bm

ChainCatcher 消息，据 DealSite 報導，儲存晶片廠商 SK 海力士在擴大第六代高帶寬記憶體 HBM4 量產的同時，部分後道設備業內人士認為擴產速度慢於預期，今年計畫追加的部分設備訂單可能推遲至明年。設備業人士稱，原定今年下半年交付的部分設備出現延後跡象，後續訂單計畫也尚未明確。有匿名人士表示，部分原計畫今年投入的設備或改至明年，已交付設備是否滿負荷運轉也尚無數據確認。明年 HBM4 相關投資計畫尚未具體傳達給部分合作方，今年訂單已大體完成，但未見明確的增減投資信號。報導稱，設備投資日程與產品品質問題之間的直接關聯尚未得到確認。大信證券研究員柳亨根認為，主要客戶 HBM4 品質問題導致業績低於預期的擔憂過度，後道環節或曾出現部分問題，但難以視為無法解決的風險，也尚未到討論不良賠償的階段。另有業內說法稱，在通用記憶體價格上漲背景下，部分 HBM 投資或轉向通用記憶體。SK 海力士計畫優先向龍仁集群 Y1 晶圓廠首個潔淨室導入 DRAM 生產設備，業界預計初期產線採用第六代 10 奈米級 1c 工藝，新增產能將優先分配給通用 DRAM。也有觀點認為，僅憑部分後道設備日程變化，尚不足以判斷 HBM4 量產受阻，SK 海力士已向主要客戶供應 HBM4 16 層樣品。

ChainCatcher 消息，X 账号 pequityresearch 發文稱，彭博旗下研究機構彭博情報預計，高帶寬記憶體市場規模到 2030 年將達到 6410 億美元，高於此前 2600 億美元的預測。該帳號援引的預測還顯示，彭博情報預計 HBM3E 與 HBM4 價格將在 2027 年上漲 30% 至 45%，高帶寬記憶體平均價格將從 2026 年的 15.46 美元升至 2030 年的 34.94 美元。

ChainCatcher 消息，面向數字資產市場的機構結算網絡 Lynq 與穩定幣清算所 The Better Money Company（TBMC）宣布完成一項實時概念驗證，展示機構結算可在數分鐘內完成。該驗證屬於雙方合作第一階段，採用預存資金流程，在 Lynq 上完成穩定幣結算。概念驗證中，TBMC 將客戶存放在 Lynq 上的資產轉換為 RLUSD，結算在數分鐘內完成。驗證使用真實生產賬戶與真實機構對手方，結算過程繞過傳統銀行窗口。資產在結算持有期間利息繼續計提，計算使用 Tassat 的 Yield in Transit 功能，按資產持有時長確定應計利息。TBMC 創始人兼 CEO Sam Broner 表示：穩定幣要成為有意義的機構基礎設施，需進入真實結算流程；該驗證表明可通過鏈上抵押品轉移處理穩定幣碎片化，而不依賴信貸和傳統銀行結算來銜接。Lynq CEO Jerald David 表示：機構並不缺資本，缺的是在需要時以正確形式把資金移到正確地點；該驗證規模刻意做小，但表明數字美元可在機構之間於數分鐘內結算，且不以信貸便利替代速度。Lynq 稱，平台原生穩定幣支持目前目標為 2026 年底。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 報導，隨著 AI 封裝容納更多計算與存儲晶片，連接計算晶片與 HBM 的中介層預計大幅變大，下一代 HBM 散熱更重要。三星電子正準備多項技術，應對計劃於明年開始量產的 HBM4E 散熱挑戰。當前 AI 中介層面積已約為 EUV 光刻機單次曝光最大面積 858 平方毫米的 5.5 倍。半導體設備業人士預計，承載 HBM 的中介層可能擴大到該面積的 9 倍、12 倍，最終約 40 倍。原因包括製程微縮受限和 chiplet 式 2.5D 封裝普及，單一先進製程晶片難以滿足 AI 計算力需求，多個計算 chiplet 與 HBM 堆疊被放在同一中介層上。三星考慮混合銅鍵合與熱路徑塊。前者以銅對銅直接連接取代堆疊 DRAM 晶粒間的微凸點，可縮小層間間隙、使堆疊更薄並改善散熱，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。熱路徑塊在 HBM 基底晶粒負責與 GPU 高速傳輸的 D2D PHY 區域建立專用熱路徑，三星正用 HBM4E 驗證，並計劃在 HBM5 導入。據 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在熱量集中的 D2D PHY 周圍放置高導熱但電絕緣的冷卻材料，預計可將熱阻降低約 30%。

ChainCatcher 消息，据韓國經濟日報報導，三星電子的下一代高帶寬內存 "12 層 HBM4E" 產品已通過英偉達及主要超大規模數據中心運營商的質量驗證。

ChainCatcher 消息，据 PRNewswire 报道，以太坊財庫公司 Bitmine 董事長 Tom Lee 表示，隨著加密市場進入其認為的牛市周期，Bitmine（BMNR）股價在 2025 年至 2026 年熊市期間相較以太坊（ETH）的表現值得關注。2026 年前 9 個月 ETH 價格下跌 10%，而 BMNR 僅下跌 3%，實現約 731 個基點（7.31 個百分點）的相對跑贏。BMNR 的股價表現反映了公司持續優化股東回報的承諾，其中包括執行加密行業規模最大的企業金庫股票回購計劃，僅 2026 年就回購 2100 萬股。此外，Tom Lee 還指出，2026 年第三季度至今，ETH 相較標普 500 指數跑贏 6832 個基點。在美聯儲立場偏鷹、油價上漲、全球債券收益率上升以及金融環境收緊等宏觀壓力背景下，ETH 仍展現出較強表現，領先其他主要宏觀資產。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情數據顯示，美股軟體股走高，IBM 漲 5%，ServiceNow 漲 4.8%，Salesforce 漲 3%。

ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，IBM 宣布其數位資產管理平台 IBM Digital Asset Haven 的客戶現已可連接許可制區塊鏈網絡，其中包括 Swift 基於區塊鏈的共享帳本。一項新的測試版 ISO 20022 報文適配器，允許金融機構通過該帳本、使用標準支付報文發起代幣化存款交易。IBM 表示，參與 Swift 相關計劃的金融機構已使用 Digital Asset Haven 在該帳本上測試了代幣化存款。該帳本支持銀行發行的代幣化存款，可讓參與的 IBM 客戶全天候轉移數位資產，最終結算仍通過現有系統完成。Swift 於 Sibos 2025 首次公布該帳本，基於與 Consensys 合作開發的原型，超過 40 家金融機構參與其設計，其中 17 家正參與代幣化存款試點。Swift 目前連接全球 200 多個市場的超 1.25 萬家金融機構。上述報文適配器使銀行能夠沿用現有支付報文格式與運營流程，而無需採用區塊鏈專屬工作流。IBM 同時將 Digital Asset Haven 擴展至本地化部署測試版，該版本可安裝在客戶自有數據中心的 IBM Z 與 IBM LinuxONE 上，用於管理穩定幣、代幣化存款等數位資產，無需依賴公有雲基礎設施。IBM 稱，平台及密鑰管理層完全保留在客戶自身環境內，密鑰由 IBM Crypto Express 硬體安全模組保護。

ChainCatcher 消息，BidClub 播客第 166 期中，芯片設計師 Bubble boi 表示，高帶寬閃存從技術上來看具有吸引力，但缺乏決定性的數據中心用例。他給出的資訊是，所聽說的主要客戶是難以獲得或生產高端 HBM 的中國客戶。Bubble boi 稱，HBF 與高端 AI 閃存延遲均約 5 微秒，帶寬低於 HBM，單位比特成本更低但總成本可能相當。他認為最清晰的客戶是無法獲得 HBM 的主體，這與他從兩到三人處聽到的中國需求相符，因其無法充分製造加速器，或願接受非領先規格產品。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日報導，三星電子因 HBM 市場增長正推進晶圓代工先進製程產能擴張，為應對 HBM4 基座晶片需求上升正在評估 4 奈米製程擴產。三星 HBM4 由 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 核心晶片與 4 奈米邏輯基座晶片組成，基座晶片負責與 GPU 等 AI 加速器高速交換數據。與 SK 海力士採用台積電 12 奈米不同，三星對 HBM4 基座晶片使用自有 4 奈米製程。該產線已滿負荷運轉並承接英偉達 Groq 3 LPU 等訂單，公司近期上調了 4 奈米新訂單及 HBM4 基座晶片報價。三星預計第三季度 HBM4 營收環比增逾 3 倍，下半年 HBM 營收中 HBM4 占比將明顯高於 60%。平澤 P4 追加擴產大部分將用於 HBM 用 1c DRAM，晶圓代工 4 奈米產能一半以上已分配給 HBM4 基座晶片。HBM4E 同樣採用 4 奈米基座晶片，三星已於 5 月向客戶提供樣品。公司還在評估為 HBM5 建設 2 奈米新產線，目標以 GAA 結構 2 奈米製程並提高 TSV 密度，使運行速度較 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年啟動 2 奈米第一代量產，今年下半年推進第二代產品。花旗預計明年全球 HBM 比特需求達 752 億 Gb、同比增 62%，供應約 594 億 Gb、缺口約 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星電子計劃明年將第六代高帶寬存儲器 HBM4 與第七代 HBM4E 等 HBM4 系列產量較今年至少擴大一倍以上。該公司擬將 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃載體外協清洗量，由今年每月 2 萬片增至明年每月 5 萬片，較今年增加 2.5 倍。去年該載體月需求約 1 萬片，今年已較去年翻倍。三星電子重點擴產的 HBM4 與 HBM4E 以 12 層及以上高堆疊產品為主。該公司今年 2 月開始量產出貨採用第六代 10 奈米級（1c）DRAM 與 4 奈米工藝基底芯片的 HBM4，5 月向英偉達等客戶提供 HBM4E 12 層樣品。業界預計，以月均晶圓投入計，三星電子 HBM 產能將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片，增幅近 40%；HBM4 系列出貨占比或由今年約 40% 升至明年約 80%。

ChainCatcher 消息，KB 證券 9 月 11 日發布報告指出，三星電子 HBM 市場份額有望從第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益於 HBM4 第三季度銷量環比增長超過三倍，且下半年 HBM4 預計占其 HBM 總銷售額的 60% 以上。三星電子已確立 HBM4 全面量產、向核心客戶供應 HBM4E 樣品、採用 1c 核心裸片與 2 奈米基礎裸片的 HBM5 架構以及下一代 ZHBM 的路線圖。其代工業務方面，4 奈米良率穩定在 80% 以上，2 奈米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 證券分析師 Kim Dong-Won 表示，代工業務自第三季度起有望扭虧為盈，2 奈米良率年內或助其斬獲美國大客戶訂單。

ChainCatcher 消息，据路透社 9 月 10 日獨家報導，中國 AI 晶片製造商因高帶寬記憶體短缺而大幅提價。華為將昇騰 950DT 加速卡指示價格上調至超過 25 萬元人民幣，較兩個月前報價上漲 20% 至 50%。寒武紀將其計畫中的 690 晶片指示價格上調 20% 至 30%，沐曦和天數智芯也有類似漲價。報導稱，原因包括美國出口管制及灰色市場高帶寬記憶體供應推高成本。華為較早代產品如昇騰 950PR 和 910C 價格亦上漲約 30%。上述漲價增加了中國 AI 算力建設成本。華為、寒武紀等公司未予置評。

ChainCatcher 消息，据業界消息，英偉達正考慮將下一代 Rubin Ultra 人工智慧加速器的高帶寬記憶體方案從 12 層堆疊調整為 8 層。在儲存成本上漲背景下，英偉達更加重視單位帶寬成本及整機系統經濟性。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）已啟動第四代高帶寬存儲器 HBM3 試驗生產，初期良率停滯在 25%，約為量產黃金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量產同類產品，良率超過 90%。長鑫存儲 HBM3 8 層堆疊產品前道工序良率約 30%，後道工序後約 70% 成為最終良品。公司將少量樣品供應給阿里巴巴平頭哥、寒武紀等中國企業並持續改善良率。其 G4（17 奈米級）工藝普通 DRAM 無大問題，但 HBM 用 DRAM 晶片面積更大、電氣規格更嚴格。業界將原因指向矽通孔 TSV 技術成熟度不足。Nomad Semi 分析顯示，三星 HBM2 每晶片 TSV 超 5000 個，SK 海力士 HBM3 超 8000 個，長鑫存儲約 3000 個。與三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，三星電子晶圓代工事業部在 4 奈米工藝中，分配給第六代高帶寬儲存器 HBM4 用基底芯片量產的比重最近突破 50%。業界稱，該事業部今年下半年將超過一半的 4 奈米晶圓投入 HBM4 基底芯片製造，以配合向英偉達、博通、AMD 等擴大供應。三星於今年 2 月率先啟動 HBM4 量產出貨，並計劃自第三季度起擴大供應量，自年中起顯著增加相關晶圓投入。該芯片基於三星晶圓代工 4 奈米（SF4）工藝。截至上月，其全部 4 奈米產能中超過 50% 已分配給 HBM4 基底芯片。知情人士稱，三星 4 奈米目前處於滿產，其中 HBM4 基底芯片占比約 50% 至 60%，下半年將維持高占比。三星在平澤 2 廠與 3 廠的晶圓代工產線量產 4 至 7 奈米級工藝，其中 4 奈米產能約每月 3 萬片，據此估算 HBM4 基底芯片相關晶圓投入約每月 1.5 萬片。三星在第二季度業績電話會上表示，預計第三季度 HBM4 營收環比擴大 3 倍以上，下半年 HBM4 營收將超過公司整體 HBM 營收的 60%。

ChainCatcher 消息，未來資產證券分析師 Kim Young-gun 表示，三星電子面向 AI 應用的 HBM 出貨量的擴張，預計將抵消明年通用儲存晶片增長放緩的影響。預計三星電子 2027 年 HBM 出貨容量和平均售價將分別飆升 57% 和 49%，有望超過通用儲存晶片預計的 16% 和 20% 增速。未來資產預計三星的盈利將受到韓元兌美元走強的拖累，但整體仍將保持穩健。該機構將三星 2026 年營業利潤預測下調 5.7% 至 370.057 萬兆韓元，2027 年下調 4.2% 至 535.682 萬兆韓元。

ChainCatcher 消息，以太坊財庫公司 Bitmine 董事長 Tom Lee 在 X 平台發文表示，截至第三季度以來，Russell 1000 指數漲幅居前的股票中，約 20% 為加密貨幣相關股票。其中，BMNR 三季度以來上漲 99%，排名第 4；MSTR 上漲 67%，排名第 12；CRCL 上漲 65%，排名第 14；BLSH 上漲 55%，排名第 21。Tom Lee 補充表示，距離第三季度結束僅剩一個月，這些表現強勁的加密股可能成為投資者接下來追逐的標的。