hbm

Công ty chứng khoán Hàn Quốc KB Securities cảnh báo rằng tồn kho bán dẫn lưu trữ của Samsung Electronics và SK Hynix đã giảm xuống dưới 10 ngày cung cấp, và nguồn cung có sẵn vào năm tới sẽ rõ ràng không đủ. Cơ quan này đã báo cáo vào thứ Hai rằng đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo đang mở rộng với tốc độ chưa từng có, thị trường chip lưu trữ đang đối mặt với tình trạng thiếu hụt nghiêm trọng. Yếu tố chính là việc chuyển đổi sang HBM4, cần khoảng ba lần wafer so với DRAM truyền thống, và công suất wafer hạn chế sẽ giảm khả năng cung cấp DRAM truyền thống.KB Securities dự đoán rằng nhu cầu DRAM và NAND vào năm tới sẽ vượt quá cung cấp hơn 10%. Giám đốc nghiên cứu Kim Dong-won cho biết, máy chủ trí tuệ nhân tạo sẽ tiêu thụ HBM, DDR5 máy chủ và ổ cứng thể rắn cấp doanh nghiệp, có thể dẫn đến tình trạng thiếu hụt lịch sử. Các nhà điều hành trung tâm dữ liệu siêu lớn toàn cầu đã điều chỉnh dự báo đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo lên 1,3 nghìn tỷ USD vào năm tới, tăng 60% so với năm trước. Cơ quan này dự đoán rằng vào năm tới, bán dẫn lưu trữ sẽ chiếm 57% tổng đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo, cao hơn so với 14% của năm trước, TrendForce dự đoán tỷ lệ này có thể lên tới 68%. Giá cổ phiếu của Samsung Electronics đã giảm gần 28% so với mức cao nhất, trong khi SK Hynix giảm gần 40%.

Theo nghiên cứu mới nhất của TrendForce về ngành công nghiệp bộ nhớ, vào quý 2 năm 2026, giá hợp đồng của DRAM thông thường (Conventional DRAM) tăng mạnh, đẩy doanh thu toàn ngành DRAM tăng 59,5% theo quý, gần 154,73 tỷ USD.Với việc đào tạo mô hình LLM và nhu cầu máy chủ AI do AI suy diễn thúc đẩy, HBM3e, LPDDR5X và RDIMM dung lượng cao đồng thời tăng trưởng về lượng xuất xưởng, ứng dụng AI Agentic đã thúc đẩy việc tiêu thụ RDIMM ở các thông số dung lượng khác nhau. Về phía cung, tồn kho của nhà sản xuất đang ở mức thấp nhất, và nguồn cung mới ưu tiên đáp ứng nhu cầu ứng dụng máy chủ, lượng xuất xưởng DRAM tổng thể trong quý 2 tăng nhẹ.

Bộ phận gia công wafer của Samsung Electronics gần đây đã vượt qua 50% tỷ lệ sản xuất chip nền cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 trong quy trình 4 nanomet. Ngành công nghiệp cho biết, bộ phận này sẽ đưa hơn một nửa wafer 4 nanomet vào sản xuất chip nền HBM4 trong nửa cuối năm nay, nhằm mở rộng cung cấp cho NVIDIA, Broadcom, AMD và các công ty khác.Samsung đã khởi động sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay và dự kiến sẽ mở rộng lượng cung cấp từ quý ba, đồng thời tăng đáng kể lượng wafer liên quan từ giữa năm. Chip này dựa trên quy trình 4 nanomet (SF4) của Samsung. Tính đến tháng trước, hơn 50% tổng công suất 4 nanomet của họ đã được phân bổ cho chip nền HBM4. Các nguồn tin cho biết, Samsung hiện đang hoạt động hết công suất 4 nanomet, trong đó chip nền HBM4 chiếm khoảng 50% đến 60%, và tỷ lệ cao này sẽ được duy trì trong nửa cuối năm.Samsung đang sản xuất hàng loạt quy trình từ 4 đến 7 nanomet tại nhà máy Pyeongtaek 2 và 3, trong đó công suất 4 nanomet khoảng 30.000 wafer mỗi tháng, từ đó ước tính rằng lượng wafer liên quan đến chip nền HBM4 khoảng 15.000 wafer mỗi tháng. Trong cuộc gọi hội nghị về kết quả quý hai, Samsung cho biết dự kiến doanh thu HBM4 trong quý ba sẽ tăng gấp ba lần so với quý trước, và doanh thu HBM4 trong nửa cuối năm sẽ vượt quá 60% doanh thu HBM tổng thể của công ty.

Nhà phân tích chứng khoán Kim Young-gun của Future Asset cho biết, sự mở rộng lượng hàng HBM của Samsung Electronics hướng tới ứng dụng AI dự kiến sẽ bù đắp cho tác động của việc tăng trưởng chip lưu trữ chung chậm lại vào năm tới. Dự kiến, lượng hàng HBM của Samsung Electronics vào năm 2027 và giá bán trung bình sẽ lần lượt tăng vọt 57% và 49%, có khả năng vượt qua mức tăng trưởng dự kiến 16% và 20% của chip lưu trữ chung.Future Asset dự đoán lợi nhuận của Samsung sẽ bị ảnh hưởng bởi sự mạnh lên của đồng won Hàn Quốc so với đô la Mỹ, nhưng tổng thể vẫn sẽ giữ vững. Cơ quan này đã điều chỉnh dự báo lợi nhuận hoạt động của Samsung năm 2026 giảm 5,7% xuống 370.057 triệu won Hàn Quốc, và giảm 4,2% xuống 535.682 triệu won Hàn Quốc vào năm 2027.

Nghiên cứu viên Schulz_Research đã công bố rằng, việc phát triển lưu trữ của Trung Quốc không còn là câu chuyện của một công ty đơn lẻ, mà là sự phân công giữa ba công ty: CXMT chịu trách nhiệm về wafer DRAM, YMTC chịu trách nhiệm về NAND và đã thêm DRAM vào nhà máy mới nhất, nhà máy gia công XMC do YMTC kiểm soát chịu trách nhiệm về việc xếp chồng sản phẩm của cả hai. Sự phân công này tương ứng với quy định của Bắc Kinh từ cuối tháng 12 năm ngoái, tức là nhà máy mới được phê duyệt phải mua sắm thiết bị với ít nhất một nửa là sản phẩm nội địa, chỉ được miễn trừ khi không có lựa chọn nội địa. Dự án lưu trữ tiên tiến YMTC giai đoạn ba tại Vũ Hán là dự án đầu tiên vượt qua quy định này và sẽ bắt đầu sản xuất vào cuối năm nay.CXMT vận hành ba nhà máy DRAM 300mm, mỗi nhà máy khoảng 100.000 wafer mỗi tháng; mô hình cho thấy đến cuối năm 2026 sẽ đạt 350.000 wafer, nếu tất cả các dự án đã công bố hoàn thành, tổng sản lượng sẽ vượt quá 600.000 wafer. Hai nhà máy đầu tiên của YMTC tại Vũ Hán tổng cộng 200.000 wafer, giai đoạn ba sẽ đạt 50.000 wafer vào năm 2027, và đạt công suất tối đa 100.000 wafer, đồng thời dự kiến xây thêm hai nhà máy có quy mô tương đương. Hai nhà máy 12 inch của XMC mỗi nhà máy khoảng 30.000 wafer, còn có dây chuyền đóng gói HBM khoảng 3.000 wafer mỗi tháng. Trung Quốc cung cấp khoảng 10% bit DRAM toàn cầu, YMTC chiếm 14% lượng xuất khẩu bit NAND trong quý hai, và tiêu thụ lưu trữ toàn cầu của Trung Quốc khoảng 30%.CXMT đã sản xuất hàng loạt DDR5 và LPDDR5, dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM3 trong năm nay và đã gửi mẫu cho các nhà phát triển phần cứng AI trong nước. XMC đã mất hai năm để xây dựng đóng gói HBM dựa trên liên kết hỗn hợp và IP xếp chồng của YMTC, vẫn đang tiếp tục thúc đẩy quy trình TSV.

Theo báo cáo của nhật báo Triều Tiên vào ngày 7 tháng 9, SK Hynix đang tăng tốc nâng cao tỷ lệ sản xuất DRAM thế hệ thứ sáu (1c) 10 nanomet. Dữ liệu trong ngành cho thấy, tỷ lệ DRAM 1c của họ đã tăng từ khoảng 10% trong quý đầu năm lên khoảng 13% trong quý hai, và dự kiến sẽ đạt khoảng 24% trong quý ba, khoảng 34% trong quý bốn; quý đầu năm sau có thể tăng lên khoảng 35%, lần đầu tiên vượt qua 1b (khoảng 33%) và trở thành quy trình chính. Tỷ lệ DRAM 1b (thế hệ thứ năm 10 nanomet) đã đạt đỉnh khoảng 43% trong quý hai năm nay và sau đó bắt đầu giảm.Cuối quý hai, tỷ lệ 1c của Samsung Electronics khoảng 16%, Micron khoảng 19%, đều cao hơn khoảng 13% của SK Hynix. Báo cáo cho biết, SK Hynix sẽ tăng tốc chuyển đổi trong nửa sau năm nay, quý bốn có thể vượt qua khoảng 34% của Samsung Electronics khoảng 31%. SK Hynix đã cho biết trong cuộc gọi hội nghị kết quả quý hai rằng, việc cung cấp DRAM sử dụng quy trình 1c đã bắt đầu thực sự từ quý hai, nửa sau năm nay sẽ tăng trưởng cùng với việc tăng sản lượng HBM4 và xuất khẩu DRAM 1c, tỷ lệ tăng trưởng bit cao hơn so với nửa đầu năm.Samsung Electronics đã sử dụng DRAM 1c từ HBM4, với tốc độ hoạt động khoảng 11.7Gbps; SK Hynix trước đó đã ưu tiên đảm bảo tính ổn định sản xuất hàng loạt với DRAM 1b đã được xác nhận và gói MR-MUF tiên tiến, từ thế hệ HBM4E tiếp theo sẽ lần đầu tiên sử dụng DRAM 1c làm chip lõi HBM. Counterpoint Research và các tổ chức khác dự đoán, trong năm nay, thị phần HBM4 của Nvidia, Google, AMD tổng hợp dưới quy mô khoảng 50% giữa SK Hynix, 20% cuối của Samsung Electronics, và 10% cuối của Micron.

Theo tin tức điện tử ngày 3 tháng 9, Micron dự định sẽ mở rộng công suất bộ nhớ băng thông cao HBM gấp đôi so với năm ngoái, với tối đa 60.000 wafer mới mỗi tháng trước cuối năm nay. Những người có thông tin cho biết, sản lượng HBM của Micron khoảng 40.000 đến 50.000 wafer mỗi tháng vào năm ngoái, và dự kiến sẽ đạt khoảng 100.000 wafer mỗi tháng vào cuối năm, nhằm thu hẹp khoảng cách với Samsung Electronics và SK Hynix.Micron đang tăng cường đơn hàng mua sắm từ nhiều nhà cung cấp thiết bị HBM, với các cơ sở sản xuất chủ yếu tại các nhà máy wafer ở Đài Loan và Singapore, liên tục đưa vào thiết bị. Hiện tại, sản lượng chủ yếu là HBM3E 12 lớp, đầu năm nay HBM4 12 lớp chiếm khoảng 20% đến 30%, và có thể tăng lên tối đa 50% vào cuối năm. HBM4 12 lớp sẽ được sử dụng cho bộ tăng tốc AI mới nhất của NVIDIA, Vera Rubin, Micron đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm này từ quý 2 năm nay.CEO của Micron, Mehrotra, đã phát biểu trong cuộc họp kết quả quý 3 tài chính năm 2026 vào tháng 6 năm nay rằng, tốc độ sản xuất hàng loạt HBM4 12 lớp nhanh gấp đôi so với HBM3E 12 lớp, doanh thu từ HBM4 đã vượt quá 1 tỷ USD. Ngành công nghiệp cho rằng công suất HBM của Samsung và SK Hynix mỗi bên khoảng 150.000 đến 200.000 wafer mỗi tháng. Dữ liệu từ Counterpoint cho thấy, trong quý 2 năm nay, thị phần HBM toàn cầu là SK Hynix 50%, Samsung 32%, Micron 18%. Micron cũng đang chuẩn bị đầu tư liên quan tại Hiroshima, Nhật Bản.

Theo thông tin từ ngành vật liệu, vào ngày 2 tháng 9, TSMC dự kiến sẽ tiếp tục sử dụng công nghệ vi chóp truyền thống trong thời gian ngắn thay vì liên kết hỗn hợp, để kết nối bộ nhớ băng thông cao HBM với bộ tăng tốc AI trong các gói tiên tiến. Xét đến chu kỳ phát triển vật liệu liên quan, vi chóp với khoảng cách nhỏ hơn dự kiến sẽ được sử dụng cho đến giai đoạn cuối của HBM4 và giai đoạn đầu của HBM5. TSMC đã yêu cầu các đối tác vật liệu và thiết bị phát triển giải pháp liên kết và lấp đầy đáy cho chóp khoảng 5 micromet, các nhà cung cấp Hàn Quốc và Nhật Bản đã bắt đầu phát triển, sản xuất hàng loạt chóp 5μm dự kiến sẽ bắt đầu vào nửa cuối năm 2028.Hiện tại, chiều cao chóp của HBM thế hệ thứ ba, tức HBM3E, khoảng 15--25μm, HBM4 gần khoảng 10μm. Các nhà cung cấp vật liệu Nhật Bản trước đó đã cho biết khó đảm bảo chất lượng dưới 15μm. Việc rút ngắn và tinh chỉnh chóp là do giới hạn chiều cao của khối HBM và nhu cầu về mật độ kết nối cao hơn. JEDEC quy định chiều cao tối đa của chồng HBM là 775μm. Trong gói CoWoS tiên tiến của TSMC, các chồng HBM đã được lắp ráp bởi nhà cung cấp GPU và bộ nhớ được lắp đặt vào lớp trung gian silicon thông qua vi chóp, chồng 16 lớp DRAM được hoàn thành trong gói HBM bởi SK hynix và Samsung Electronics.Thế hệ đầu tiên và thứ hai của HBM sử dụng chóp hàn lớn hơn, vi chóp đã trở thành xu hướng chính khoảng thế hệ HBM3. SK hynix sử dụng quy trình MR-MUF, Samsung Electronics sử dụng TC-NCF. Liên kết hỗn hợp có thể đạt được kết nối mỏng hơn và dày hơn thông qua việc liên kết trực tiếp các pad đồng, TSMC đã sử dụng trên nền tảng SoIC cho chồng chip logic, nhưng HBM vẫn được kết nối với lớp trung gian bằng vi chóp.

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của tờ "Seoul Economic" Hàn Quốc vào ngày 31 tháng 8, giá HBM và DRAM mà AI tăng tốc sử dụng tiếp tục tăng cao. Dữ liệu từ Hiệp hội Thương mại Hàn Quốc cho thấy, lượng xuất khẩu DRAM giảm từ khoảng 681.7 triệu chiếc vào tháng 5 xuống còn 591.74 triệu chiếc vào tháng 7, giảm 13.2%, trong khi giá trị xuất khẩu tăng từ 11.428 tỷ USD lên 13.552 tỷ USD, tăng 18.5%, giá xuất khẩu đơn vị tăng từ 16.76 USD lên 22.9 USD, tăng 36.6%.HBM4 cung cấp cho khách hàng như Nvidia được mở rộng, và tỷ lệ sản xuất ban đầu thấp hơn HBM3E, làm trầm trọng thêm tình trạng thiếu hụt cung DRAM tổng thể. Bộ phận bộ nhớ của Samsung Electronics được cho là sẽ phân bổ khoảng 70% công suất cho các hợp đồng cung cấp dài hạn đến năm 2031, với các đối tượng chính bao gồm Nvidia, Microsoft, Google. Dữ liệu từ Mega Grid Supply cho thấy, giá HBM3E 36GB trên thị trường giao ngay là 2100 USD, gấp 4 đến 5 lần giá hợp đồng dài hạn; giá HBM4 16 lớp đang được sản xuất hàng loạt khoảng 3500 USD.Ngành đầu tư tài chính dự đoán doanh thu quý 3 của Samsung Electronics đạt 206.64 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động đạt 116.38 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động sẽ lần đầu tiên vượt qua 100 triệu tỷ won Hàn Quốc. Doanh thu quý 3 của SK Hynix dự kiến đạt 101.76 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động 79.16 triệu tỷ won Hàn Quốc. Samsung Electronics đang xem xét việc chuyển đổi dây chuyền sản xuất wafer duy nhất S5 tại khu vực Pyeongtaek sang sản xuất bộ nhớ sớm nhất vào năm sau.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo chí Hàn Quốc, Samsung Electronics đang phối hợp với Nvidia (NVDA.O) yêu cầu phát triển bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ bảy (HBM4E) với 8 lớp, giảm đáng kể chiều cao xếp chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp. Thông số tốc độ mà Nvidia đề xuất là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E 14.4Gbps ban đầu của Samsung. Sản phẩm này được báo cáo sẽ được sử dụng cho NVHBM.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo phân tích của nhà phân tích Citrini Jukan, SK Hynix đang nỗ lực đa dạng hóa nhà cung cấp xưởng gia công cho các chip nền tảng được sử dụng trong bộ nhớ băng thông cao (HBM), những HBM này được xây dựng bằng cách xếp chồng nhiều chip nhớ theo chiều dọc. Được biết, công ty đang xem xét việc thuê ngoài sản xuất một phần chip nền tảng của HBM thế hệ thứ bảy, tức HBM4E, cho các nhà máy gia công của Intel. Đến nay, SK Hynix hoàn toàn phụ thuộc vào TSMC để thuê ngoài sản xuất chip nền tảng.Hành động này được coi là nỗ lực xây dựng chiến lược đa nhà cung cấp để giảm độ tập trung của chuỗi cung ứng vào TSMC, đồng thời tăng cường khả năng thương lượng về giá của SK Hynix. Theo thông tin từ các nguồn trong ngành vào ngày 31 tháng 8, SK Hynix đang thúc đẩy một kế hoạch, theo đó chip nền tảng của HBM4E có thể được sản xuất chung bởi TSMC và Intel, có thể bắt đầu từ thế hệ HBM4E.Do thị trường dự đoán rằng gánh nặng chi phí của chip nền tảng HBM4E sẽ tăng thêm. Vì sản phẩm HBM chủ yếu được bảo vệ bởi các hợp đồng cung cấp dài hạn (LTA), SK Hynix cũng khó có thể ngay lập tức chuyển giao chi phí gia công cao hơn cho khách hàng bằng cách tăng giá sản phẩm. Do đó, các nhà quan sát trong ngành cho rằng nếu Intel cuối cùng tham gia vào chuỗi cung ứng chip nền tảng của SK Hynix, công ty sẽ có nhiều lựa chọn hơn về khả năng cạnh tranh chi phí và tính ổn định của nguồn cung.

Tin tức từ ChainCatcher, SemiAnalysis đã phát hành tập podcast mới nhất, trong đó chỉ ra rằng SK Hynix và Micron đang gặp khó khăn trong việc đạt được tốc độ HBM4 cao nhất. Đặc biệt, SK Hynix đã phải thiết kế lại chip nền của mình, dẫn đến việc giao hàng HBM4 cho nền tảng NVIDIA Rubin bị trì hoãn.Samsung hiện đang sở hữu công nghệ HBM4 tốt nhất. Broadcom truyền thống phụ thuộc rất nhiều vào Samsung để cung cấp HBM. Hiệu suất của Samsung trong thế hệ HBM3E không tốt, điều này đã tạo ra bất lợi cho ASIC của Broadcom. Tuy nhiên, hiện tại Samsung đang dẫn đầu đối thủ của mình với HBM4, mối quan hệ chuỗi cung ứng tương tự đã trở thành lợi thế của Jalapeño.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics đang phát triển sản phẩm HBM4E (thế hệ thứ bảy) 8 lớp phù hợp với yêu cầu của NVIDIA, nhằm chiếm lĩnh vị trí đối tác cung cấp bộ nhớ băng thông cao tùy chỉnh NVHBM. Sản phẩm này giảm chiều cao chồng so với kế hoạch ban đầu là 12 lớp và 16 lớp, với thông số tốc độ do NVIDIA đưa ra là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E ban đầu của Samsung (14.4Gbps), sẽ được sử dụng cho NVHBM theo thông số tối ưu hóa NVLink công khai của NVIDIA.Việc sử dụng 8 lớp trái ngược với logic cạnh tranh HBM trước đây bằng cách tăng số lượng lớp chồng để nâng cao dung lượng, có thể giảm độ khó trong quy trình sản xuất và áp lực về tỷ lệ sản phẩm đạt yêu cầu, thuận lợi cho việc mở rộng cung cấp, được coi là chiến lược của NVIDIA để giảm bớt tình trạng thiếu hụt bộ nhớ. NVHBM dự kiến sẽ được áp dụng từ thế hệ GPU AI "Rubin Ultra" ra mắt vào năm tới, GPU này sẽ mở rộng quy mô kết nối giữa các GPU từ 72 lên 576, thông qua việc trang bị hàng trăm GPU với HBM nhanh hơn để nâng cao tổng thể sức mạnh tính toán.Trong thị trường HBM tùy chỉnh, Samsung có lợi thế cạnh tranh hơn so với SK Hynix và Micron, vì NVHBM cần khả năng thiết kế và sản xuất chip bare die dựa trên DRAM và chip logic, Samsung có thể đáp ứng tích hợp. Các chuyên gia trong ngành cho biết, Samsung đã xác nhận tốc độ ở mức cao nhất trong ngành với HBM4, có thể phát huy lợi thế trong cuộc cạnh tranh về tốc độ.

Tin tức từ ChainCatcher, Giám đốc điều hành SK Hynix, Kwak Noh-Jung cho biết, công ty đang nghiên cứu cách thức hợp tác sâu sắc hơn với khách hàng và nhà cung cấp chip lưu trữ Nhật Bản, đồng thời đánh giá cẩn thận cách phát triển chung thị trường NAND flash. Về quyền lợi gián tiếp quan trọng mà công ty nắm giữ tại Kioxia, ông cho biết hiện tại "không có kế hoạch cụ thể nào".Sau khi Toshiba giảm tỷ lệ sở hữu trong tháng này, công cụ đầu tư BCPE Pangea Cayman2 mà SK Hynix nắm giữ đã trở thành cổ đông lớn nhất của Kioxia, với tỷ lệ sở hữu là 14,19%. SK Hynix nắm giữ trái phiếu có thể chuyển đổi thành gần như toàn bộ quyền biểu quyết của công cụ đầu tư này; theo thỏa thuận trước đó, trừ khi có sự đồng ý của Kioxia, quyền biểu quyết của họ không được vượt quá 15% trước năm 2028.Ngoài ra, SK Hynix đang đầu tư hơn 4 tỷ USD để xây dựng nhà máy đóng gói HBM đầu tiên của mình tại bang Indiana, Hoa Kỳ. Phòng sạch của nhà máy dự kiến sẽ đi vào hoạt động vào tháng 10 năm 2028, thế hệ HBM tiếp theo dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2029, và sau khi đi vào hoạt động đầy đủ, dự kiến sẽ tuyển dụng khoảng 1000 người. Công ty cũng đang đánh giá khả năng niêm yết công ty con NAND tại Hoa Kỳ, Solidigm, nhưng vẫn chưa đưa ra quyết định.

Tin tức từ ChainCatcher, các nhà nghiên cứu P Equity Research và SemiAnalysis, bao gồm Nick Doyle, đã thảo luận về bộ nhớ flash băng thông cao HBF tại X Space. Nick cho biết, hiện tại vẫn còn quá sớm để xác định mức chênh lệch chi phí của HBF so với HBM có thể thu hẹp bao nhiêu, dữ liệu hiện có chủ yếu là từ các nhà sản xuất, chẳng hạn như Sandisk cho biết chi phí mỗi bit khoảng một phần tám so với HBM. Tỷ lệ sản xuất, thử nghiệm, v.v. sẽ cải thiện theo quy mô, nhưng chi phí cấu trúc như TSV, xếp chồng và chế độ pSLC sẽ tồn tại vĩnh viễn, độ bền là yếu tố chưa biết chính, nếu hao mòn vượt quá dự kiến sẽ đẩy chi phí lên cao.Ứng dụng của HBF rất hạn chế, chỉ hướng tới suy diễn AI, đặc biệt là các mô hình MoE với batch thấp và ngữ cảnh dài, không phải là sản phẩm thay thế HBM. Mục tiêu băng thông thực tế khoảng 1.6 TB/s, thuộc cấp độ HBM3E, phù hợp cho việc đọc tuần tự để tải trọng số mô hình, phù hợp hơn với nhu cầu dung lượng của một số GPU tại chỗ hoặc doanh nghiệp tư nhân, không phải là các tình huống băng thông quy mô lớn. Độ tin cậy tản nhiệt vẫn chưa được giải quyết, bộ nhớ flash bên cạnh GPU ở nhiệt độ cao sẽ tăng tốc độ suy giảm, các biện pháp giảm thiểu như tách UCIe và làm mới hàng ngày vẫn chưa được xác minh.Về sản xuất, Sandisk/Kioxia có kinh nghiệm về 3D NAND, SK Hynix bổ sung khả năng xếp chồng kiểu HBM, nhưng sản xuất hàng loạt vẫn cần được xác nhận. Nhìn chung, thị trường lưu trữ đang chuyển sang phân khúc chuyên môn hóa theo tầng, tình trạng thiếu hụt NAND dự kiến sẽ kéo dài đến năm 2028, HBF có thể ảnh hưởng thêm đến cung cầu.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo Nikkei Asia, Giám đốc điều hành SK Hynix của Hàn Quốc, Kwak Noh-Jung, cho biết tình trạng thiếu hụt chip lưu trữ toàn cầu dự kiến sẽ kéo dài đến cuối năm 2030, với rủi ro thừa cung thấp. Ông chỉ ra rằng trong thời đại AI, chip lưu trữ không còn chỉ là "hàng hóa thông thường", hiện tại không thấy dấu hiệu thừa cung hay suy thoái trong ngành, nhu cầu từ khách hàng AI vẫn rất mạnh mẽ.SK Hynix là nhà cung cấp chính của Nvidia. Báo cáo cho biết, sau khi nhà máy đóng gói chip HBM đầu tiên của công ty được khởi động tại bang Indiana, Mỹ, họ vẫn giữ thái độ cởi mở đối với việc mở rộng đầu tư tại Mỹ.

Tin tức từ ChainCatcher, Samsung Electronics và SK Hynix dự định tăng cường nguồn cung bộ nhớ HBM4 8 lớp cho Nvidia trong nửa cuối năm nay.Hành động này bị ảnh hưởng bởi chiến lược cung ứng của Nvidia, nhằm đảm bảo nguồn cung bộ nhớ HBM ổn định và đồng thời cân bằng lượng nhiệt phát sinh từ sản phẩm.

ChainCatcher tin tức, theo báo chí Hàn Quốc 《朝鲜日报》 đưa tin, giá xuất khẩu DRAM của Hàn Quốc tiếp tục tăng vọt, sản xuất HBM do AI điều khiển đang gây áp lực lên nguồn cung bộ nhớ thông thường. Dữ liệu cho thấy, từ ngày 1 đến 20 tháng này, giá xuất khẩu DRAM của Hàn Quốc đạt 92,183 USD mỗi kg, tăng 401% so với cùng kỳ năm trước, và tăng khoảng 12,5 lần so với mức thấp vào tháng 1 năm 2023.Goldman Sachs dự đoán rằng khoảng cách cung cấp DRAM sẽ mở rộng từ 5,0% trong năm nay lên 5,9% vào năm tới, và cho rằng HBM cần thiết cho máy chủ AI cũng như DRAM cho máy chủ dung lượng lớn đang hấp thụ năng lực sản xuất hạn chế, dẫn đến nguồn cung DRAM thông thường càng trở nên khan hiếm hơn, tình trạng thiếu hụt có thể kéo dài đến năm 2028. TrendForce dự đoán, đến cuối năm sau, lượng wafer mà Samsung, SK Hynix và Micron sử dụng cho sản xuất HBM sẽ chiếm 30% tổng lượng wafer DRAM, nhưng HBM chỉ chiếm khoảng 13% trong tổng cung bit DRAM thực tế.Các nhà sản xuất bộ nhớ cảnh báo, tình trạng căng thẳng về cung cấp DRAM và NAND do nhu cầu AI thúc đẩy có thể kéo dài đến sau năm 2027. SK Hynix cho biết, từ phía cung cấp, năm 2027 có thể trở thành năm thiếu hụt nghiêm trọng nhất trong lịch sử ngành bộ nhớ.

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của TrendForce, tại Hot Chips 2026, Micron nhấn mạnh rằng sự tiến bộ về sức mạnh tính toán AI nhanh hơn sự nâng cấp lưu trữ, thách thức "bức tường lưu trữ" ngày càng nổi bật. Fellow của Micron, Raghu Sriramaneni, chỉ ra rằng sức mạnh tính toán của bộ tăng tốc AI tăng gấp ba lần khoảng mỗi hai năm, trong khi băng thông HBM tăng chưa đến gấp đôi trong cùng thời gian, khoảng cách này có thể tiếp tục mở rộng. Sự phụ thuộc sâu hơn vào HBM cũng mang lại vấn đề về độ tin cậy, Micron trích dẫn dữ liệu từ Meta Llama 3 cho biết, lỗi HBM chiếm khoảng 17% trong các gián đoạn huấn luyện không mong đợi. Thiết kế mới về tính toán mờ và ranh giới lưu trữ có thể giúp vượt qua các nút thắt.Mở rộng HBM cũng mang lại áp lực về diện tích và cung ứng: thế hệ đóng gói mới nhất tích hợp hai GPU với tám cụm HBM4 12 lớp, lưu trữ chiếm khoảng 90% diện tích bán dẫn, gấp tám lần diện tích mà GPU chiếm; để đạt được dung lượng tương đương với HBM cần ba lần wafer DDR5 DRAM tiêu chuẩn. Quản lý nhiệt cũng trở thành rào cản quan trọng, các giải pháp như làm mát bằng chất lỏng và chip siêu mỏng đang được khám phá.Micron đang thúc đẩy đổi mới trong kết nối, đóng gói và làm mát, bao gồm SerDes và die-to-die PHY tối ưu hóa cho lưu trữ, đóng gói tiên tiến với kích thước lớn hơn SiP và bảng mạch thủy tinh, cũng như làm mát bằng chất lỏng, liên kết hỗn hợp, và đang phát triển liên kết fusion để giảm điện trở nhiệt và nâng cao thông lượng dữ liệu.

Tin tức từ ChainCatcher, nhà đầu tư mạo hiểm Tomasz Tunguz đã chỉ ra rằng, câu chuyện về cơ sở hạ tầng AI giống như một cuộc tiếp sức chậm chạp, các nút thắt lần lượt từ GPU truyền dẫn đến bộ nhớ, CPU và lưu trữ, mỗi giai đoạn sẽ làm đông lạnh chuỗi cung ứng của giai đoạn tiếp theo trong nhiều năm, và khóa chặt chi phí chuẩn cao hơn. Đầu năm 2023, cú sốc từ GPU đã khiến giá thuê H100 vượt quá 9 USD mỗi giờ, lượng máy chủ xuất xưởng giảm 22%; sau đó các nhà sản xuất đã chuyển năng lực sang HBM, giá SSD doanh nghiệp tăng 80% trong một quý, trong khi giá DRAM tăng hơn 60%.Đến cuối năm 2025, khối lượng công việc của các tác nhân thông minh sẽ đẩy tỷ lệ CPU và GPU lên khoảng 1:1, giá trung bình CPU máy chủ tăng 27% so với năm trước; vào năm 2026, gần như toàn bộ công suất HDD sẽ được bán hết trong cả năm. Chi phí xây dựng trung tâm dữ liệu tăng lên khoảng 20 tỷ USD mỗi gigawatt, đơn hàng cho các thiết bị dài hạn như máy biến áp, tuabin đã được đặt đến năm 2029 đến 2031.Tunguz gọi đây là hiệu ứng đuôi dài trong lĩnh vực phần cứng: sự chậm trễ trong sản xuất nhiều năm khiến cú sốc nhu cầu hạ nguồn bị khuếch đại bởi hạ nguồn, khi áp lực ở một nút thắt nào đó được giảm bớt sẽ mất thời gian để truyền dẫn đến giai đoạn tiếp theo, các máy biến áp mở rộng sản xuất, nhà máy wafer NAND và dây chuyền sản xuất tuabin có thể đối mặt với rủi ro dư thừa công suất vào năm 2027 đến 2028.