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ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子は次世代 DRAM 戦略を調整し、以前プロジェクト形式で開発されていた B1b を正式なロードマップに組み込み、初の 10 ナノメートル未満 DRAM D0a と名付けました。以前の D0a は垂直トランジスタ DRAM を指していましたが、現在この製品は D0a-V として単独で分類されています。この名称変更は、汎用 DRAM における先進的なパッケージングの導入を加速するためです。B1b は、ストレージセルと周辺ドライバ回路を異なるウェハ上で製造した後に接合し、ウェハ対ウェハの混合接合を採用し、銅相互接続で直接接続します。現在商用化されている DRAM は 1c で、これは第 6 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 11 から 12 ナノメートルです。次世代 1d は第 7 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 10 から 11 ナノメートルで、事実上最後の 10 ナノメートル級製品と見なされています。関連するライン幅はマーケティング用語であり、実際の物理的サイズではありません。垂直トランジスタは、セル内のトランジスタを垂直に配置することで、セル面積を 6F² から 4F² に縮小できますが、高深幅比エッチングと漏れ電流に対処する必要があり、開発難易度は高いです。ウェハ対ウェハの混合接合は、CMOS イメージセンサーや高積層 NAND で量産応用されています。サムスン電子は B1b を第 8 世代高帯域幅メモリ HBM5 に使用することを評価しています。HBM5 は約 2029 年に量産される見込みで、HBM4E に比べて動作速度を 50% 以上向上させることを目指しています。業界では、B1b に基づく D0a DRAM は最速で約 2 年後に商用化されると見込まれており、具体的な量産投資スケジュールは来年の中頃に決定される可能性があります。

BidClub ポッドキャスト第 166 回で、チップデザイナーの Bubble boi は、高帯域幅フラッシュメモリは技術的に魅力的であるが、決定的なデータセンターのユースケースが不足していると述べました。彼が提供した情報によれば、聞いたところによると、主要な顧客は高級 HBM を入手または生産するのが難しい中国の顧客です。Bubble boi は、HBF と高級 AI フラッシュメモリの遅延は約 5 マイクロ秒であり、帯域幅は HBM よりも低く、単位ビットコストは低いが、総コストは相当する可能性があると述べました。彼は、最も明確な顧客は HBM を入手できない主体であり、これは彼が 2 人から 3 人のところで聞いた中国の需要と一致しており、彼らは加速器を十分に製造できないか、または先進的な仕様の製品を受け入れることを望んでいると考えています。

Money Todayの9月21日の報道によると、サムスン電子はHBM市場の成長に伴い、ウェハー代工の先進プロセス能力の拡張を進めており、HBM4基座チップの需要増加に対応するために4nmプロセスの増産を検討しています。サムスンのHBM4は、10nm世代の6世代（1c）DRAMコアチップと4nmロジック基座チップで構成されており、基座チップはGPUなどのAIアクセラレーターとの高速データ交換を担当しています。SKハイニックスがTSMCの12nmを採用しているのとは異なり、サムスンはHBM4基座チップに自社の4nmプロセスを使用しています。この生産ラインはフル稼働しており、NVIDIAのGroq 3 LPUなどの注文を受けています。最近、会社は4nmの新しい注文とHBM4基座チップの価格を引き上げました。サムスンは第3四半期のHBM4の収益が前四半期比で3倍以上増加すると予想しており、下半期のHBM収益におけるHBM4の割合は60%以上になる見込みです。平沢P4の追加増産の大部分はHBM用の1c DRAMに使用され、ウェハー代工の4nm能力の半分以上がHBM4基座チップに割り当てられています。HBM4Eも同様に4nm基座チップを採用しており、サムスンは5月に顧客にサンプルを提供しました。会社はまた、HBM5のために2nmの新しい生産ラインを構築することを検討しており、GAA構造の2nmプロセスを目指し、TSV密度を向上させ、HBM4Eに比べて動作速度を50%以上向上させることを目指しています。サムスンは昨年の下半期に2nmの第一世代量産を開始し、今年の下半期には第二世代製品を推進します。シティは来年の世界のHBMビット需要が752億Gbに達し、前年比62%増加すると予測しており、供給は約594億Gb、ギャップは約21%になるとしています。

ソウル経済の報道によると、サムスン電子は来年、第6世代の高帯域幅メモリHBM4と第7世代のHBM4EなどのHBM4シリーズの生産量を今年の少なくとも2倍以上に拡大する計画です。同社は、HBM用DRAMの薄型加工に必要なガラス基板の外部洗浄量を、今年の月間2万枚から来年の月間5万枚に増やし、今年に比べて2.5倍増加させる予定です。昨年のこの基板の月間需要は約1万枚で、今年は昨年の2倍に増加しています。サムスン電子が重点的に増産するHBM4とHBM4Eは、12層以上の高積層製品が主です。同社は今年の2月に第6世代10nm（1c）DRAMと4nmプロセス基板チップを使用したHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAなどの顧客にHBM4Eの12層サンプルを提供しました。業界では、月平均のウェハ投入量で、サムスン電子のHBM生産能力が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加し、増加率は約40%になると予想されています。HBM4シリーズの出荷割合は、今年の約40%から来年の約80%に上昇する見込みです。

美光テクノロジーは9月30日に会計年度第4四半期の業績を発表します。NVIDIAのCFOコレット・クレスは8月26日の会計年度第2四半期の電話会議で、同社は「メモリの極端な価格条件」を見ており、価格の上昇幅が以前の予想を超え、「来年さらに高くなる」と述べました。価格圧力はNVIDIAの利益率に反映されており、クレスは第4四半期の粗利益率が71%-72%の範囲に達し、その後会計年度2028年には72%-73%に回復すると指摘しました。クレスは現在のメモリ不足は主にAIの構築自体によって推進されていると述べました。SKハイニックスはメモリ市場が早くても2030年まで供給と需要のバランスに達しないと予測しており、2031年までに韓国国内の2つの拠点を拡張するために約383億ドルを投資しています。SKハイニックスは約50%のハイバンド幅メモリ市場シェアを持ち、サムスンの33%や美光の18%をリードしています。

ロイター通信によると、関係者は、韓国のSKハイニックスがインテルと取引を交渉しており、米国本土で初めてメモリーチップを生産する計画であると報じています。考えられる一つの案は、SKハイニックスがインテルがオハイオ州で長年計画しているチップ製造施設の一部を借りることです。もう一つの案は、インテルおよびメモリーチップ供給の確保を急ぐ主要なクラウドサービス会社と合弁会社を設立することです。この取引はインテルのプレッシャーを和らげ、トランプ政権にとって大きな勝利となるでしょう。しかし、関係者によると、韓国側の潜在的な反対が大きな障害となる可能性があるため、これらの技術は敏感と見なされています。ある関係者は、交渉はまだ探索的であり、決定は下されていないと強調しました。合意に達した場合、SKハイニックスがオハイオ州でどのようなチップを生産するかはまだ不明です。その製品ラインには、サーバー、PC、スマートフォン向けのDRAMや、長期ストレージを提供するNANDフラッシュが含まれ、AIプロセッサ用の高帯域幅メモリ（HBM）の主要な供給者でもあります。

花旗のアナリストは、先進的なストレージチップメーカーが人工知能の発展における構造的変化から恩恵を受けると指摘しています。この機関は、継続的な学習がストレージ需要を大幅に増加させ、市場の供給不足が2031年まで続くと予測しています。継続的な学習は、新しいタスクと知識に基づいてモデルを強化し、モデルの更新や過去データへのアクセスに対する継続的な需要を生み出し、HBM、サーバーDDR5、eSSDなどの製品のストレージ使用量を引き上げます。花旗は、HBMビットの需要が2027年に前年同期比で62%増加し752億ギビット、2028年には前年同期比で69%増加し1270億ギビットに達すると予測しています。世界のDRAM需要は、2027年と2028年にそれぞれ前年同期比で30%と35%増加し、同時期の供給はそれぞれ19%と22%の増加にとどまり、供給と需要の比率はそれぞれ-8.7%と-9.7%になります。NANDについては、2027年と2028年の需要がそれぞれ前年同期比で29%と33%増加し、供給の増加21%と25%を上回り、供給と需要の比率はそれぞれ-6.1%と-5.5%になります。花旗が推奨するストレージ関連の銘柄には、三星電子、SKハイニックス、マイクロン、Sandisk、Kioxiaが含まれ、これらはそれぞれ継続的な学習によるストレージ不足、HBMとサーバーDDR5の需要、DRAMの供給不足、高密度eSSDとNANDの供給の引き締まりといった論理に対応しています。

工商時報の報道によると、HBM、2ナノメートル以下の先進的なロジックの生産拡大に伴い、法人は2026年末までに世界のシリコンウェーハの供給と需要のギャップが約8%から2027年の15%、2028年の24%に拡大すると予測しています。グローバルウェーハ、合晶、および台勝科の運営は恩恵を受けると期待されています。法人は、2027年中が重要な転換点になると指摘しており、供給拡大の速度が追いつかない場合、2027年下半期から2028年上半期にかけて新たな欠品と争奪戦が発生する可能性があるとしています。SEMIの統計によると、2026年第2四半期の世界のシリコンウェーハ出荷面積は35.73億平方インチに達し、前四半期比で9.1%、前年同期比で7.4%の増加となっています。法人は、2026年の世界の12インチシリコンウェーハの月間生産能力が約1069万枚、前年同期比で7%の増加、2027年には約3%増の1100万枚、2028年には約6%増の1170万～1176万枚になると見込んでいます。新たな供給には、グローバルウェーハの第2段階の初期に約30万枚、合晶の約10万枚が含まれます。法人は、2027年と2028年のHBMシリコンウェーハの消費量がそれぞれ前年同期比で23%、28%増加すると予測しています。一般的なDRAMの新たな生産能力は2027年から順次稼働し、2028年には月間生産能力が約35万～45万枚増加する見込みです。先進的なロジックに関しては、2027年と2028年のロジックプロセスのシリコンウェーハ消費量がそれぞれ前年同期比で12%、11%増加するとされています。現在、顧客のシリコンウェーハ在庫は約100～120日であり、50～70日の正常水準に戻るには時間がかかるとされています。

朝鮮日報の9月15日の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスの第3四半期の営業利益のコンセンサスが3ヶ月以内に再度引き上げられました。主要な証券会社と海外投資銀行の報告を総合すると、サムスン電子の第3四半期の営業利益は約114兆ウォンと予測され、3ヶ月前の101.9052兆ウォンから12.2836兆ウォン（12%）引き上げられ、第二四半期の89.4兆ウォンからは28%の増加となります。SKハイニックスの第3四半期の予測は78.8035兆ウォンで、3ヶ月前の75.7249兆ウォンから4%引き上げられ、第二四半期の60.5426兆ウォンからは30%の増加です。TrendForceは第3四半期の一般的なDRAMの固定取引価格が前四半期比で13%から18%上昇し、NANDフラッシュが10%から15%上昇すると予測しています。証券界はサムスン電子のHBM4の収益占有率が第一四半期の5%から第二四半期の約35%に拡大し、良品率が改善していることに注目しています。SKハイニックスはHBM市場シェアの第一位を維持していますが、サムスンのHBM4の量産改善がその供給プレミアムを希薄化する可能性があります。シティグループ証券はウォン高の影響でSKハイニックスの第3四半期の営業利益予測を76.7兆ウォンから74兆ウォンに引き下げました。マイクロンは30日に2026会計年度第4四半期（6月から8月）の業績を発表し、収益のガイダンスは490億から510億ドルです。

KB証券は9月11日に報告を発表し、三星電子のHBM市場シェアが第2四半期の33%から第4四半期の40%に向上する見込みであると指摘しました。これは主に、HBM4の第3四半期の販売量が前四半期比で3倍以上増加し、下半期にはHBM4がそのHBM総売上高の60%以上を占めると予想されるためです。三星電子はHBM4の全面量産を確立し、主要顧客にHBM4Eサンプルを供給し、1cコア裸チップと2ナノベース裸チップのHBM5アーキテクチャおよび次世代ZHBMのロードマップを採用しています。受託生産事業に関しては、4ナノの良品率が80%以上で安定しており、2ナノGAAの良品率は急速に70%以上に向上しています。KB証券のアナリスト、キム・ドンウォン氏は、受託生産事業が第3四半期から黒字化する見込みであり、2ナノの良品率が年内にアメリカの大口顧客の受注を獲得する助けになる可能性があると述べています。

ロイターによると、9月10日に独占報道されたところによれば、中国のAIチップ製造業者は高帯域幅メモリの不足により大幅に価格を引き上げた。華為は昇騰950DTアクセラレータカードの指示価格を25万元人民币を超えるように引き上げ、2ヶ月前の価格から20%から50%の上昇となった。寒武紀は計画中の690チップの指示価格を20%から30%引き上げ、沐曦と天数智芯も同様の値上げがあった。報道によれば、その理由にはアメリカの輸出規制やグレー市場での高帯域幅メモリ供給のコスト上昇が含まれている。華為の以前の製品である昇騰950PRと910Cの価格も約30%上昇した。これらの値上げは中国のAI計算能力の構築コストを増加させた。華為、寒武紀などの企業はコメントを控えた。

業界の情報によると、NVIDIAは次世代のRubin Ultra人工知能アクセラレーターの高帯域幅メモリソリューションを12層から8層に調整することを検討しています。ストレージコストの上昇を背景に、NVIDIAは単位帯域幅コストと全体システムの経済性をより重視しています。

朝鮮日報の報道によると、中国最大のDRAMメーカーである長鑫存儲（CXMT）は、第四世代の高帯域幅メモリHBM3の試験生産を開始しました。初期の良品率は25%で、量産のゴールデン良品率80%の約三分の一です。SKハイニックスは2022年から同様の製品を量産しており、良品率は90%を超えています。長鑫存儲のHBM3 8層スタッキング製品の前工程の良品率は約30%、後工程では約70%が最終良品となります。同社は少量のサンプルをアリババの平頭哥や寒武紀などの中国企業に供給し、良品率の改善を続けています。G4（17ナノメートル級）プロセスの一般的なDRAMには大きな問題はありませんが、HBM用のDRAMチップは面積が大きく、電気仕様がより厳格です。業界はその原因をシリコン貫通孔TSV技術の成熟度不足に指摘しています。Nomad Semiの分析によると、サムスンのHBM2は1チップあたり5000個以上のTSVを持ち、SKハイニックスのHBM3は8000個以上、長鑫存儲は約3000個です。サムスンやSKハイニックスとの間には4年から5年の差があります。

韓国の証券会社KB証券は、サムスン電子とSKハイニックスのストレージ半導体在庫が10日分を下回ったと警告し、来年の供給が明らかに不足すると述べました。この機関は月曜日に、人工知能インフラへの投資がかつてない速度で拡大しており、ストレージチップ市場が深刻な供給不足に直面していると報告しました。重要な要因はHBM4への移行であり、HBM4に必要なウェハは従来のDRAMの約3倍であり、ウェハの生産能力が限られているため、従来のDRAMの利用可能な生産能力が減少します。KB証券は、来年のDRAMとNANDの需要が供給を10パーセント以上上回ると予測しています。研究責任者のキム・ドンウォン氏は、人工知能サーバーがHBM、サーバーDDR5、企業向けSSDを消費し、歴史的な不足を引き起こす可能性があると述べました。世界の超大規模データセンター運営者は、来年の人工知能インフラへの投資予想を1.3兆ドルに引き上げ、前年より60%増加するとしています。この機関は、来年のストレージ半導体が人工知能インフラ総投資の57%を占めると予測しており、昨年の14%から増加しています。TrendForceは、この割合が68%に達する可能性があると予測しています。サムスン電子の株価は高値から約28%下落し、SKハイニックスは約40%下落しました。

TrendForceの最新のメモリ産業研究によると、2026年第二四半期には、Conventional DRAM（一般型 DRAM）の契約価格が大幅に上昇し、全体のDRAM産業の収益が前四半期比で59.5%増加し、約1,547.3億ドルに達する見込みです。LLMモデルのトレーニングやAI推論がAIサーバーの需要を刺激し、HBM3e、LPDDR5X、および高容量RDIMMの出荷が同時に成長しています。Agentic AIアプリケーションは、さまざまな容量のRDIMMの需要を引き上げています。供給面では、原材料メーカーの在庫は底を打ち、新たな供給はサーバーアプリケーションを優先して満たされており、第二四半期の全体のDRAMビット出荷量はわずかに成長しています。

三星電子のウェハ受託製造部門は、4ナノプロセスにおいて、第6世代高帯域幅メモリHBM4用の基板チップの量産比率が最近50%を突破したと発表しました。業界では、この部門が今年下半期に4ナノウェハの半分以上をHBM4基板チップの製造に投入する見込みで、NVIDIA、Broadcom、AMDなどへの供給を拡大する計画です。三星は今年2月にHBM4の量産出荷を開始し、第三四半期から供給量を拡大する予定で、年の中頃から関連ウェハの投入を大幅に増加させる計画です。このチップは三星のウェハ受託製造4ナノ（SF4）プロセスに基づいています。先月までに、全ての4ナノ生産能力の50%以上がHBM4基板チップに割り当てられました。関係者によると、三星の4ナノは現在フル稼働しており、その中でHBM4基板チップの割合は約50%から60%であり、下半期も高い割合を維持する見込みです。三星は平沢の2工場と3工場で4ナノから7ナノ級のプロセスを量産しており、4ナノの生産能力は月に約3万枚です。これに基づくと、HBM4基板チップ関連のウェハ投入は月に約1.5万枚と推定されます。三星は第二四半期の業績電話会議で、第三四半期のHBM4収益が前四半期比で3倍以上に拡大する見込みであり、下半期のHBM4収益は会社全体のHBM収益の60%を超えると予想しています。

未来資産証券アナリストのKim Young-gunは、Samsung ElectronicsがAIアプリケーション向けにHBMの出荷量を拡大することで、来年の汎用メモリチップの成長鈍化の影響を相殺すると予測しています。Samsung Electronicsの2027年のHBM出荷容量と平均販売価格は、それぞれ57%と49%急増する見込みで、汎用メモリチップの予想16%と20%の成長率を上回ると期待されています。未来資産は、Samsungの利益がウォンのドルに対する強さに影響されると予想していますが、全体としては依然として堅調を維持するとしています。同機関は、Samsungの2026年の営業利益予測を5.7%引き下げて370.057兆ウォン、2027年は4.2%引き下げて535.682兆ウォンとしました。

研究者のSchulz_Researchは、中国のストレージの進展がもはや単一の企業の物語ではなく、三社の分業であると述べています：CXMTはDRAMウェーハを担当し、YMTCはNANDを担当し、最新の工場でDRAMを追加し、YMTCが管理するファウンドリのXMCは両者の製品を積み重ねる役割を果たします。この分業は、昨年12月下旬からの北京の規則に対応しており、新しい工場の承認を得るためには、調達書類に少なくとも半分の設備が国産であることを示さなければならず、国産の選択肢がない場合のみ免除されます。YMTCの武漢三期は、この規則に基づいて初めて承認された先進的なストレージプロジェクトであり、今年の後半に生産を開始する予定です。CXMTは三つの300mm DRAM工場を運営しており、それぞれ約毎月10万枚のウェーハを生産しています；モデルによると、2026年末には35万枚に達する見込みで、すべての発表されたプロジェクトが完了すれば総量は60万枚を超えるでしょう。YMTCの武漢の最初の二つの工場は合計20万枚で、三期は2027年に5万枚、フル生産で10万枚に達する予定で、さらに同規模の工場を二つ建設する計画です。XMCの二つの12インチ工場はそれぞれ約3万枚で、さらにHBMパッケージラインは毎月約3000枚です。中国は世界の約10%のDRAMビットを供給しており、YMTCは第二四半期にNANDビット出荷の14%を占めており、中国は世界のストレージの約30%を消費しています。CXMTはDDR5とLPDDR5の量産を開始しており、今年中にHBM3の量産を開始する計画で、国内のAIハードウェア開発者にサンプルを送付しています。XMCは、混合ボンディングとYMTCのスタッキングIPに基づいてHBMパッケージを構築するのに2年を要し、TSVプロセスの推進を続けています。

朝鮮日報の9月7日の報道によると、SKハイニックスは10ナノメートル級第6世代（1c）DRAMの生産比率を高めるための加速を進めています。業界のデータによると、1c DRAMの比率は今年第1四半期の約10%から第2四半期の約13%に上昇し、第3四半期には約24%、第4四半期には約34%に達する見込みです。来年の第1四半期には約35%に上昇し、初めて1b（約33%）を超えて主力プロセスとなる見込みです。1b（10ナノメートル級第5世代）DRAMの比率は、今年第2四半期に約43%でピークを迎えた後、減少に転じています。第2四半期末時点で、サムスン電子の1c比率は約16%、マイクロンは約19%で、いずれもSKハイニックスの約13%を上回っています。報道によると、SKハイニックスは下半期に変換を加速し、第4四半期には約34%でサムスン電子の約31%を超える見込みです。SKハイニックスは第2四半期の業績電話会議で、1cプロセスを採用したDRAMの供給が第2四半期から実質的に開始され、下半期にはHBM4の出荷増加と1c汎用DRAMの出荷増加に伴い、ビット成長率が上半期を上回ると述べました。サムスン電子はHBM4から1c DRAMを採用し、動作速度は約11.7Gbpsです。SKハイニックスは以前、検証済みの1b DRAMと先進的なMR-MUFパッケージを使用して量産の安定性を優先的に確保し、次世代HBM4Eから初めて1c DRAMをHBMコアチップとして使用します。Counterpoint Researchなどは、今年、NVIDIA、Google、AMDの合計でHBM4の市場シェアがSKハイニックスの50%中盤、サムスン電子の20%後半、マイクロンの10%後半になると予測しています。

電子ニュースによると、9月3日、美光は高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力を昨年の2倍に拡大する計画であり、今年の年末までに最大で月産6万枚のウェハを追加する予定です。関係者によると、昨年の美光のHBM生産量は月産約4万から5万枚で、年末には約月産10万枚に達する見込みで、サムスン電子やSKハイニックスとのギャップを縮小することを目指しています。美光は複数のHBM機器メーカーへの発注を増やしており、生産拠点は主に台湾とシンガポールのウェハ工場で、設備の導入を継続しています。現在の生産量はHBM3E 12層が中心で、今年初めにはHBM4 12層の割合が約20%から30%で、年末には最大50%に上昇する可能性があります。HBM4 12層はNVIDIAの最新AIアクセラレーターVera Rubinに使用され、美光は今年の第2四半期からこの製品の量産を開始しました。美光のCEO、メヘロトラは今年6月に2026会計年度第3四半期の業績発表会で、HBM4 12層の量産の立ち上がり速度はHBM3E 12層の約2倍であり、HBM4の累積出荷収益は10億ドルを超えたと述べました。業界では、サムスンとSKハイニックスのそれぞれのHBM生産能力は月産約15万から20万枚と見られています。Counterpointのデータによると、今年第2四半期の世界のHBM市場シェアはSKハイニックスが50%、サムスンが32%、美光が18%です。美光は日本の広島で関連投資を準備しています。