サムスン電子

財聯社が報じたところによると、現地時間9月29日、三星電子の執行副社長Kim Taewooは、来年のHBMがDRAMメーカーのウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想しており、現在その割合は約20%であると述べました。彼は、HBMと従来のDRAMが同じウェーハ生産能力を争っており、HBMの生産を拡大すると従来のDRAMの供給が圧迫される可能性があると述べました。TrendForceは以前、2027年末までに世界の三大HBM供給者のHBMウェーハ投入量がDRAMウェーハ総投入量の約30%を占めると予測していますが、ストレージ容量で計算すると、DRAM総供給量の約13%しか貢献できないとしています。また、9月20日の報道によると、三星は今年2月からHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAを含む顧客に12層HBM4Eサンプルを提供しました。業界では、三星のHBMの月平均ウェーハ投入量が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加すると予想されています。TrendForceは同日、AIサーバーの需要が続いており、HBMと汎用DRAMは依然として限られた先進プロセスの生産能力を共有すると述べ、2027年のストレージ供給は引き続き厳しい状況が続くとし、2027年のHBM価格予想を引き上げ、混合平均販売価格が前年比で121%上昇すると予測しています。供給が限られ、システムコストが上昇する影響を受けて、8層HBMは2027年に多くのメーカーが優先的に評価する方案となる見込みで、その価格は12層製品よりも約10%から20%高くなると予想されています。

韓国《中央日報》の報道によると、同紙が入手した三星電子の元幹部で、前長鑫メモリ（CXMT）の設備投資責任者である全某の陳述書には、CXMTの前CEOである王寧国が2016年10月から12月にかけて全某ら韓国チームを招集し、三星電子のプロセスレシピプラン（PRP）および設備情報を持ち帰るよう要求したことが記されており、持ち帰らなければ韓国政府に通報すると脅し、相手に対して人脈を確認し、嘘をつかないよう警告したとされています。全某は当時、恐怖を感じたと述べています。報道によれば、CXMTの経営陣は当時「黄山」を三星電子のコードネームとして使用していました。全某は三星電子で28年間勤務した後、CXMTに加入し、無許可で三星が投入した1.6兆ウォン、当時世界初の18ナノDRAMプロセスを漏洩し使用した疑いで起訴され、今年4月に一審で7年の実刑判決を受け、現在二審中です。PRPにはDRAM製造に関する約600のステップの順序、設備、条件値、および設備会社とモデルが含まれています。三星のプロセス設計エンジニア出身の朴某は2016年9月に関連内容を12ページのノートに手書きで記録し持ち出し、現在は国際刑事警察機構の赤色通報状態にあります。全某は法廷での陳述の中で、中国側とのコミュニケーションの際に「18ナノができなければCXMTに投資を提供しない」という発言があったことを述べ、後に相手が最初からその技術を欲していたことを知ったとし、CXMTは当初、自ら開発するつもりはなかったと語っています。上述の圧力は投資申請の準備会議の前に発生しました。CXMTは2016年に合肥市政府傘下の合肥産業投資から144億元の出資を受けて設立され、約10年間は利益を上げておらず、昨年初めて年間利益を計上し、純利益は71億元でした。

ZDNet Koreaの9月28日の報道によると、Samsung Electronicsは平沢第5工場（P5）の初の量産ライン（Ph1）の建設を加速しており、主要設備メーカーとPh1の設備搬入目標を当初の来年の第3四半期から来年の第2四半期に前倒しすることを協議しています。P5は2028年の稼働を目指す次世代半導体生産拠点であり、今年の第3四半期にはPh1のクリーンルームの建設が始まりました。Samsung Electronicsは、当初来年初めに完成予定だったP5 Ph1のクリーンルームの建設を約6ヶ月前倒しし、そのため設備導入は来年の第3四半期頃になると予想されています。業界関係者によれば、設備搬入の開始時期は来年の7月から8月を来年の5月から6月頃に前倒しすることが検討されており、別の関係者はSamsungが来年第1四半期に先に設備を納入し、他の場所に一時保管することを提案したとも述べており、早期投資の意欲が強いことを示しています。P5の第2段階（Ph2）への投資議論も進行中です。現在、Ph1はDRAMおよびHBM生産ラインとして建設される可能性が高く、Ph2は第10世代（V10）を含む先進的なNAND生産ラインとして建設される可能性が高いです。設備業界の関係者は、正式な調達注文はまだ出されていないが、SamsungはパートナーとPh2をNAND生産ラインとして建設することを議論しており、設備の納入サイクルが長いため、関連部品を前もって準備するよう要求していると述べています。報道によれば、世界の大手テクノロジー企業はAIインフラ用の高性能DRAMおよびNANDの注文を増加させており、Samsungなどのストレージ企業は生産能力が限られています。Samsungは7月の第2四半期の業績電話会議で、今年満たされなかった需要は来年に持ち越され、来年の供給不足は今年よりも深刻になると述べており、供給不足は2028年まで続くと予想しています。

半導体分析機関 Kernel Insight：人工知能の需要が DRAM 価格を歴史的高水準に維持させており、最新のプロセス DRAM の単位面積販売価値はすでに台積電の N2、N3 ウェハ価格を上回っています。この機関は台積電の 300 ミリメートル N3 ウェハ価格を 2 万ドル、N2 を 3 万ドルと推定しており、名目価格はそれぞれ約毎平方ミリメートル 0.283 ドルと 0.424 ドルで、エッジロス、切断ロス、歩留まりおよび欠陥は考慮されていません。毎 Gb 1.50 ドルおよび世代ビット密度で計算すると、1y DRAM は毎平方ミリメートル 0.329 ドル、1z は 0.410 ドル、1b は 0.654 ドルで、N2 よりも 50% 以上高くなっています。10 ナノメートル級プロセスは 1y、1z、1a、1b の順に段階的に微細化されています。上記の毎 Gb 価格は現物に近いと仮定されており、DRAMeXchange のデータによると、9 月 21 日の 16Gb DDR5 eTT チップの平均取引価格は 24.80 ドルで、約毎 Gb 1.55 ドルに相当します。比較基準には差異があります。台積電の数字は顧客が支払うウェハのファウンドリ価格であり、DRAM の数字は完成品販売の総販売潜在力であり、先進パッケージコストは考慮されていません；台積電の実際の供給価格は注文量や契約によって変動します。DRAM 指標は小口現物価格に基づいており、三星電子、SK ハイニックス、マイクロンの収益主体の長期契約価格とは異なります。非公開の固定取引価格は最近強含みであり、まだ現物価格に完全に反映されていない場合、メモリメーカーのウェハ単位価格の先行幅はさらに大きくなる可能性があります。

ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子は次世代 DRAM 戦略を調整し、以前プロジェクト形式で開発されていた B1b を正式なロードマップに組み込み、初の 10 ナノメートル未満 DRAM D0a と名付けました。以前の D0a は垂直トランジスタ DRAM を指していましたが、現在この製品は D0a-V として単独で分類されています。この名称変更は、汎用 DRAM における先進的なパッケージングの導入を加速するためです。B1b は、ストレージセルと周辺ドライバ回路を異なるウェハ上で製造した後に接合し、ウェハ対ウェハの混合接合を採用し、銅相互接続で直接接続します。現在商用化されている DRAM は 1c で、これは第 6 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 11 から 12 ナノメートルです。次世代 1d は第 7 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 10 から 11 ナノメートルで、事実上最後の 10 ナノメートル級製品と見なされています。関連するライン幅はマーケティング用語であり、実際の物理的サイズではありません。垂直トランジスタは、セル内のトランジスタを垂直に配置することで、セル面積を 6F² から 4F² に縮小できますが、高深幅比エッチングと漏れ電流に対処する必要があり、開発難易度は高いです。ウェハ対ウェハの混合接合は、CMOS イメージセンサーや高積層 NAND で量産応用されています。サムスン電子は B1b を第 8 世代高帯域幅メモリ HBM5 に使用することを評価しています。HBM5 は約 2029 年に量産される見込みで、HBM4E に比べて動作速度を 50% 以上向上させることを目指しています。業界では、B1b に基づく D0a DRAM は最速で約 2 年後に商用化されると見込まれており、具体的な量産投資スケジュールは来年の中頃に決定される可能性があります。

Money Todayの9月21日の報道によると、サムスン電子はHBM市場の成長に伴い、ウェハー代工の先進プロセス能力の拡張を進めており、HBM4基座チップの需要増加に対応するために4nmプロセスの増産を検討しています。サムスンのHBM4は、10nm世代の6世代（1c）DRAMコアチップと4nmロジック基座チップで構成されており、基座チップはGPUなどのAIアクセラレーターとの高速データ交換を担当しています。SKハイニックスがTSMCの12nmを採用しているのとは異なり、サムスンはHBM4基座チップに自社の4nmプロセスを使用しています。この生産ラインはフル稼働しており、NVIDIAのGroq 3 LPUなどの注文を受けています。最近、会社は4nmの新しい注文とHBM4基座チップの価格を引き上げました。サムスンは第3四半期のHBM4の収益が前四半期比で3倍以上増加すると予想しており、下半期のHBM収益におけるHBM4の割合は60%以上になる見込みです。平沢P4の追加増産の大部分はHBM用の1c DRAMに使用され、ウェハー代工の4nm能力の半分以上がHBM4基座チップに割り当てられています。HBM4Eも同様に4nm基座チップを採用しており、サムスンは5月に顧客にサンプルを提供しました。会社はまた、HBM5のために2nmの新しい生産ラインを構築することを検討しており、GAA構造の2nmプロセスを目指し、TSV密度を向上させ、HBM4Eに比べて動作速度を50%以上向上させることを目指しています。サムスンは昨年の下半期に2nmの第一世代量産を開始し、今年の下半期には第二世代製品を推進します。シティは来年の世界のHBMビット需要が752億Gbに達し、前年比62%増加すると予測しており、供給は約594億Gb、ギャップは約21%になるとしています。

ソウル経済の報道によると、サムスン電子は来年、第6世代の高帯域幅メモリHBM4と第7世代のHBM4EなどのHBM4シリーズの生産量を今年の少なくとも2倍以上に拡大する計画です。同社は、HBM用DRAMの薄型加工に必要なガラス基板の外部洗浄量を、今年の月間2万枚から来年の月間5万枚に増やし、今年に比べて2.5倍増加させる予定です。昨年のこの基板の月間需要は約1万枚で、今年は昨年の2倍に増加しています。サムスン電子が重点的に増産するHBM4とHBM4Eは、12層以上の高積層製品が主です。同社は今年の2月に第6世代10nm（1c）DRAMと4nmプロセス基板チップを使用したHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAなどの顧客にHBM4Eの12層サンプルを提供しました。業界では、月平均のウェハ投入量で、サムスン電子のHBM生産能力が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加し、増加率は約40%になると予想されています。HBM4シリーズの出荷割合は、今年の約40%から来年の約80%に上昇する見込みです。

三星電子は先月、前財政経済部外貨制度課長の李熙坤をIRチームの常務に採用しました。李熙坤は外貨制度課長、資金市場政策課長などを務め、外貨制度および海外投資への対応を担当していました。今年4月には韓国を世界国債指数に組み入れる作業に参加し、特別表彰を受けました。今後は海外投資家およびグローバル資本市場への対応を担当する予定です。SKハイニックスは先月、前財政経済部戦略経済総括課長の鄭汝珍を広報総括の下の副社長に採用しました。鄭汝珍は気候環境予算課長、経済副総理秘書官、外貨制度課長、外貨資金課長などを務めていました。両社はアメリカでの生産投資を進めており、三星電子はテキサス州タイラーに370億ドルを投資してウェハー受託製造工場を建設する計画で、SKハイニックスはインディアナ州に40億ドルを投資して先進パッケージ工場を建設する計画です。

朝鮮日報の9月15日の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスの第3四半期の営業利益のコンセンサスが3ヶ月以内に再度引き上げられました。主要な証券会社と海外投資銀行の報告を総合すると、サムスン電子の第3四半期の営業利益は約114兆ウォンと予測され、3ヶ月前の101.9052兆ウォンから12.2836兆ウォン（12%）引き上げられ、第二四半期の89.4兆ウォンからは28%の増加となります。SKハイニックスの第3四半期の予測は78.8035兆ウォンで、3ヶ月前の75.7249兆ウォンから4%引き上げられ、第二四半期の60.5426兆ウォンからは30%の増加です。TrendForceは第3四半期の一般的なDRAMの固定取引価格が前四半期比で13%から18%上昇し、NANDフラッシュが10%から15%上昇すると予測しています。証券界はサムスン電子のHBM4の収益占有率が第一四半期の5%から第二四半期の約35%に拡大し、良品率が改善していることに注目しています。SKハイニックスはHBM市場シェアの第一位を維持していますが、サムスンのHBM4の量産改善がその供給プレミアムを希薄化する可能性があります。シティグループ証券はウォン高の影響でSKハイニックスの第3四半期の営業利益予測を76.7兆ウォンから74兆ウォンに引き下げました。マイクロンは30日に2026会計年度第4四半期（6月から8月）の業績を発表し、収益のガイダンスは490億から510億ドルです。

韓国中央銀行が最近発表した『2026年9月貨幣信用政策報告』の中で、今年以来の韓国総合株価指数（KOSPI）の変動理由を振り返りました。報告によると、KOSPIが上昇するにつれて、サムスン電子とSKハイニックスの指数上昇への寄与率が急速に高まっています。特に、KOSPIが今年の6月に8000ポイントから9000ポイントに上昇する過程で、これら2銘柄の指数上昇への寄与率は99%に達しました。

The Bellの報道によると、サムスン電子の受託製造部門は、アプリケーションプロセッサの受託生産契約について、製造単価の相違により遅延しており、双方は価格差を縮小できず、交渉が長引いている。技術面では重大な問題は発生しておらず、現在議論されている2ナノメートルプロセスは、相当程度の安定化評価を得ている。業界の情報によれば、サムスンの2ナノメートルプロセスを採用した高通のAP受託生産は来年に延期される可能性があり、年内に生産を開始できるかどうかも不明である。高通は2021年以前に先進的なAPをサムスンに受託させていたが、サムスンは近年このビジネスを再び獲得しようとし、テスラやブロードコムなどの顧客を次々と獲得している。事情に詳しい関係者によると、契約の遅延によりサムスンが年内に高通のAPを生産することが困難になり、双方は次世代製品について再度議論する可能性がある。サムスンは戦略的顧客を獲得した後、以前のように低価格の注文を受け入れなくなった。

科創板日報によると、サムスン電子は初のディスプレイ付きAIメガネの開発に着手した。この製品は音声機能を提供するだけでなく、レンズ上にカラー視覚情報を表示し、Meta Ray-Ban Displayスマートメガネに似ている。業界関係者によると、サムスン電子はAIメガネ用に0.2インチまたはそれ以下の超小型スクリーンの開発を検討しており、先月その開発タスクをサムスンディスプレイに委託し、製品の外形寸法、情報表示面積、色、価格などに関する要求を提示した。サムスン電子は現在、OLEDoSやLEDoSなどの候補パネル方案の評価を行っており、業界ではこの製品が2027年下半期または2028年上半期に発売されると予想されている。現在、このメガネの具体的な詳細は決まっていない。色彩表示に関して、サムスン電子は4ビットカラーの制限されたグレースケールを採用する予定であり、高解像度スクリーンではなく、双眼式または単眼式デザインの採用もまだ決定していない。業界関係者は、RGB OLEDoSが価格と歩留まりの面で課題に直面しており、白色OLEDoSパネルが登場する可能性が高いと述べている。サムスンは以前、ディスプレイのないAIメガネを発表しており、サムスン電子、グーグル、Gentle Monster、Warby Parkerが共同開発した。

9月8日、韓国株の半導体関連株は上下に変動し、関連資産市場の取引は活発に推移しています。Gateプラットフォームのデータによると、SKハイニックス（000660）は現在1,332.38ドルで、24時間の上昇率は0.56%です；サムスン電子（005930）は現在200.26ドルで、24時間の下落率は0.18%です。CoinGlassのデータによると、SKHYNIXとSAMSUNGの契約市場はどちらも高い取引活性を示しています。その中で、Gate関連の株式デリバティブ取引が活発です：SKHX契約のポジション額は約1.58億ドルで、全ネットワークで2位、24時間の取引額は約1.77億ドルです；SAMSUNG契約のポジション額は951万ドルに達し、24時間の取引額は1,580万ドルに達し、両項目とも全ネットワークで2位にランクインしています。

フランスの人工知能会社 Mistral AI は、30 億ユーロの D ラウンド資金調達を完了し、投資後の評価額は 210 億ユーロを超えたと発表しました。同社によれば、これはヨーロッパのテクノロジー企業にとってこれまでで最大の株式資金調達です。サムスン電子が主導し、EQT が管理する Scaleup Europe Fund と既存の投資家 PSG Equity が共同でリードしました。新しい投資家には Advent、ブラックロックが管理するファンドおよび口座、そしてルクセンブルク大公国が含まれます。a16z、ASML、Belfius、BNP Paribas CIB、Bpifrance、Carmignac、DST Global、Eurazeo、General Catalyst、Headline、Hillspire、Index Ventures、Korelya Capital、Lightspeed、英偉達、Phoenix Court の Solar Fund（LocalGlobe、Latitude、Solar を含む）および Salesforce Ventures などの既存の投資家も引き続き参加しています。資金は最前線のモデル研究、計算能力とインフラの拡張、商業化および国際市場の開拓に使用されます。Mistral AI は現在、20 カ国で事業を展開し、Airbus、ASML、HSBC を含む 125 社以上の企業にサービスを提供しています。

韓国メディアのGreen.krによると、サムスン電子はArmと共同でエッジAIチップの共同研究開発を正式に開始しました。Armは8月末に次世代エッジAI SoCチップの開発に向けた一時的な工事費用を承認し、サムスン電子と正式にこのプロジェクトを開始しました。このプロジェクトは、Armが提供するコア技術を基にサムスン電子が統合して実現する協力モデルを採用しており、最終顧客向けにカスタマイズされたチップを共同で開発することを目的としています。

韓国銀行は、サムスン電子とSKハイニックスが国内生産施設の積極的な拡張を行っているおかげで、韓国のメモリーチップの生産能力における優位性がさらに拡大すると予測しています。韓国銀行は、2028年に稼働予定の新しいチップ工場が韓国の月間ウェーハ生産能力を約60万枚増加させると予測しています。

今日、日本の株式市場では半導体関連株が圧力を受けて下落し、関連資産市場の取引は依然として活発です。Gateプラットフォームのデータによると、SKハイニックス（000660）は現在1,175.12ドルで、24時間の下落幅は2.11%です；サムスン電子（005930）は現在183.02ドルで、24時間の下落幅は1.94%です。CoinGlassのデータによると、SKHYNIXとSAMSUNGの契約市場は活発で、2つの対象契約のポジション量はそれぞれ4.03%と7.30%増加し、契約の取引額はそれぞれ451.63%と1069.65%増加しました。Gateの関連株式デリバティブでは、SKHX契約のポジション額は1.80億ドルに達し、全ネットで2位、24時間の取引額は1.80億ドルに達しました；SAMSUNG契約のポジション額は814万ドルで、全ネットで2位、24時間の取引額は594万ドルに達しました。

8月20日、韓国経済新聞によると、サムスン電子は今月、約150兆ウォンの株主還元策を発表する予定で、以前のメディア報道の100兆ウォンを上回る見込みです。株式の自社買い戻しや特別配当などの措置が含まれると予想されており、その規模は韓国上場企業の歴史的な新記録を更新する可能性があります。業界関係者によると、サムスン電子は今月、取締役会を開催して関連策を審議する計画です。以前、市場では還元規模が最大200兆ウォンに達する可能性があると予想されていましたが、会社が自由現金流（FCF）の50%を株主還元に使用するという基本原則を考慮すると、最終的な規模は150兆ウォンから160兆ウォンの間になると見込まれています。サムスン電子の幹部は、メモリーチップ業界の回復に伴い、同社のキャッシュ創出能力が大幅に改善されたと述べています。証券会社は、サムスン電子の今年の年間自由現金流は約263兆ウォンになると予測しており、2024年から2026年の株主還元政策期間中の累積自由現金流は約319兆ウォンになると見込まれています。50%の還元比率で計算すると、総還元資金は約160兆ウォンとなり、すでに実行されたおよび計画された39.1兆ウォンを差し引くと、残りの資金は約120兆ウォンに近づくとされています。市場は、サムスン電子が残りの資金を利用して、毎年1株あたり1,668ウォンの通常配当を維持するだけでなく、大規模な特別配当を追加し、大規模な株式の買い戻しを進める可能性があると予想しています。業界関係者は、SKハイニックスに続いてサムスン電子も大規模な株主還元計画を発表することで、韓国株式市場の評価を押し上げる重要な要因となる可能性があると述べています。

ZDNet Koreaの報道によると、サムスン電子はアメリカでの先端ウェーハ受託生産能力の拡大を加速しています。会社は今年の年末にテキサス州テイラーのウェーハ工場の第2期建設を開始する計画で、2030年の量産を目指しており、主要な設備パートナーに対してSEMI認証を早期に取得するよう要求しています。SEMI認証は半導体設備の安全性を評価する基準であり、通常は設備の輸出前に必要な手続きです。テイラーウェーハ工場はサムスンの最先端受託生産の任務を担っています。第1期は現在、設備の搬入と設置が進行中で、今年の年末に稼働を目指しています。主な量産プロセスは2ナノメートルで、テスラが主要顧客と見なされています。サムスンは先月の第2四半期の業績電話会議で、顧客の需要の増加に迅速に対応するため、テイラー第2期は今年の年末に着工すると述べました。業界関係者によると、具体的な仕様はまだ最終決定されていないものの、サムスンの受託事業は関連準備を前倒しで進めています。以前、サムスンは顧客不足と市場の低迷によりテイラー第1期の投資を何度も延期していましたが、テスラが昨年の第3四半期に約22.76兆ウォンの受託契約を結んだ後、建設が加速しました。第2期の実際の量産のペースは、テスラへの供給の拡大や新たな大口顧客の進展に依存することになります。また、サムスンE&Aは地元に数十名の建設要員を派遣することを検討しているとの情報もあります。

Gateの市場データによると、サムスン電子の株価上昇幅が10%に拡大し、同社が1兆ウォンの株主還元計画を発表するとの報道があります。