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ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日報導，三星電子正擴大次世代 NAND 快閃記憶體 zNAND 的應用範圍，並規劃在已公開的 zNAND-O 之外，將產品細分為 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。報導稱，三星電子尚未正式宣布後兩款產品，但業界了解到相關方案已進入初期開發，以對應 AI 基礎設施中客製化儲存需求增加的情況。zNAND-O 面向端側 AI。與傳統引線鍵合不同，該方案通過矽通孔將 NAND 垂直堆疊 4 層或 8 層，縮短數據傳輸路徑，並提升速度與能效。三星電子已於今年 8 月在美國儲存器相關活動中首次公開展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 側重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 數據中心，同樣以垂直堆疊和矽通孔擴大帶寬，業界將其稱為高帶寬快閃記憶體。zNAND-I 側重提升每秒輸入輸出次數，用於 AI 推理中對鍵值快取等小容量臨時數據的頻繁處理。報導同時提到，SK 海力士也在開發 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 產品系列。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，全球儲存器持續嚴重缺貨，AI 及雲端應用推升 DRAM 與 NAND Flash 需求與價格。中國兩大儲存器廠長江儲存與長鑫儲存將打破各占半壁江山的格局。長江儲存跨入 LPDDR5 DRAM 將於 2026 年底試產，長鑫儲存要從 DRAM 搶進 NAND Flash。業界推測兩家最快 2028 年正面交鋒。長江儲存以 Xtacking 技術完成 294 層 3D NAND 開發，三星 2025 年與其達成專利許可協議，從第 10 代 V-NAND 起採用相關專利。長江儲存三期計畫 2026 年底投產，初期約 2.5 萬片 DRAM 產能，2027 年完成爬坡，瞄準 LPDDR5，並規劃後續擴產及 HBM、3D DRAM。長鑫傳出將在北京設置 NAND 研發生產線，估計最快 2028 至 2029 年量產。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士報導，長鑫存儲 CXMT 正準備進入 NAND 閃存芯片市場，將在核心 DRAM 業務之外擴展，並與三星電子、SK 海力士、美光以及長江存儲競爭。長鑫存儲計劃在北京新工廠建立 NAND 閃存研發生產線，並在北京設立包含 NAND 開發項目的研究院。該公司已與客戶討論相關計劃，其中包括一家擬為 AI 系統和超級計算機採購芯片的初創公司。研發線運營或大規模商業製造的時間表尚不明確。全球存儲短缺由 AI 伺服器需求推動，預計至少持續至 2027 年。製造商優先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 產能增加。長鑫存儲 7 月 IPO 募資 579.2 億元人民幣。長江存儲於 2022 年被列入實體清單。

ChainCatcher 消息，据電子新聞 9 月 15 日報導，中國最大 NAND 閃存廠商長江存儲（YMTC）已著手武漢第 3 工廠（FAB3）生產設備連接工作，年底初期投產逐漸可見。中國電子系統工程第二建設有限公司近日就"武漢 YMTC FAB3 二次配管 A 段 B 包工藝設備配管總承包項目"的"氣體 3 段"選定施工企業。該工程將工廠已建氣體、用水等公用設施供應網連接至各生產設備。招標條件要求具備 YMTC 或長鑫存儲相關項目或同等規模 12 英寸半導體工廠施工實績。YMTC 武漢 3 廠預計今年年底初期投產，完全運轉時產能約合 12 英寸晶圓月產 10 萬片。據 Counterpoint Research，YMTC 今年二季度全球 NAND 比特出貨量占比 14%，升至世界第三，三星電子 25% 居首，SK 海力士 22% 居次。

ChainCatcher 消息，界面新聞從產業鏈獨家獲悉，蘋果已接受三星電子 2027 年一季度存儲芯片報價：DRAM 接近 2.0 美元 /Gb，NAND 閃存接近 0.33 美元 /Gb，較今年三季度報價上漲 30%-40%。界面新聞就此消息向蘋果求證，截至發稿暫無回應。

ChainCatcher 消息，市場消息：日本 NAND 巨頭鎧俠控股正考慮在美國上市籌集 100 億美元。該公司正在與美國銀行、高盛和摩根大通進行洽談，以尋求在美國獲得更多流動性。

ChainCatcher 消息，調研機構群智諮詢（Sigmaintell）發布存儲價格風向標顯示，2026 年第三季度，全球存儲市場整體供需依舊緊缺，DRAM（動態隨機存取存儲器）、NAND Flash（閃存）全品類價格維持環比上行，但相較於第二季度的漲價幅度已明顯放緩，部分存儲晶片的環比漲幅已收窄到 10% 以內。

ChainCatcher 消息，SK 海力士首席執行官 Kwak Noh-Jung 表示，公司正在研究深化與日本存儲晶片客戶及供應商合作的方式，並謹慎評估如何共同發展 NAND 閃存市場。對於公司在鋼鐵侠持有的重要間接權益，他表示目前「沒有任何確定計劃」。東芝本月減持後，為 SK 海力士持有相關股份的投資工具 BCPE Pangea Cayman2 已成為鋼鐵侠最大股東，持股比例為 14.19%。SK 海力士持有可轉換為該投資工具幾乎全部投票權的債券；根據此前協議，除非獲得鋼鐵侠同意，其投票權益在 2028 年前不得超過 15%。此外，SK 海力士正投資逾 40 億美元在美國印第安納州建設其首座美國 HBM 封裝基地。工廠潔淨室預計於 2028 年 10 月啟用，下一代 HBM 計劃於 2029 年下半年量產，全面運營後預計將雇用約 1000 人。公司同時仍在評估美國 NAND 子公司 Solidigm 上市的可能性，但尚未作出決定。

ChainCatcher 消息，P Equity Research 與 SemiAnalysis 研究員 Nick Doyle 等在 X Space 討論高帶寬閃存 HBF。Nick 表示，目前判斷 HBF 相對 HBM 的成本溢價能縮小多少仍為時過早，現有數據多為廠商說法，如 Sandisk 稱每比特成本約為 HBM 的八分之一。良率、測試等會隨規模改善，但 TSV、堆疊及 pSLC 模式等結構性成本永久存在，耐久性是關鍵未知數，若磨損超預期將推高成本。HBF 應用場景狹窄，僅面向 AI 推理，尤其是低 batch、長上下文的 MoE 模型，並非 HBM 替代品。實際帶寬目標約 1.6 TB/s，屬 HBM3E 級別，適合順序讀取以加載模型權重，更匹配本地或私有企業少量 GPU 的容量需求，而非超大規模帶寬場景。散熱可靠性尚未解決，閃存在 GPU 旁高溫下會加速劣化，UCIe 分離與每日刷新等緩解措施仍未獲驗證。製造方面，Sandisk/Kioxia 具備 3D NAND 經驗，SK Hynix 補充 HBM 式堆疊能力，但量產仍待證實。整體來看，存儲正轉向分層專業化市場，NAND 短缺預計持續至 2028 年，HBF 可能進一步影響供需。

ChainCatcher 消息，据韓媒 Chosun Biz 報導，SK 海力士 NAND 因舊工藝產線轉換落後，效率差距難縮小。截至今年第二季度，其 176 層產品佔比仍約 50%，三星已完成以 236 層為主力的轉換。Omdia 數據顯示，美光 232 層佔比 53%，YMTC 達 68%。NAND 價格上升週期中，先進工藝佔比高的企業成本與利潤改善更好。SK 海力士（含 Solidigm）NAND 營收份額從去年第四季度 21.4% 降至今年第一季度 16.4%，YMTC 從 11.5% 升至 16.2%。SK 海力士設備投資優先 DRAM 和 HBM，NAND 投資連續三年減少，從 2023 年 35 億美元降至 2025 年 29 億美元，拖慢轉換。目前正考慮對舊舊 NAND 資產減值以優化成本。

ChainCatcher 消息，据日經亞洲報導，儲存晶片製造商鋼俠控股（Kioxia Holdings）計劃在其日本北部工廠新建生產設施，項目投資預計將超過 1 萬億日元（約 62.7 億美元）。鋼俠目前在全球 NAND 快閃記憶體市場中排名第三，僅次於三星電子和 SK 海力士。該公司此舉旨在跟隨韓國競爭對手提升產能，以應對市場需求。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 報導，長鑫存儲與長江存儲持續擴張，近期蘋果積極尋求導入兩家中系記憶體供應鏈，外界關注其打入蘋果供應體系。業界透露，兩家廠商實則借蘋果證明中國 DRAM 及 NAND Flash 品質已達國際水準，檯面下則透過第三方組裝，輾轉外銷北美新雲端（neocloud）業者，擴大雲端與企業級市佔。長鑫存儲母公司長鑫科技已完成人民幣 295 億元募資，長江存儲擬 IPO 募資約 330 億元，用於量產線升級與研發。長江存儲 2024 年已轉盈，2026 年第一季歸母淨利達 333.79 億元；其三期新廠將提前至 2026 年第四季投產，總產能每月 10 萬片，其中約 20% 試產 LPDDR，成為其首個 DRAM 據點。供應鏈稱，兩家最快有望在 2027 年底至 2028 年將中國本土記憶體自給率提升至 50% 以上。長江存儲以 NAND 銷往第三方模組廠並組裝為企業級 SSD 出貨，規避產地敏感；長鑫存儲已導入美、加等地中小型雲端業者認證。美國民間企業原則上可向兩家採購，實體清單主要限制其獲取美國技術，並未全面禁止民間採購。雲端業者亦透過租用算力或第三方持有資產等方式降低合規風險。業界認為，蘋果對產業供需影響力下降，兩家並無意大量供貨蘋果或削價競爭，擴產仍難短期滿足蘋果在中國市場需求。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 報導，三星電子與 SK 海力士計劃至明年持續對中國 NAND 閃存量產線進行設備投資，以強化當地生產據點。三星今年上半年起已在西安 X2 產線推進 V9 NAND 轉換投資，該產品為約 280 層堆疊的先進製程，預期可形成月產能 4 萬至 5 萬片；為穩定量產，公司已確定補充投資計劃，核心是追加蝕刻工藝設備，相關採購訂單有望年底前後明確，補充投資擬自明年下半年起執行。SK 海力士則自今年三季度起推進大連 2 廠 NAND 產品升級相關設備投資，討論中的規模約合月產能 3 萬片，關鍵製造設備自下月起陸續進場，並計劃於明年上半年前完成部署。大連工廠系其 2020 年下半年收購英特爾 NAND 事業部後承接的資產，2022 年曾為擴產舉行 2 廠開工儀式，後因市況等因素暫緩設備投入，目前投資重新啟動。行業人士指出，上述安排旨在分階段擴大中國境內先進 NAND 產能，以應對人工智慧伺服器等領域對高端存儲需求的快速增長。

ChainCatcher 消息，8 月 24 日，据路透社报道，中國最大的閃存芯片製造商長江存儲（YMTC）母公司長江存儲科技控股（CCSH Corporation）在上交所科創板的上市申請已獲受理，市場預計該公司將於明年上市。此次 IPO 預計將募集 330 億元人民幣（約 49 億美元）資金。CCSH 計劃發行 19.8 億至 24.3 億股新股。招股書顯示，公司 2026 年第一季度（1 月至 3 月）營收達到 470 億元人民幣，同比增長近 5 倍；淨利潤為 333.8 億元人民幣，超過 2025 年全年淨利潤 142.1 億元的兩倍。YMTC 旗下工廠目前接近滿負荷運行，並在供應趨緊的 NAND 閃存市場持續擴大銷量。2026 年第一季度 NAND 閃存平均售價達到 2025 年平均水平的 2.73 倍，毛利率也從 2025 年的 35.3% 大幅升至 76.8%。CCSH 計劃將此次上市募集資金中的 208 億元人民幣用於擴充產線，另外 122 億元人民幣用於研發下一代 NAND 閃存及高速存儲產品。

ChainCatcher 消息，SK 海力士已重啟其大連第二座 NAND 閃存工廠建設，預計將該地區月產能提升約 50%。新產線設計月產能約 5 萬片晶圓，疊加現有大連一廠 10 萬片月產能，SK 海力士在華 NAND 總產能將增至約 15 萬片每月。該工廠於四年前動工，後因儲存芯片市場下行及美國對華設備出口限制暫停，僅完成結構框架。大連二廠的投資由 SK 海力士旗下 NAND 子公司 Solidigm 推動，最早於今年 11 月啟動設備搬入，計劃明年上半年建立量產體系。受 AI 數據中心擴張推動，企業級 SSD 需求激增，NAND 價格較一年前上漲近 10 倍，帶動投資重啟。SK 海力士將採取雙軌策略：大連工廠利用英特爾成熟浮柵架構生產百層級別 NAND，清州 M17 等國內工廠則聚焦 300 層以上先進 NAND 生產，後者已宣布投資 19.1 萬億韓元。業內預計大連二廠設備配置與一廠相近，月產能維持在 4 萬至 6 萬片區間。

ChainCatcher 消息，据日經新聞報導，日本 NAND 廠商鋼俠（Kioxia）最大股東已由東芝變更為特殊目的公司 BCPE Pangea Cayman 2（SPC2），後者持有鋼俠 14.19% 股份，略高於東芝減持後的 14.06%。SPC2 是 SK 海力士通過可轉換債券（CB）投資的主體。東芝於 7 月 15 日至 8 月 3 日期間分 7 次減持鋼俠股份，持股比例從 15.10% 降至 14.06%。SK 海力士 2018 年通過兩個 SPC 向鋼俠投資約 4 萬億韓元，其中與貝恩資本等共同出資的 SPC1 已於今年 6 月貝恩資本退出時完成股份出售，而 SK 海力士獨自出資約 1.3 萬億韓元的 SPC2 繼續持有。若 CB 轉換為股票，SK 海力士將獲得表決權。但業界評估認為，實際影響鋼俠經營的可能性較低，因表決權行使需通過各國競爭與反壟斷審批，日本政府出於本國半導體供應鏈保護考量，可能不會輕易放行。鋼俠目前為全球第三大 NAND 廠商，僅次於三星電子和 SK 海力士。

ChainCatcher 消息，日本 NAND 廠商鋼俠（Kioxia）正加速佈局 AI 用 NAND 市場，今年已啟動第 10 代（BiCS 10）332 層 3D NAND 量產，並基於此推出支持 PCIe 6.0 的數據中心 eSSD"CM10"，順序讀取性能較前代提升達 92%。此外，鋼俠計劃於今年年底量產 UFS 5.0 嵌入式存儲，數據傳輸速度較 UFS 4.1 提升約 2 倍，主攻端側 AI 移動設備市場。據 TrendForce 數據，鋼俠今年一季度全球 NAND 市場份額為 13.9%，位列第三，次於三星電子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）。韓廠同樣加快腳步。三星已於上月量產 PCIe 6.0 eSSD"PM1763"，搭載第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器，UFS 5.0 計劃於第四季度量產。三星還宣布本月起量產第 10 代 V-NAND（約 430 層），首次應用混合鍵合及三堆疊工藝。行業分析認為，鋼俠在技術迭代速度上頗具競爭力，但產能規模仍與韓廠存在差距，後續 AI 存儲市場競爭將更趨激烈。