dram

Согласно сообщению ZDNet Korea от 20 октября, ссылаясь на отчеты полупроводниковой отрасли, компания Groq, занимающаяся AI-чипами и фактически приобретенная NVIDIA, продвигает внедрение трехмерной упаковки DRAM в следующем поколении чипов, чтобы заменить быстрое, но менее емкое решение SRAM. Groq была основана в 2016 году бывшим дизайнером TPU Google Джонатаном Россом, и сообщается, что компания была косвенно приобретена NVIDIA в прошлом году.Сообщается, что рассматриваемый Groq вариант — это 3DS, то есть высокоемкая упаковка, которая вертикально соединяет чипы DRAM через кремниевые отверстия. Трехмерная упаковка позволяет вертикально укладывать несколько голых чипов и работать как один чип, уменьшая площадь и повышая энергетическую эффективность по сравнению с плоскими решениями. 3DS и HBM используют кремниевые отверстия, но HBM акцентирует внимание на скорости передачи, в то время как 3DS сохраняет существующий интерфейс DRAM и сосредотачивается на расширении емкости. Анонимный представитель отрасли заявил, что Groq планирует использовать трехмерную упаковку в следующем поколении чипов, укладывая DRAM, а не SRAM; другой источник отметил, что рыночный спрос смещается в сторону чипов с большей емкостью, и поэтому Groq выбирает более выгодный с точки зрения емкости DRAM.

Согласно сообщению агентства Reuters, профсоюз Micron в Тайване, расположенный в Таоюане, объявил 20 октября о планах начать забастовку в этот четверг в знак протеста против споров по поводу бонусов для сотрудников и схемы распределения прибыли, а также в поддержку профсоюза в Тайчжуне, который ведет переговоры с компанией.На данный момент медиация между профсоюзом Таоюаня и Micron сорвалась в сентябре, и первый получил полномочия на забастовку в начале октября. Профсоюз Тайчжуна представляет крупнейшее операционное подразделение Micron на Тайване и все еще ведет переговоры с компанией, не проводя голосование по вопросу о забастовке. Micron имеет около 15,000 сотрудников на Тайване, которые в основном производят ключевые компоненты для AI-серверов, такие как DRAM и высокоскоростная память (HBM). Профсоюз Таоюаня не уточнил продолжительность забастовки, а лидер региона Тайвань Лай Циньде на прошлой неделе призвал обе стороны к искренним переговорам.

Вице-президент Micron Technology Ли Чже на выставке полупроводников в Корее SEDEX 2026, проходящей в Сеуле COEX, заявил, что компания разрабатывает память для крайних вычислений (EIM) для физического ИИ. Ожидается, что продукт будет запущен в массовое производство во второй половине 2028 года. Micron изучает возможность использования EIM в LPDDR6 для удовлетворения потребностей в низкомощной DRAM для автономного вождения, гуманоидных роботов и других приложений, и ведет обсуждения с ключевыми клиентами по связанным продуктам.Согласно отчету Daily Science and Technology Innovation Board, EIM находится между AI-чипами и памятью, и его реализация заключается в укладке LPDDR на логические чипы для высокоскоростной обработки данных вывода, архитектура вычислений еще не полностью раскрыта. Ли Чже отметил, что в настоящее время модели AI для роботов имеют около 1-2 миллиардов параметров, и требования к пропускной способности не высоки; после появления более продвинутых моделей визуального языка одной LPDDR будет недостаточно, в конечном итоге HBM будет использоваться для гуманоидных роботов. Micron ожидает, что в будущем высокопроизводительным гуманоидным роботам потребуется около 200 ГБ DRAM и 4 ТБ памяти, в то время как для сервисных роботов это составляет около 12 ГБ DRAM и 256 ГБ памяти.Генеральный директор Micron Санжай Мелотра заявил, что объем памяти гуманоидного робота в 10 раз больше, чем у обычного легкового автомобиля L2+, и ожидается, что индустрия хранения данных войдет в период устойчивого роста спроса на десятилетия начиная с 2030 года, причиной чего является необходимость синхронной обработки данных с сотен датчиков и выполнения больших моделей на месте для управления с задержкой в миллисекунды. Counterpoint Research ожидает, что мировой спрос на DRAM для гуманоидных роботов вырастет с примерно 8300 Тбит в этом году до около 172000 Тбит к 2030 году.

NVIDIA потребовала от Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology использовать голые чипы на основе технологии 3 нм от TSMC для производства NVHBM, в то время как основные голые чипы будут использовать технологию DRAM шестого поколения. Samsung Electronics решила принять технические требования NVIDIA, но не будет комментировать вопросы, касающиеся клиентов.

Исследовательские компании Counterpoint Research и TrendForce 18 числа сообщили, что месячная производственная мощность китайского производителя DRAM Changxin Memory ожидается, что увеличится с текущих примерно 320 000 пластин до 420 000 пластин к 2027 году, что составляет прирост примерно 100 000 пластин за более чем год, что соответствует увеличению на 31,3%.Отрасль ожидает, что месячная производственная мощность DRAM Changxin Memory к концу 2028 года достигнет от 500 000 до 600 000 пластин. Если исходить из верхнего предела в 600 000 пластин, это означает увеличение на 280 000 пластин по сравнению с текущим уровнем, что составляет примерно 87,5%.

Согласно отчету DealSite, производитель чипов памяти SK Hynix расширяет массовое производство шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4, в то время как некоторые специалисты в области оборудования считают, что темпы расширения ниже ожидаемых, и часть заказов на дополнительное оборудование, запланированных на этот год, может быть отложена до следующего года.Специалисты по оборудованию сообщают, что некоторые устройства, которые должны были быть доставлены во второй половине этого года, показывают признаки задержки, и планы по последующим заказам также еще не определены. Анонимный источник заявил, что часть оборудования, которое изначально планировалось ввести в эксплуатацию в этом году, может быть перенесена на следующий год, и нет данных, подтверждающих, что уже поставленное оборудование работает на полную мощность. Инвестиционные планы по HBM4 на следующий год еще не были конкретно переданы некоторым партнерам, заказы этого года в целом выполнены, но четких сигналов о увеличении или уменьшении инвестиций не наблюдается. Сообщается, что прямая связь между графиком инвестиции в оборудование и проблемами качества продукции еще не подтверждена.Аналитик компании Daishin Securities Лю Хенгён считает, что опасения по поводу качества HBM4 у основных клиентов, приводящие к результатам ниже ожидаемых, чрезмерны; в процессе производства могли возникнуть некоторые проблемы, но их трудно считать нерешаемыми рисками, и еще не достигнута стадия обсуждения компенсаций за убытки. Также существует мнение в отрасли, что на фоне роста цен на универсальную память часть инвестиций в HBM может быть перенаправлена на универсальную память. SK Hynix планирует в первую очередь ввести оборудование для производства DRAM в первый чистый зал на заводе по производству полупроводников в Лонгине, и ожидается, что на начальной производственной линии будет использоваться шестое поколение 10-нм технологии 1c, а новая мощность будет в первую очередь распределена на универсальную DRAM. Также есть мнение, что только на основе изменений в графике некоторых устройств нельзя делать вывод о том, что массовое производство HBM4 сталкивается с препятствиями; SK Hynix уже поставила образцы HBM4 с 16 слоями основным клиентам.

Компания по производству чипов памяти из Китая Changxin Storage (CXMT) заявила, что достигла ключевых успехов в новой структуре хранения. Samsung Electronics и SK Hynix также продвигают аналогичные структуры для повышения плотности хранения. Президент компании Цао Канью на отраслевом мероприятии в Шанхае заявил, что Changxin Storage планирует выпустить новые серверные продукты памяти на основе этой структуры до конца 2026 года, соответствующее заявление было сделано компанией.Эта структура имеет дизайн 4F², то есть каждый ячейка памяти занимает площадь 4F², где F — минимальная ширина линии полупроводника. Компания утверждает, что этот запатентованный дизайн транзистора может повысить плотность хранения и улучшить эффективность за счет размещения большего количества ячеек памяти на одном чипе. В настоящее время в основном коммерческом DRAM используется структура ячеек 6F².

IT Дом сообщает, что по данным Money Today от 8 октября, мобильное подразделение Samsung Electronics (MX) планирует сократить производство смартфонов, с максимальным снижением объемов на 30% в четвертом квартале 2026 года. Несколько информированных источников в IT-отрасли сообщили, что подразделение Samsung MX уведомило нескольких партнеров о необходимости сократить объемы поставок продукции на 20% до 30%. IT Дом уточняет, что в оригинале не указано, относится ли это снижение в 30% к предыдущему кварталу, к аналогичному периоду прошлого года или к ранее ожидаемым объемам производства.Что касается объемов производства, то Samsung Electronics изначально планировала произвести до 270 миллионов смартфонов в этом году, полагаясь на новые продукты, такие как Galaxy Z Fold8. После значительного сокращения в четвертом квартале, окончательный объем производства в этом году ожидается на уровне чуть более 200 миллионов единиц, что превышает первоначальные ожидания рынка. Данные IDC показывают, что в первом и втором кварталах этого года объемы поставок смартфонов составили 62,4 миллиона и 62,7 миллиона соответственно, при этом ранее прогнозировалось, что объемы поставок в третьем и четвертом кварталах составят 59 миллионов и 52 миллиона соответственно, что означает снижение в четвертом квартале примерно на 12% по сравнению с третьим кварталом.Money Today сообщает, что рост цен на память является основной движущей силой сокращения производства. Данные TrendForce показывают, что во втором квартале этого года цена на 12 ГБ низкопотребляющей DRAM (LPDDR5X) для смартфонов составила от 145 до 146 долларов, что на 175% выше, чем в аналогичном периоде прошлого года. В отчете также говорится, что спрос на искусственный интеллект поднимает цены на память, и ожидается, что в третьем квартале цены на DRAM для смартфонов вырастут еще примерно на 20%, достигнув максимума в 180 долларов. Представители IT-отрасли утверждают, что в настоящее время продажи смартфонов Samsung не приносят прибыли, и сокращение производства является стратегией для поддержания общей рентабельности.

Согласно сообщению финансового агентства, ссылаясь на местные СМИ, 29 сентября, вице-президент Samsung Electronics Ким Тэ У: ожидается, что в следующем году HBM займет почти 30% от общего объема производства полупроводниковых пластин производителей DRAM, в настоящее время этот показатель составляет около 20%. Он отметил, что HBM и традиционный DRAM конкурируют за одну и ту же партию производственных мощностей, увеличение производства HBM может сократить предложение традиционного DRAM.TrendForce ранее прогнозировал, что к концу 2027 года три крупнейших поставщика HBM будут вкладывать около 30% в общий объем пластин DRAM, но по объему памяти это сможет составить лишь около 13% от общего предложения DRAM. Кроме того, согласно сообщениям СМИ от 20 сентября, Samsung начала массовое производство HBM4 в феврале этого года и в мае предоставила образцы 12-слойного HBM4E клиентам, включая NVIDIA; в отрасли ожидают, что ежемесячный объем поставок пластин HBM от Samsung вырастет с примерно 180 000 в этом году до около 250 000 в следующем.TrendForce в тот же день заявила, что спрос на серверы AI продолжает расти, HBM и универсальный DRAM по-прежнему будут делить ограниченные производственные мощности передовых технологий, а в 2027 году предложение памяти останется напряженным, и прогноз цен на HBM на 2027 год был повышен, ожидается, что средняя цена вырастет на 121% по сравнению с прошлым годом. Из-за ограниченного предложения и роста системных затрат 8-слойный HBM, как ожидается, станет приоритетным вариантом для многих производителей в 2027 году, его цена за Гб будет на 10% до 20% выше, чем у 12-слойных продуктов.

Согласно отчету южнокорейской газеты «Чунган Ильбо», в заявлении Чжун Сяо, бывшего руководителя по инвестициям в оборудование компании Changxin Memory Technologies (CXMT) и выходца из Samsung Electronics, говорится, что бывший CEO CXMT Ван Ниньго был собран в период с октября по декабрь 2016 года с командой из Кореи, включая Чжун Сяо, и потребовал вернуть информацию о технологическом процессе Samsung Electronics (PRP) и оборудовании, угрожая сообщить правительству Кореи, если информация не будет возвращена, а также предупредив о проверке связей и о том, чтобы не лгать. Чжун Сяо заявил, что в то время он чувствовал страх. В отчете говорится, что руководство CXMT тогда использовало кодовое название «Хуаншань» для Samsung Electronics.Чжун Сяо присоединился к CXMT после 28 лет работы в Samsung Electronics и был обвинен в несанкционированной утечке и использовании технологии 18-нм DRAM, разработанной с инвестициями Samsung в 1,6 трлн вон, и в апреле этого года был приговорен к 7 годам лишения свободы в первой инстанции, в настоящее время дело находится на апелляции. PRP включает последовательность около 600 шагов производства DRAM, оборудование, условия и компании с моделями оборудования. Пак Чжун, инженер по проектированию процессов Samsung, в сентябре 2016 года переписал соответствующую информацию на 12 страницах заметок и вынес их, в настоящее время он находится в статусе красного уведомления Интерпола.Чжун Сяо заявил в суде, что во время общения с китайской стороной звучали слова о том, что если не удастся разработать 18-нм, то инвестиции CXMT не будут предоставлены, и позже он узнал, что с самого начала они хотели эту технологию, а CXMT изначально не планировала самостоятельную разработку. Указанное давление происходило перед подготовкой к встрече для подачи заявки на инвестиции. CXMT была основана в 2016 году с инвестициями в 14,4 млрд юаней от правительства города Хэфэй и около 10 лет не приносила прибыли, в прошлом году впервые получила годовую прибыль в 7,1 млрд юаней.

Согласно отчету ZDNet Korea от 28 сентября, Samsung Electronics ускоряет строительство первой линии массового производства (Ph1) в пятом парке Пхенчжина (P5) и обсуждает с основными производителями оборудования перенос сроков установки оборудования Ph1 с запланированного на третий квартал следующего года на второй квартал следующего года. P5 является следующей базой по производству полупроводников с целью запуска в 2028 году, строительство чистой комнаты Ph1 началось в третьем квартале этого года.Ранее Samsung Electronics перенесла завершение строительства чистой комнаты P5 Ph1, запланированное на начало следующего года, примерно на 6 месяцев, поэтому ввод оборудования ожидается примерно в третьем квартале следующего года. Эксперты отрасли сообщают, что начало переноса оборудования планируется с июля-августа следующего года на май-июнь следующего года; другие источники утверждают, что Samsung даже предложила сначала доставить оборудование в первом квартале следующего года и временно хранить его в других местах, что демонстрирует сильную готовность к предварительным инвестициям.Обсуждение инвестиций во втором этапе P5 (Ph2) также продолжается. В настоящее время Ph1, скорее всего, будет построен как линия производства DRAM и HBM, тогда как Ph2, вероятно, будет включать в себя передовые линии NAND, включая десятую (V10). Представители оборудования сообщают, что официальные заказы на закупку еще не размещены, но Samsung уже обсуждала с партнерами возможность создания линии NAND в Ph2 и, учитывая длительный цикл поставки оборудования, требует заранее подготовить соответствующие компоненты. Сообщается, что крупные мировые технологические компании увеличивают заказы на высокопроизводительные DRAM и NAND для инфраструктуры ИИ, в то время как у таких компаний, как Samsung, ограниченные производственные мощности. В июле на телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что неудовлетворенный спрос этого года будет перенесен на следующий год, нехватка поставок в следующем году будет более серьезной, чем в этом году, и ожидается, что нехватка продлится до 2028 года.

Аналитическая компания Kernel Insight: спрос на искусственный интеллект способствует поддержанию цен на DRAM на исторически высоком уровне, стоимость продажи единицы площади новейшего DRAM уже превышает цены на вафли TSMC N2 и N3. Эта компания оценивает цену вафли TSMC 300 мм N3 в 20 000 долларов, N2 в 30 000 долларов, что соответствует номинальным ценам примерно 0.283 доллара и 0.424 доллара за квадратный миллиметр соответственно, не учитывая потери на краях, потери при резке, а также выход и дефекты.При расчете по 1.50 долларов за Gb и плотности битов по поколениям, 1y DRAM составляет 0.329 долларов за квадратный миллиметр, 1z — 0.410 долларов, 1b — 0.654 долларов, что более чем на 50% выше, чем у N2. Процесс 10 нм постепенно уменьшается в порядке 1y, 1z, 1a, 1b. Указанные цены за Gb предполагают близость к спотовым ценам, данные DRAMeXchange показывают, что 21 сентября средняя цена сделки на 16Gb DDR5 eTT чипы составила 24.80 долларов, что примерно соответствует 1.55 долларов за Gb.Сравнительные показатели различаются. Цифры TSMC — это цена, которую клиенты платят за услуги по производству вафель, цифры DRAM — это общий потенциал продаж готовой продукции, и не учитывают стоимость передовых упаковок; фактическая цена поставки TSMC будет изменяться в зависимости от объема заказов и контрактов. Показатели DRAM основаны на небольших спотовых ценах, что отличается от долгосрочных контрактных цен Samsung Electronics, SK Hynix и Micron. Недавние фиксированные цены на закрытых торгах укрепились, и если это еще не полностью отразилось на спотовых ценах, то разрыв в ценах на вафли производителей памяти может быть еще больше.

Согласно отчету ZDNet Korea, Samsung Electronics корректирует стратегию следующего поколения DRAM, включая ранее разрабатываемый в рамках проекта B1b в официальную дорожную карту и называя его первым DRAM D0a с размером менее 10 нанометров. Ранее D0a относился к вертикальным транзисторным DRAM, теперь этот продукт отдельно классифицируется как D0a-V. Переименование направлено на ускорение внедрения передовой упаковки в универсальный DRAM.B1b будет производить ячейки памяти и окружающие драйверные цепи на разных пластинах, а затем соединять их, используя смешанное соединение пластин, с прямым соединением через медные межсоединения. В настоящее время коммерчески доступный DRAM — это 1c, то есть 6-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 11 до 12 нанометров; следующее поколение 1d — это 7-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 10 до 11 нанометров, которое рассматривается как фактически последний продукт 10-нанометрового уровня, соответствующая ширина линии является маркетинговым термином, а не фактическим физическим размером. Вертикальные транзисторы могут располагать транзисторы внутри ячейки вертикально, уменьшая площадь ячейки с 6F² до 4F², но необходимо справляться с высокой соотношением глубины и ширины травления и утечкой тока, что делает разработку более сложной. Смешанное соединение пластин уже применяется в массовом производстве CMOS-датчиков изображения и высокостековых NAND.Samsung Electronics оценивает возможность использования B1b для 8-го поколения высокоскоростной памяти HBM5. Ожидается, что HBM5 будет запущен в массовое производство примерно в 2029 году, с целью увеличения скорости работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. В отрасли предполагают, что DRAM D0a на основе B1b будет доступен для коммерческого использования не ранее чем через два года, конкретный график инвестиций в массовое производство может быть определен в середине следующего года.

Глобальный директор по макроэкономике Fidelity Investments Юрриен Тиммер на платформе X заявил, что торговля в области ИИ находится в состоянии "мертвых денег" более трех месяцев, при этом расходы на токены и ставки аренды GPU остаются на уровне или снижаются, только цены на память (DRAM) продолжают расти.Тиммер считает, что ИИ в долгосрочной перспективе изменит жизнь и может освободить чудеса производительности, повысив предельный уровень экономического роста без инфляции до уровня, достаточного для поддержания устойчивости глобального долга. Но до этого момента текущее строительство является инфляционным, и возврат на инвестиции в десятки триллионов долларов в вычислительные мощности остается неопределенным, в то время как спрос на корпоративный капитал и долговые обязательства растет с темпом 3,3 триллиона долларов.

Глобальный рынок памяти продолжает испытывать серьезный дефицит, а приложения на базе ИИ и облачных технологий поднимают спрос и цены на DRAM и NAND Flash. Два крупнейших производителя памяти в Китае, Yangtze Memory Technologies и Changxin Memory, собираются изменить сложившуюся ситуацию, в которой они занимают половину рынка.Yangtze Memory Technologies начнет пробное производство LPDDR5 DRAM в конце 2026 года, а Changxin Memory планирует перейти от DRAM к NAND Flash. В отрасли предполагают, что обе компании могут столкнуться в 2028 году. Yangtze Memory Technologies завершила разработку 294-слойной 3D NAND с использованием технологии Xtacking, а Samsung заключила соглашение о лицензировании патентов с ней в 2025 году, начиная с 10-го поколения V-NAND.Третий этап проекта Yangtze Memory Technologies планируется к запуску в конце 2026 года с первоначальной мощностью около 25 000 пластин DRAM, с завершением наращивания производства в 2027 году, нацеливаясь на LPDDR5, и планируя дальнейшее расширение производства, а также HBM и 3D DRAM. Changxin сообщила о намерении создать линию для разработки и производства NAND в Пекине, и, по оценкам, массовое производство может начаться в 2028-2029 годах.

Согласно отчету TechPowerUp, китайский производитель DRAM Changxin Storage (CXMT) ожидает, что к концу 2026 года месячная производственная мощность кремниевых пластин DRAM составит около 350 000 штук, в то время как Micron прогнозирует около 375 000 штук за тот же период. Строительство чистых помещений Changxin Storage занимает около 12 месяцев, что меньше, чем обычно в отрасли, где это занимает от 21 до 24 месяцев.Из-за санкций США, которые не позволяют получить EUV, Changxin Storage использует более старую технологию DUV фотолитографии и многократного паттернизирования. Компания уже начала поставки чипов 16 Gb DDR5 со скоростью 8000 MT/s, площадь чипа составляет 67 mm², плотность — 0.239 Gb/mm², ячейка G4 на 20% меньше, чем G3. Модули 24 Gb производятся серийно со скоростью около 6000 MT/s, модули LPDDR5X-10667 (12 Gb и 16 Gb) также уже запущены в серийное производство. Правительство Китая поощряет Changxin Storage к передаче IP DRAM таким отечественным производителям, как JHICC, Swaysure и дочерняя компания Yangtze Memory Technologies (XMC).

Согласно эксклюзивной информации от Interface News, Apple приняла предложение Samsung Electronics на цены на чипы памяти в первом квартале 2027 года: DRAM близок к 2.0 долларам США за гигабайт, NAND флеш-память близка к 0.33 долларам США за гигабайт, что на 30%-40% выше, чем цены в третьем квартале этого года.Interface News запросила подтверждение этой информации у Apple, но на момент публикации ответа не поступило.

Согласно сообщению газеты "Чосон Ильбо" от 15 сентября, консенсус по операционной прибыли Samsung Electronics и SK Hynix в третьем квартале был снова пересмотрен за три месяца. По данным основных брокеров и зарубежных инвестиционных банков, операционная прибыль Samsung Electronics в третьем квартале оценивается примерно в 114 триллионов вон, что на 12.2836 триллионов вон (12%) выше, чем три месяца назад, когда она составляла 101.9052 триллиона вон, и на 28% выше по сравнению со вторым кварталом, который составил 89.4 триллиона вон. Ожидаемая прибыль SK Hynix в третьем квартале составляет 78.8035 триллиона вон, что на 4% выше, чем три месяца назад, когда она составляла 75.7249 триллиона вон, и на 30% выше по сравнению со вторым кварталом, который составил 60.5426 триллиона вон.TrendForce ожидает, что фиксированные цены на DRAM в третьем квартале вырастут на 13% до 18% по сравнению с предыдущим кварталом, а NAND флеш-память вырастет на 10% до 15%. Финансовые аналитики обращают внимание на то, что доля выручки Samsung Electronics от HBM4 увеличилась с 5% в первом квартале до примерно 35% во втором квартале, а также улучшилась выходная способность. SK Hynix сохраняет первое место по доле рынка HBM, но улучшение массового производства HBM4 от Samsung может размыть его премию на поставки. Citigroup Securities снизила прогноз операционной прибыли SK Hynix в третьем квартале с 76.7 триллиона вон до 74 триллионов вон из-за укрепления вон. Micron опубликует результаты за четвертый квартал 2026 финансового года (с июня по август) 30 числа, прогнозируемая выручка составляет от 49 до 51 миллиарда долларов.