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ChainCatcher 消息，三星電子和 SK 海力士計劃於明年第二季度開始量產並交付 8 層 HBM4，供應給英偉達。據知情人士透露，英偉達將根據 Rubin Ultra 的 NVL 機架規模配備 8 層 HBM4，預計從明年年中開始，8 層 HBM4 的比例將顯著增加。

ChainCatcher 消息，UPBIT 將於 10 月 24 日 12:00 上線 Bubblemaps (BMT) 並支持 KRW 交易。用戶需注意僅支持透過 Solana 網絡的 BMT 入出金。

ChainCatcher 消息，IBM 2026 財年第三季度營收 171 億美元，同比增長約 5%，調整後每股收益 2.95 美元，均超出分析師預期。公司上調全年軟體營收增長指引至約 7%--8%，並將全年自由現金流增長指引提高至超過 10 億美元。此前因客戶支出轉向數據中心基礎設施而推遲的軟體和大型機交易開始簽約。自由現金流前九個月累計達 80 億美元，創同期歷史新高。IBM 股價盤後跌 4.95%，報 239.02 美元。

ChainCatcher 消息，英偉達已要求三星電子、SK 海力士和美光科技採用台積電 3nm 製程的基底裸片為其生產 NVHBM，核心裸片則採用第六代 DRAM 技術。三星電子已決定接受英偉達的技術要求，但對涉及客戶的事項不予評論。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 報導，儲存晶片廠商 SK 海力士在擴大第六代高帶寬記憶體 HBM4 量產的同時，部分後道設備業內人士認為擴產速度慢於預期，今年計畫追加的部分設備訂單可能推遲至明年。設備業人士稱，原定今年下半年交付的部分設備出現延後跡象，後續訂單計畫也尚未明確。有匿名人士表示，部分原計畫今年投入的設備或改至明年，已交付設備是否滿負荷運轉也尚無數據確認。明年 HBM4 相關投資計畫尚未具體傳達給部分合作方，今年訂單已大體完成，但未見明確的增減投資信號。報導稱，設備投資日程與產品品質問題之間的直接關聯尚未得到確認。大信證券研究員柳亨根認為，主要客戶 HBM4 品質問題導致業績低於預期的擔憂過度，後道環節或曾出現部分問題，但難以視為無法解決的風險，也尚未到討論不良賠償的階段。另有業內說法稱，在通用記憶體價格上漲背景下，部分 HBM 投資或轉向通用記憶體。SK 海力士計畫優先向龍仁集群 Y1 晶圓廠首個潔淨室導入 DRAM 生產設備，業界預計初期產線採用第六代 10 奈米級 1c 工藝，新增產能將優先分配給通用 DRAM。也有觀點認為，僅憑部分後道設備日程變化，尚不足以判斷 HBM4 量產受阻，SK 海力士已向主要客戶供應 HBM4 16 層樣品。

ChainCatcher 消息，X 账号 pequityresearch 發文稱，彭博旗下研究機構彭博情報預計，高帶寬記憶體市場規模到 2030 年將達到 6410 億美元，高於此前 2600 億美元的預測。該帳號援引的預測還顯示，彭博情報預計 HBM3E 與 HBM4 價格將在 2027 年上漲 30% 至 45%，高帶寬記憶體平均價格將從 2026 年的 15.46 美元升至 2030 年的 34.94 美元。

ChainCatcher 消息，面向數字資產市場的機構結算網絡 Lynq 與穩定幣清算所 The Better Money Company（TBMC）宣布完成一項實時概念驗證，展示機構結算可在數分鐘內完成。該驗證屬於雙方合作第一階段，採用預存資金流程，在 Lynq 上完成穩定幣結算。概念驗證中，TBMC 將客戶存放在 Lynq 上的資產轉換為 RLUSD，結算在數分鐘內完成。驗證使用真實生產賬戶與真實機構對手方，結算過程繞過傳統銀行窗口。資產在結算持有期間利息繼續計提，計算使用 Tassat 的 Yield in Transit 功能，按資產持有時長確定應計利息。TBMC 創始人兼 CEO Sam Broner 表示：穩定幣要成為有意義的機構基礎設施，需進入真實結算流程；該驗證表明可通過鏈上抵押品轉移處理穩定幣碎片化，而不依賴信貸和傳統銀行結算來銜接。Lynq CEO Jerald David 表示：機構並不缺資本，缺的是在需要時以正確形式把資金移到正確地點；該驗證規模刻意做小，但表明數字美元可在機構之間於數分鐘內結算，且不以信貸便利替代速度。Lynq 稱，平台原生穩定幣支持目前目標為 2026 年底。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 報導，隨著 AI 封裝容納更多計算與存儲晶片，連接計算晶片與 HBM 的中介層預計大幅變大，下一代 HBM 散熱更重要。三星電子正準備多項技術，應對計劃於明年開始量產的 HBM4E 散熱挑戰。當前 AI 中介層面積已約為 EUV 光刻機單次曝光最大面積 858 平方毫米的 5.5 倍。半導體設備業人士預計，承載 HBM 的中介層可能擴大到該面積的 9 倍、12 倍，最終約 40 倍。原因包括製程微縮受限和 chiplet 式 2.5D 封裝普及，單一先進製程晶片難以滿足 AI 計算力需求，多個計算 chiplet 與 HBM 堆疊被放在同一中介層上。三星考慮混合銅鍵合與熱路徑塊。前者以銅對銅直接連接取代堆疊 DRAM 晶粒間的微凸點，可縮小層間間隙、使堆疊更薄並改善散熱，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。熱路徑塊在 HBM 基底晶粒負責與 GPU 高速傳輸的 D2D PHY 區域建立專用熱路徑，三星正用 HBM4E 驗證，並計劃在 HBM5 導入。據 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在熱量集中的 D2D PHY 周圍放置高導熱但電絕緣的冷卻材料，預計可將熱阻降低約 30%。

ChainCatcher 消息，据韓國經濟日報報導，三星電子的下一代高帶寬內存 "12 層 HBM4E" 產品已通過英偉達及主要超大規模數據中心運營商的質量驗證。

ChainCatcher 消息，据 PRNewswire 报道，以太坊財庫公司 Bitmine 董事長 Tom Lee 表示，隨著加密市場進入其認為的牛市周期，Bitmine（BMNR）股價在 2025 年至 2026 年熊市期間相較以太坊（ETH）的表現值得關注。2026 年前 9 個月 ETH 價格下跌 10%，而 BMNR 僅下跌 3%，實現約 731 個基點（7.31 個百分點）的相對跑贏。BMNR 的股價表現反映了公司持續優化股東回報的承諾，其中包括執行加密行業規模最大的企業金庫股票回購計劃，僅 2026 年就回購 2100 萬股。此外，Tom Lee 還指出，2026 年第三季度至今，ETH 相較標普 500 指數跑贏 6832 個基點。在美聯儲立場偏鷹、油價上漲、全球債券收益率上升以及金融環境收緊等宏觀壓力背景下，ETH 仍展現出較強表現，領先其他主要宏觀資產。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情數據顯示，美股軟體股走高，IBM 漲 5%，ServiceNow 漲 4.8%，Salesforce 漲 3%。

ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，IBM 宣布其數位資產管理平台 IBM Digital Asset Haven 的客戶現已可連接許可制區塊鏈網絡，其中包括 Swift 基於區塊鏈的共享帳本。一項新的測試版 ISO 20022 報文適配器，允許金融機構通過該帳本、使用標準支付報文發起代幣化存款交易。IBM 表示，參與 Swift 相關計劃的金融機構已使用 Digital Asset Haven 在該帳本上測試了代幣化存款。該帳本支持銀行發行的代幣化存款，可讓參與的 IBM 客戶全天候轉移數位資產，最終結算仍通過現有系統完成。Swift 於 Sibos 2025 首次公布該帳本，基於與 Consensys 合作開發的原型，超過 40 家金融機構參與其設計，其中 17 家正參與代幣化存款試點。Swift 目前連接全球 200 多個市場的超 1.25 萬家金融機構。上述報文適配器使銀行能夠沿用現有支付報文格式與運營流程，而無需採用區塊鏈專屬工作流。IBM 同時將 Digital Asset Haven 擴展至本地化部署測試版，該版本可安裝在客戶自有數據中心的 IBM Z 與 IBM LinuxONE 上，用於管理穩定幣、代幣化存款等數位資產，無需依賴公有雲基礎設施。IBM 稱，平台及密鑰管理層完全保留在客戶自身環境內，密鑰由 IBM Crypto Express 硬體安全模組保護。

ChainCatcher 消息，BidClub 播客第 166 期中，芯片設計師 Bubble boi 表示，高帶寬閃存從技術上來看具有吸引力，但缺乏決定性的數據中心用例。他給出的資訊是，所聽說的主要客戶是難以獲得或生產高端 HBM 的中國客戶。Bubble boi 稱，HBF 與高端 AI 閃存延遲均約 5 微秒，帶寬低於 HBM，單位比特成本更低但總成本可能相當。他認為最清晰的客戶是無法獲得 HBM 的主體，這與他從兩到三人處聽到的中國需求相符，因其無法充分製造加速器，或願接受非領先規格產品。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日報導，三星電子因 HBM 市場增長正推進晶圓代工先進製程產能擴張，為應對 HBM4 基座晶片需求上升正在評估 4 奈米製程擴產。三星 HBM4 由 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 核心晶片與 4 奈米邏輯基座晶片組成，基座晶片負責與 GPU 等 AI 加速器高速交換數據。與 SK 海力士採用台積電 12 奈米不同，三星對 HBM4 基座晶片使用自有 4 奈米製程。該產線已滿負荷運轉並承接英偉達 Groq 3 LPU 等訂單，公司近期上調了 4 奈米新訂單及 HBM4 基座晶片報價。三星預計第三季度 HBM4 營收環比增逾 3 倍，下半年 HBM 營收中 HBM4 占比將明顯高於 60%。平澤 P4 追加擴產大部分將用於 HBM 用 1c DRAM，晶圓代工 4 奈米產能一半以上已分配給 HBM4 基座晶片。HBM4E 同樣採用 4 奈米基座晶片，三星已於 5 月向客戶提供樣品。公司還在評估為 HBM5 建設 2 奈米新產線，目標以 GAA 結構 2 奈米製程並提高 TSV 密度，使運行速度較 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年啟動 2 奈米第一代量產，今年下半年推進第二代產品。花旗預計明年全球 HBM 比特需求達 752 億 Gb、同比增 62%，供應約 594 億 Gb、缺口約 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星電子計劃明年將第六代高帶寬存儲器 HBM4 與第七代 HBM4E 等 HBM4 系列產量較今年至少擴大一倍以上。該公司擬將 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃載體外協清洗量，由今年每月 2 萬片增至明年每月 5 萬片，較今年增加 2.5 倍。去年該載體月需求約 1 萬片，今年已較去年翻倍。三星電子重點擴產的 HBM4 與 HBM4E 以 12 層及以上高堆疊產品為主。該公司今年 2 月開始量產出貨採用第六代 10 奈米級（1c）DRAM 與 4 奈米工藝基底芯片的 HBM4，5 月向英偉達等客戶提供 HBM4E 12 層樣品。業界預計，以月均晶圓投入計，三星電子 HBM 產能將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片，增幅近 40%；HBM4 系列出貨占比或由今年約 40% 升至明年約 80%。

ChainCatcher 消息，KB 證券 9 月 11 日發布報告指出，三星電子 HBM 市場份額有望從第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益於 HBM4 第三季度銷量環比增長超過三倍，且下半年 HBM4 預計占其 HBM 總銷售額的 60% 以上。三星電子已確立 HBM4 全面量產、向核心客戶供應 HBM4E 樣品、採用 1c 核心裸片與 2 奈米基礎裸片的 HBM5 架構以及下一代 ZHBM 的路線圖。其代工業務方面，4 奈米良率穩定在 80% 以上，2 奈米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 證券分析師 Kim Dong-Won 表示，代工業務自第三季度起有望扭虧為盈，2 奈米良率年內或助其斬獲美國大客戶訂單。

ChainCatcher 消息，据路透社 9 月 10 日獨家報導，中國 AI 晶片製造商因高帶寬記憶體短缺而大幅提價。華為將昇騰 950DT 加速卡指示價格上調至超過 25 萬元人民幣，較兩個月前報價上漲 20% 至 50%。寒武紀將其計畫中的 690 晶片指示價格上調 20% 至 30%，沐曦和天數智芯也有類似漲價。報導稱，原因包括美國出口管制及灰色市場高帶寬記憶體供應推高成本。華為較早代產品如昇騰 950PR 和 910C 價格亦上漲約 30%。上述漲價增加了中國 AI 算力建設成本。華為、寒武紀等公司未予置評。

ChainCatcher 消息，据業界消息，英偉達正考慮將下一代 Rubin Ultra 人工智慧加速器的高帶寬記憶體方案從 12 層堆疊調整為 8 層。在儲存成本上漲背景下，英偉達更加重視單位帶寬成本及整機系統經濟性。