電子

ChainCatcher 消息，据 CoinDesk 報導，瑞典央行正推動議員重新審視發行電子克朗（e-krona）的必要性，認為隨著外幣穩定幣和數位歐元發展，瑞典克朗在支付體系中的使用可能面臨長期壓力。瑞典央行副行長 Per Jansson 表示，如果現金進一步數位化，而瑞典克朗缺乏便捷的數位形態，本幣可能難以與可跨境使用的數位支付工具競爭。儘管央行目前尚未決定是否正式發行電子克朗，但希望立法層面儘早啟動準備，因為相關制度和技術工作預計至少需要 5 年。

ChainCatcher 消息，据美國專利商標局（USPTO）披露，三星電子一項名為"提供基於區塊鏈服務的電子設備及其操作方法"的專利於 10 月 20 日正式獲得授權。該技術允許電子設備透過無線信號識別附近支持區塊鏈服務的設備，建立點對點連接，並透過比較各設備儲存的最新區塊高度，選擇數據最新的設備完成區塊鏈同步。該專利可減少設備同步區塊數據時的網絡流量及能耗。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，韓國 KOSPI 指數 10 月 20 日（週二）收盤下跌 214.93 點，跌幅 3.73%，報 5553.08 點。三星電子跌 2.98%，SK 海力士跌 4.22%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 15 日報導，三星電子下調四季度中低端手機生產計劃，原因包括存儲晶片漲價，以及 PCB 原材料 CCL 用玻璃纖維供應受阻。日本日東紡將產能更多轉向盈利更高的 AI 半導體用 T-玻璃，減少智能手機 PCB 用 E-玻璃產量，導致供應不暢、價格上升。E-玻璃用於智能手機主板 HDI 及 RFPCB 的半固化片等。報導稱，存儲漲價推高製造成本後，三星減少相關零部件訂單。Galaxy A 等中低端機型盈利較低，難以大幅增產，今年中低端基礎款價格較前代上漲超過 10 萬韓元。向合作夥伴傳達的四季度零部件訂單展望，對應全年智能手機出貨量 2.3 億部出頭，低於零部件業預期的 2.4 億部，也比中秋連休前減少 20% 至 30%。明年手機業務計劃尚未像往年一樣與合作夥伴共享。9 月中旬的四季度月度產量展望為 10 月 1430 萬部、11 月 950 萬部、12 月 760 萬部，合計 3140 萬部；本月初調整為 10 月 990 萬部、11 月 760 萬部、12 月 670 萬部，合計 2420 萬部，減少 23%。中低端產量下調的同時，明年初 Galaxy S27 等旗艦出貨計劃仍維持較高水平，明年摺疊屏出貨量也計劃增加。MX 與網路事業部二季度虧損 7350 億韓元，證券業對全年虧損的展望為 4000 億韓元。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，三星電子在韓股盤前跌 6%，SK 海力士跌 7%，隔夜美股存儲概念普遍下跌。

ChainCatcher 消息，据 The Defiant 報導，歐洲銀行管理局已將美元穩定幣 USDC 認定為歐盟首個"重要"電子貨幣代幣。根據安排，針對 USDC 的金融監管職責將於 11 月 12 日移交至歐洲銀行管理局。與此同時，法國審慎監管與處置局將繼續負責 USDC 的治理及其他公司事務。

ChainCatcher 消息，据 CoinDesk 报道，由 37 家歐洲大型銀行支持的財團 Qivalis 宣布，荷蘭央行（DNB）已授予其電子貨幣機構（EMI）牌照，使其距離發行歐元計價的電子貨幣代幣（EMT）更近一步。這家總部位於阿姆斯特丹的公司仍需滿足歐盟《加密資產市場法規》（MiCA）的其餘要求，包括發布白皮書，才能在未來數月內發行該代幣。該牌照使 Qivalis 能夠為銀行和支付機構提供基於區塊鏈技術轉移歐元的途徑。Qivalis 計劃通過銀行、加密貨幣交易所和支付服務商分發其代幣，而非直接面向消費者。該財團自 2025 年 9 月成立以來已擴展至 37 家歐洲銀行，包括 BBVA、法國巴黎銀行、ING 和 DZ Bank，並選擇 Fireblocks 提供數字資產基礎設施。根據 MiCA 規定，EMT 屬於穩定幣，但並非所有穩定幣都是 EMT。EMT 錨定單一法定貨幣，須由獲授權的信用機構或電子貨幣機構發行，持有者對其擁有法律求償權，並有權隨時按面值贖回，且 EMT 不得支付利息。Qivalis 首席執行官 Jan-Oliver Sell 表示，歐洲的貨幣理應由歐洲的規則在鏈上承載，歐洲應擁有依據歐洲法律發行、受歐洲監管標準約束的歐元鏈上結算資產。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日報導，三星電子正擴大次世代 NAND 快閃記憶體 zNAND 的應用範圍，並規劃在已公開的 zNAND-O 之外，將產品細分為 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。報導稱，三星電子尚未正式宣布後兩款產品，但業界了解到相關方案已進入初期開發，以對應 AI 基礎設施中客製化儲存需求增加的情況。zNAND-O 面向端側 AI。與傳統引線鍵合不同，該方案通過矽通孔將 NAND 垂直堆疊 4 層或 8 層，縮短數據傳輸路徑，並提升速度與能效。三星電子已於今年 8 月在美國儲存器相關活動中首次公開展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 側重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 數據中心，同樣以垂直堆疊和矽通孔擴大帶寬，業界將其稱為高帶寬快閃記憶體。zNAND-I 側重提升每秒輸入輸出次數，用於 AI 推理中對鍵值快取等小容量臨時數據的頻繁處理。報導同時提到，SK 海力士也在開發 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 產品系列。

ChainCatcher 消息，据韓媒報導，三星電子已就明年存儲供應簽署長期協議，覆蓋比例約為 75% 至 80%，其中包括高帶寬內存。報導稱，三星電子已與英偉達、谷歌、微軟等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士與美光也在加快鎖定供應量，並與主要客戶簽署一系列大規模長期合同。三星電機據稱接近與台灣電力電子公司台達電子簽署價值 7000 億韓元的長期協議，用於供應多層陶瓷電容器。

ChainCatcher 消息，三星電子公布三季度初步業績，第三季度營業利潤為 107.4 萬億韓元，市場預期為 106.1 萬億韓元；第三季度營收為 195 萬億韓元，市場預期為 199 萬億韓元。

ChainCatcher 消息，据韓國經濟日報報導，三星電子的下一代高帶寬內存 "12 層 HBM4E" 產品已通過英偉達及主要超大規模數據中心運營商的質量驗證。

ChainCatcher 消息，LG 電子將投資 1,500 億韓元用於人工智慧數據中心冷卻業務。

ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，台達電子將基於英偉達 (NVDA.O) Hyperion 構建自動駕駛系統。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，LG 電子已加入英偉達 AI 數據中心散熱解決方案的官方合作夥伴計劃，被評為"電力與冷卻"類別的首選合作夥伴。LG 旨在拓展超大規模數據中心和主機托管市場，尤其是在北美市場。目前，全球新增數據中心產能的需求有 60% 以上集中在北美。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 報導，三星電子調整下一代 DRAM 策略，將此前以項目形式開發的 B1b 納入正式路線圖，並命名為首款 10 奈米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶體管 DRAM，現該產品被單獨歸類為 D0a-V。此次更名是為加快在通用 DRAM 中導入先進封裝。B1b 將儲存單元與周邊驅動電路分別在不同晶圓上製造後再鍵合，採用晶圓對晶圓混合鍵合，通過銅互連直接連接。目前已商用 DRAM 為 1c，即第 6 代 10 奈米級、線寬約 11 至 12 奈米；下一代 1d 為第 7 代 10 奈米級、線寬約 10 至 11 奈米，被視為事實上最後的 10 奈米級產品，相關線寬屬於行銷用語而非實際物理尺寸。垂直晶體管可將單元內晶體管垂直佈置，把單元面積從 6F² 縮至 4F²，但需應對高深寬比刻蝕和漏電流，開發難度較高。晶圓對晶圓混合鍵合已在 CMOS 圖像感測器和高堆疊 NAND 中量產應用。三星電子正評估將 B1b 用於第 8 代高帶寬記憶體 HBM5。HBM5 預計約 2029 年量產，目標是較 HBM4E 將運行速度提高 50% 以上。業界估計，基於 B1b 的 D0a DRAM 最快約兩年後商用，具體量產投資日程或於明年年中確定。

ChainCatcher 消息，奧尼電子公告稱，其全資子公司奧尼智能科技（中山）有限公司與 A 公司簽署採購合同，採購 GPU 算力卡，合同總金額為人民幣 16.7 億元（含稅）。合同已正式簽署並生效。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日報導，三星電子因 HBM 市場增長正推進晶圓代工先進製程產能擴張，為應對 HBM4 基座晶片需求上升正在評估 4 奈米製程擴產。三星 HBM4 由 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 核心晶片與 4 奈米邏輯基座晶片組成，基座晶片負責與 GPU 等 AI 加速器高速交換數據。與 SK 海力士採用台積電 12 奈米不同，三星對 HBM4 基座晶片使用自有 4 奈米製程。該產線已滿負荷運轉並承接英偉達 Groq 3 LPU 等訂單，公司近期上調了 4 奈米新訂單及 HBM4 基座晶片報價。三星預計第三季度 HBM4 營收環比增逾 3 倍，下半年 HBM 營收中 HBM4 占比將明顯高於 60%。平澤 P4 追加擴產大部分將用於 HBM 用 1c DRAM，晶圓代工 4 奈米產能一半以上已分配給 HBM4 基座晶片。HBM4E 同樣採用 4 奈米基座晶片，三星已於 5 月向客戶提供樣品。公司還在評估為 HBM5 建設 2 奈米新產線，目標以 GAA 結構 2 奈米製程並提高 TSV 密度，使運行速度較 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年啟動 2 奈米第一代量產，今年下半年推進第二代產品。花旗預計明年全球 HBM 比特需求達 752 億 Gb、同比增 62%，供應約 594 億 Gb、缺口約 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星電子計劃明年將第六代高帶寬存儲器 HBM4 與第七代 HBM4E 等 HBM4 系列產量較今年至少擴大一倍以上。該公司擬將 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃載體外協清洗量，由今年每月 2 萬片增至明年每月 5 萬片，較今年增加 2.5 倍。去年該載體月需求約 1 萬片，今年已較去年翻倍。三星電子重點擴產的 HBM4 與 HBM4E 以 12 層及以上高堆疊產品為主。該公司今年 2 月開始量產出貨採用第六代 10 奈米級（1c）DRAM 與 4 奈米工藝基底芯片的 HBM4，5 月向英偉達等客戶提供 HBM4E 12 層樣品。業界預計，以月均晶圓投入計，三星電子 HBM 產能將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片，增幅近 40%；HBM4 系列出貨占比或由今年約 40% 升至明年約 80%。