sk海力士

ChainCatcher 消息，韓國 KOSPI 指數 10 月 21 日（週三）開盤上漲 101.87 點，漲幅 1.83%，報 5654.61 點。SK 海力士和三星電子漲約 3%。日經 225 指數 10 月 21 日（週三）開盤上漲 744.29 點，漲幅 1.16%，報 64819.71 點。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，韓國 KOSPI 指數 10 月 20 日（週二）收盤下跌 214.93 點，跌幅 3.73%，報 5553.08 點。三星電子跌 2.98%，SK 海力士跌 4.22%。

ChainCatcher 消息，据金融数据提供商 FnGuide 近日公布的数据，截至 10 月 15 日，韓國國民年金公團（NPS）在 287 家上市公司中持股比例達 5% 及以上的股權總估值，已從 6 月底的 515.93 萬兆韓元縮水至 333.53 萬兆韓元，帳面縮水約 182 萬兆韓元，約合 1370 億美元。縮水主要與該基金重倉三星電子和 SK 海力士相關。NPS 持有的 SK 海力士市值蒸發約 74.2 萬兆韓元，三星電子持倉市值縮水 56.9 萬兆韓元，兩隻股票約占持倉市值總降幅的 72%。NPS 是韓國體量最大的養老基金，截至 6 月底管理資產規模達 1866 萬兆韓元，約合 1.35 萬億美元。今年上半年投資回報率達 27.2%，創 2022 年以來同期最好水平，但數月內行情反轉，這也是 2024 年第四季度後其核心重倉組合首次出現季度級別市值下滑。NPS 長期將三星電子、SK 海力士列為本土股票持倉前二，持股比例維持在 7% 以上。今年 5 月，基金運營委員會還上調韓國股票年末目標配置。6 月高點後股價快速回調，截至 10 月中旬，SK 海力士較高點跌幅超過 50%，三星電子回撤約 40%。外資集中拋售是下跌的直接推手，兩家公司合計占外資淨賣出總額接近八成。市場對 AI 存儲景氣的分歧、中國存儲技術進展，以及個股槓桿 ETF 的高波動，也放大了跌幅。6 月 22 日韓國 KOSPI 指數曾創 9114.55 點歷史收盤高位，截至 10 月 15 日已下跌約 39%。期間 NPS 持有的 SK 海力士股份比例從 7.5% 降至 7.32%，三星電子持股比例維持在 7.84%。美銀 10 月 16 日研報認為，存儲股估值在約三個半月調整後或已見底，2027 至 2028 年存儲芯片價格與盈利仍有望維持高位。也有觀點提醒，若全球 AI 企業削減資本開支，兩家公司盈利預期仍有下調空間。截至目前，NPS 尚未就持倉市值大幅縮水作出正式回應。

ChainCatcher 消息，摩根大通策略師尼古拉斯·帕尼吉爾佐格魯指出，10 月 AI 股票拋售潮可能難以複製 7 月快速反彈。與此前相比，當前市場逢低買入意願減弱，空頭倉位不足以提供潛在回補買盤，企業回購資金也在減少，同時 ETF 中的槓桿敞口重新累積，可能進一步放大市場波動。摩根大通認為，從投資者倉位和資金流向看，AI 基礎設施股票似乎尚未進入超賣狀態。本輪拋售已從韓國存儲芯片股擴散至美國半導體板塊。SK 海力士和三星電子過去一個月股價均下跌近三分之一，費城半導體指數過去五個交易日下跌 10%。此外，兩家公司此前宣布的合計 400 億美元股票回購計劃已於 10 月中旬提前完成，市場可能因此失去部分企業回購帶來的買盤支撐。與此同時，貝萊德 CEO 拉里·芬克警告，若美國暫停數據中心建設，經濟可能陷入衰退。他表示，美國經濟相當一部分增長與 AI 基礎設施資本支出有關。隨著市場對 AI 投資回報和企業盈利能力的疑慮加深，AI 產業鏈股價調整也可能影響數據中心建設、能源基礎設施及相關就業領域。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情數據，日經 225 指數 10 月 15 日收盤下跌 3318.34 點，跌幅 4.90%，報 64425.95 點。韓國 KOSPI 指數同日收盤下跌 454.54 點，跌幅 7.56%，報 5554.27 點。韓國股市盤中一度跌超 9%，年內第十次觸發熔斷機制。韓國金融監管機構午後就股市召開緊急會議，隨後股市跌幅有所收窄。SK 海力士初步收跌 11.06%，三星電子跌 9.48%。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情數據，韓國 KOSPI 指數跌幅達 7%。SK 海力士跌 10%，三星電子跌近 8%。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 報導，儲存晶片廠商 SK 海力士在擴大第六代高帶寬記憶體 HBM4 量產的同時，部分後道設備業內人士認為擴產速度慢於預期，今年計畫追加的部分設備訂單可能推遲至明年。設備業人士稱，原定今年下半年交付的部分設備出現延後跡象，後續訂單計畫也尚未明確。有匿名人士表示，部分原計畫今年投入的設備或改至明年，已交付設備是否滿負荷運轉也尚無數據確認。明年 HBM4 相關投資計畫尚未具體傳達給部分合作方，今年訂單已大體完成，但未見明確的增減投資信號。報導稱，設備投資日程與產品品質問題之間的直接關聯尚未得到確認。大信證券研究員柳亨根認為，主要客戶 HBM4 品質問題導致業績低於預期的擔憂過度，後道環節或曾出現部分問題，但難以視為無法解決的風險，也尚未到討論不良賠償的階段。另有業內說法稱，在通用記憶體價格上漲背景下，部分 HBM 投資或轉向通用記憶體。SK 海力士計畫優先向龍仁集群 Y1 晶圓廠首個潔淨室導入 DRAM 生產設備，業界預計初期產線採用第六代 10 奈米級 1c 工藝，新增產能將優先分配給通用 DRAM。也有觀點認為，僅憑部分後道設備日程變化，尚不足以判斷 HBM4 量產受阻，SK 海力士已向主要客戶供應 HBM4 16 層樣品。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情，韓國 KOSPI 指數跌幅擴大至 5%。SK 海力士跌超 7%，三星電子跌近 6%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日報導，三星電子正擴大次世代 NAND 快閃記憶體 zNAND 的應用範圍，並規劃在已公開的 zNAND-O 之外，將產品細分為 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。報導稱，三星電子尚未正式宣布後兩款產品，但業界了解到相關方案已進入初期開發，以對應 AI 基礎設施中客製化儲存需求增加的情況。zNAND-O 面向端側 AI。與傳統引線鍵合不同，該方案通過矽通孔將 NAND 垂直堆疊 4 層或 8 層，縮短數據傳輸路徑，並提升速度與能效。三星電子已於今年 8 月在美國儲存器相關活動中首次公開展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 側重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 數據中心，同樣以垂直堆疊和矽通孔擴大帶寬，業界將其稱為高帶寬快閃記憶體。zNAND-I 側重提升每秒輸入輸出次數，用於 AI 推理中對鍵值快取等小容量臨時數據的頻繁處理。報導同時提到，SK 海力士也在開發 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 產品系列。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 報導，隨著 AI 封裝容納更多計算與存儲晶片，連接計算晶片與 HBM 的中介層預計大幅變大，下一代 HBM 散熱更重要。三星電子正準備多項技術，應對計劃於明年開始量產的 HBM4E 散熱挑戰。當前 AI 中介層面積已約為 EUV 光刻機單次曝光最大面積 858 平方毫米的 5.5 倍。半導體設備業人士預計，承載 HBM 的中介層可能擴大到該面積的 9 倍、12 倍，最終約 40 倍。原因包括製程微縮受限和 chiplet 式 2.5D 封裝普及，單一先進製程晶片難以滿足 AI 計算力需求，多個計算 chiplet 與 HBM 堆疊被放在同一中介層上。三星考慮混合銅鍵合與熱路徑塊。前者以銅對銅直接連接取代堆疊 DRAM 晶粒間的微凸點，可縮小層間間隙、使堆疊更薄並改善散熱，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。熱路徑塊在 HBM 基底晶粒負責與 GPU 高速傳輸的 D2D PHY 區域建立專用熱路徑，三星正用 HBM4E 驗證，並計劃在 HBM5 導入。據 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在熱量集中的 D2D PHY 周圍放置高導熱但電絕緣的冷卻材料，預計可將熱阻降低約 30%。

ChainCatcher 消息，据韓媒報導，三星電子已就明年存儲供應簽署長期協議，覆蓋比例約為 75% 至 80%，其中包括高帶寬內存。報導稱，三星電子已與英偉達、谷歌、微軟等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士與美光也在加快鎖定供應量，並與主要客戶簽署一系列大規模長期合同。三星電機據稱接近與台灣電力電子公司台達電子簽署價值 7000 億韓元的長期協議，用於供應多層陶瓷電容器。

ChainCatcher 消息，存儲芯片公司 SK 海力士的美股將於週三面臨鎖定期屆滿，該項安排禁止公司、其關聯方及管理層出售股份。與此同時，市場正在質疑存儲芯片景氣還能持續多久。公司美國存託憑證週一錄得三週來最大跌幅。截至週二收盤，SK 海力士 ADR 相對韓國本土股份溢價 38%，為彭博追蹤的主要亞洲發行人中最高。儘管近期有所回落，該價格仍比上市價格高出 20% 以上。目前沒有跡象表明公司計劃像部分亞洲人工智慧公司近期那樣再次發行股份。

ChainCatcher 消息，AMD 董事長兼首席執行官蘇姿豐於 10 月 7 日下午約 4 時 44 分抵達首爾三星電子瑞草辦公樓，與設備解決方案部門負責人全永鉉副會長會面，距上次訪韓約 7 個月。AMD 計算與圖形集團負責人 Jack Huynh、副總裁 Joseph Macri 隨行。蘇姿豐表示，雙方將討論更廣泛的夥伴關係，並稱三星方面有許多合作夥伴；被問及是否會見李在鎔時，她表示不便透露。訪三星前，蘇姿豐出席首爾 AMD 玩家日，將三星與 SK 海力士稱為核心供應鏈夥伴，並稱因人工智慧需求上升正在規劃長期供應鏈。她表示，新一代 MI455 與 Helios 系統已開始出貨且均採用 HBM4，獲兩家支持，HBM 合作不會止於一代。報導稱，Instinct MI455X 搭載 432GB HBM4，較前代 MI355X 的 288GB HBM3E 增加 50%。她稱內存供應非常緊張，正與客戶優化用量並要求夥伴擴大生產。TrendForce 於上月 29 日預測，HBM 與普通 DRAM 共用有限先進製程產能，供應緊張或延續至明年。報導稱，雙方今年 3 月簽署以 HBM4 與下一代 DDR5 供應為中心的諒解備忘錄，將三星定為 MI455X 用 HBM4 主要供應商，並討論由三星代工生產 AMD 下一代產品。全永鉉當時表示，三星可同時提供內存、代工與封裝。

ChainCatcher 消息，三星電子上月聘用前財政經濟部外匯制度課長李熙坤為 IR 團隊常務。李熙坤曾擔任外匯制度課長、資金市場政策課長等職，負責外匯制度及海外投資應對，今年 4 月參與韓國納入世界國債指數工作並獲特別表彰，預計負責海外投資者及全球資本市場應對。SK 海力士上月聘用前財政經濟部戰略經濟總括課長鄭汝珍為傳播總括下屬副社長。鄭汝珍曾任氣候環境預算課長、經濟副總理秘書官、外匯制度課長、外匯資金課長等職。兩家公司正推進美國生產投資，三星電子計畫投入 370 億美元在德克薩斯州泰勒建設晶圓代工廠，SK 海力士計畫投入 40 億美元在印第安納州建設先進封裝工廠。

ChainCatcher 消息，韓國副總理週三表示，韓國必須繼續推進人工智慧發展，不能停頓或拖延，在全球關於該技術發展節奏的討論中態度明確。韓國是三星電子與 SK 海力士等儲存晶片企業所在地，也是人工智慧數據中心熱潮的主要受益者之一，相關需求帶動了對該國半導體與硬體的旺盛採購。該國人口約 5200 萬，目前無法按美國人工智慧模型開發商 Anthropic 與 OpenAI 負責人所提議的方向放慢自身進展。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，韓國 SK 海力士正與英特爾洽談一項交易，擬首次在美國本土生產存儲芯片。其中一種可能方案是 SK 海力士租用英特爾在俄亥俄州籌劃已久的芯片製造設施的一部分；另一種方案是與英特爾及急於鎖定存儲芯片供應的主要雲服務公司成立合資企業。交易將緩解英特爾的壓力，並成為特朗普政府的一大勝利。但消息人士稱，韓國方面的潛在反對可能是一大障礙，因為這些技術被視為敏感。一名消息人士稱談判尚屬探索性，強調尚未作出決定。若達成協議，SK 海力士可能在俄亥俄州生產何種芯片也尚不清楚。其產品線包括用於伺服器、PC 和智能手機的 DRAM，以及提供長期存儲的 NAND 閃存，同時也是 AI 處理器所用高帶寬存儲（HBM）的領先供應商。

ChainCatcher 消息，SK 海力士與其工會已就績效獎金達成協議。根據協議，獎金的 50% 將以現金支付，其餘 50% 將以公司股票支付。SK 海力士原本計劃以現金支付全部績效獎金。這意味著公司現在需要回購相當於獎金總額至少 50% 的股票。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 15 日報導，三星電子與 SK 海力士三季度營業利潤共識在三個月內再次上調。綜合主要券商與海外投行報告，三星電子三季度營業利潤預估約 114 萬兆韓元，較三個月前的 101.9052 萬兆韓元上調 12.2836 萬兆韓元（12%），較二季度 89.4 萬兆韓元增長 28%。SK 海力士三季度預估為 78.8035 萬兆韓元，較三個月前的 75.7249 萬兆韓元上調 4%，較二季度 60.5426 萬兆韓元增長 30%。TrendForce 預計三季度通用 DRAM 固定交易價格環比上漲 13% 至 18%，NAND 閃存上漲 10% 至 15%。證券界關注三星電子 HBM4 營收占比由一季度 5% 擴大至二季度約 35%，且良率改善。SK 海力士維持 HBM 市場份額第一，但三星 HBM4 量產改善或稀釋其供應溢價。花旗證券因韓元走強將 SK 海力士三季度營業利潤預估由 76.7 萬兆韓元下調至 74 萬兆韓元。美光將於 30 日公布 2026 財年第四季度（6 月至 8 月）業績，營收指引為 490 億至 510 億美元。