在 2028 年開始 1.4nm 量產。

ChainCatcher 消息，据韓媒 ZDNet Korea 報導，三星電子正調整其器興園區 NRD-K 2 號產線的原定用途，從研發設施改為晶圓代工產線，主要目標產品為英偉達 HBM 所需的 2nm 基礎芯片。該產線預計將於 2028 年下半年啟用，採用"Send-Fab"模式，即從其他量產線接收晶圓並代工特定工序。NRD-K 是三星電子為搶佔未來半導體技術而建設的最尖端複合研發園區，總投資約 20 萬億韓元，共規劃 3 條產線，其中第 1 條已於 2024 年底竣工。此次調整旨在提前應對 AI 基礎設施投資帶動的 HBM 需求擴張。三星計劃在定制 HBM 及 HBM5 上率先應用 2nm 工藝以保持性能優勢。業內人士指出，NRD-K 2 號線規模相對較小，適合以 Send-Fab 形式運作。但距離產線啟用仍有約兩年時間，最終用途仍可能根據市場形勢再次調整。三星此前曾考慮將該產線用於 DRAM 生產，相關計劃在本月被修改後，DRAM 產能將更集中於平澤園區。設備採購訂單尚未正式發出。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 報導，英偉達下一代 AI 平台 Feynman 的量產時間目標鎖定在 2028 年下半年，將採用台積電 A16 製程，並導入 SoIC 3D 堆疊及 CPO 技術。Rubin 世代以多顆小芯片與 HBM 整合為主，Feynman 則進一步向 3D 小芯片、SoIC 及 CPO 方向發展。報導指出，台積電正加速推進相關產能建設，原規劃 2026 年底 SoIC 月產能達 2 萬片，目前最新目標已上調至 2027 年底達 5 萬片。台積電嘉義 AP7 與南科 AP8 的建廠進度同步加快，其中 AP7 共規劃 8 個階段，P1、P2 已進入裝機，P3、P4 已取得建照，P5 至 P8 持續規劃中。該廠除量產蘋果專用的 WMCM 外，後續將依客戶需求配置 SoIC、CoPoS 及 CPO 相關產線。英偉達已將研發與供應鏈資源快速轉向 Feynman 平台，台積電先進封裝訂單外溢效應持續擴大，矽品已成為承接英偉達 CoWoS 與 CPO 訂單的主力封測廠。英偉達 Feynman 平台的 NVLink 互連帶寬預計突破 1 PB/s，較 Rubin Ultra 的 520 TB/s 進一步提升。台積電的 COUPE 技術通過 SoIC 將 EIC 與 PIC 進行 3D 整合形成光引擎，將光電轉換由傳統電路板推進至封裝架構內部。2026 年以來，英偉達已投入超 400 億美元布局 AI 生態，涵蓋模型、晶圓製造、數據中心及光通訊等領域。

ChainCatcher 消息，据台灣媒體報導，英特爾下一代先進封裝技術 EMIB-T 正面臨嚴峻的良率挑戰。ABF 載板供應商欣興電子（Unimicron）在 7 月 29 日的財報電話會上表示，該技術"尚未成熟"，三家 EMIB-T 載板供應商（欣興、揖斐電、新光電氣）在 2027 年底首批量產階段的良率目標僅為 50% 。EMIB-T 是英特爾對標台積電 CoWoS-L 的先進封裝方案，區別在於將矽橋直接嵌入載板而非使用矽中介層，使載板供應商成為決定成敗的關鍵環節。谷歌第九代 TPU 已確定在 2028 年量產時採用 EMIB-T 封裝，聯發科負責晶片協同設計，該晶片若成功量產，出貨量有望挑戰英偉達。欣興電子表示，客戶（英特爾）已提供利潤保證機制，即便良率不佳仍能確保供應商盈利，50% 良率目標實現後利潤率將高於公司平均水平。目前 EMIB-T 能否在 2027 年底前達成量產目標仍存較大不確定性。

ChainCatcher 消息，日本 NAND 廠商鋼俠（Kioxia）正加速佈局 AI 用 NAND 市場，今年已啟動第 10 代（BiCS 10）332 層 3D NAND 量產，並基於此推出支持 PCIe 6.0 的數據中心 eSSD"CM10"，順序讀取性能較前代提升達 92%。此外，鋼俠計劃於今年年底量產 UFS 5.0 嵌入式存儲，數據傳輸速度較 UFS 4.1 提升約 2 倍，主攻端側 AI 移動設備市場。據 TrendForce 數據，鋼俠今年一季度全球 NAND 市場份額為 13.9%，位列第三，次於三星電子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）。韓廠同樣加快腳步。三星已於上月量產 PCIe 6.0 eSSD"PM1763"，搭載第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器，UFS 5.0 計劃於第四季度量產。三星還宣布本月起量產第 10 代 V-NAND（約 430 層），首次應用混合鍵合及三堆疊工藝。行業分析認為，鋼俠在技術迭代速度上頗具競爭力，但產能規模仍與韓廠存在差距，後續 AI 存儲市場競爭將更趨激烈。

ChainCatcher 消息，英偉達資深副總裁 Gilad Shainer 在近日舉行的技術論壇上宣布，CPO 已步入量產階段。英偉達與供應鏈合作開發的交換機已開始交付給緊密合作客戶，並在自家部署。預計今年起，搭載 CPO 技術的交換機將在全球 AI 工廠中大規模導入。Shainer 指出，未來光通訊市場最大商機在於垂直擴展（Scale-up），其所需帶寬效能將是水平擴展（Scale-out）的十倍以上。Shainer 此前在 Mellanox 負責研發，公司被英偉達收購後主持 AI 平台網路傳輸部門，並與台積電共同開發 COUPE 矽光子封裝平台。這一宣布有助於打破市場對光通訊規格升級的疑慮，提振相關廠商營運展望。據悉，英偉達已在 Spectrum-X 上先行導入 CPO，目標是配合即將大規模部署的 Vera Rubin AI 平台（運算速度較 GB300 至少提升三倍以上）。Trendforce 預估，CPO/NPO 市場規模將於 2030 年突破 390 億美元，2028 至 2029 年隨著 Scale-up 導入光互連，成長動能將顯著加速。

ChainCatcher 消息，SK海力士宣布將於今年下半年正式量產 16Gb LPDDR6 低功耗移動DRAM，首批產品將搭載於小米 下一代旗艦智能手機。該產品於 3 月 完成開發，採用 10nm 級第六代（1c） 工藝，較前代在數據處理速度和能效方面均有提升。SK海力士自 2013 年 起向小米供應LPDDR產品，雙方長期保持合作。LPDDR主要用於智能手機和平板電腦等移動設備，兼具低功耗與高性能特性。近期受AI伺服器需求拉動，LPDDR價格持續走高，合約價格不斷上漲，第一季全球移動DRAM營收環比增長 64.5% 。SK海力士與三星電子已在LPDDR6量產準備上領先於美光。此外，LPDDR6的量產有望加速 SO-CAMM （低功耗內存模組）市場的競爭，該產品被視為AI伺服器CPU的配套方案。英偉達CEO黃仁勳曾於 6 月 在台北國際電腦展上到訪SK海力士展台，為 192GB SO-CAMM留下 "LOVE SOCAMM" 題詞。

ChainCatcher 消息，半導體研究機構 SemiAnalysis 發文指出，預計英偉達（Nvidia）在今年下半年（即 2027 財年下半年）將迎來巨大的產能爬坡，其數據中心計算業務收入預估將比當前市場共識預期高出 20%。該機構表示，此前因 HBM4 遭遇技術瓶頸而推遲的英偉達新一代 Rubin 架構芯片，目前相關問題已得到解決，且前端晶圓供應已完成初步儲備，即將進入大規模量產階段。此外，SemiAnalysis 強調，其預測數據建立在對全產業鏈的深度調研之上，涵蓋從上游材料、晶圓代工、組件、伺服器集成商，到下游超大規模雲服務商及前沿 AI 實驗室的動態。其追蹤模型同時覆蓋了博通、AMD、聯發科及 Marvell 等主要 AI 晶片生態參與者。

ChainCatcher 消息，据華爾街見聞報導，英偉達 CEO 黃仁勳在年度股東大會上宣布 AI 智能體（Agent）時代正式到來。他將新型數據中心重新定義為專門生產 Token 的"AI 工廠"，並透露專為滿足智能體超低延遲需求而設計的全新 Vera CPU 及 Vera Rubin 平台已全面進入量產階段。黃仁勳強調，隨著 AI 創造出實質性經濟價值，算力需求正呈現加速擴張趨勢，其核心軟體生態 CUDA 也正逐步向智能體專屬的工具箱轉型。在市場準入與合規方面，黃仁勳透露美國政府現已批准將 H200 晶片出口給中國客戶，但該業務迄今尚未產生任何收入，且實際進口落地仍存不確定性。同時，他罕見地就晶片走私風險公開示警，明確表示英偉達不會為受限的走私產品提供任何軟硬體支持與維修服務，並直言依靠走私拼湊先進 AI 數據中心是一條"死路"。此外，他在會上重申了資本回報的長期承諾，計劃將超過 50% 的自由現金流返還給股東。